朱悟新
- 作品数：13 被引量：25H指数：3
- 供职机构：有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 硅功率器件的电子辐照效应及其机理被引量：2
- 1984年
- 电子辐照硅功率器件是七十年代初发展起来的新工艺,它利用加速器产生高能电子流辐照硅功率器件,使硅材料晶格中的点阵原予发生位移,造成简单的品格空位和间隙原子。这些空位和问隙原子要和硅中的其它杂质、空位相互作用,组成缺陷络合物,形成了深能级的复合中心,如氧宅位对、磷空位对、双空位对等,以控制少子寿命.
- 钱思敏王炳林王培德刘安东黄耀先张传汉朱悟新张厥宗
- 关键词：辐照效应电子辐照深能级区熔电子注
- NH<,4>OH\H<,2>O<,2>水溶液中硅表面的原位曼光谱研究
- 该文用共焦喇曼系统原位观察了Ｓｉ（１００）表面在ＮＨ〈，４〉ＯＨ／Ｈ〈，２〉Ｏ〈，２〉／Ｈ〈，２〉Ｏ（ＳＣ－１）溶液中的变化过程。研究表明：在硅片浸入ＳＣ－１溶液的过程中，其表面逐浙被两种氧化物所覆盖，一种是由于ＮＨ〈，...
- 王敬屠海令朱悟新周旗钢刘安生张椿
- 关键词：硅表面
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- 氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察被引量：3
- 1998年
- 采用高压电子显微镜（ＨＶＥＭ）的原位观察技术，在１ＭＶ加速电压和室温至６５０℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在５００℃以下，氢离子注入缺陷层基本没有变化，在６５０℃保温时，缺陷的密度逐渐降低，样品中薄区域部分的缺陷在保温２０ｍｉｎ后消失，而厚区域部分在保温４０ｍｉｎ后仍存有部分缺陷，说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象。
- 王敬屠海令刘安生张椿周旗钢朱悟新高曰文李建明
- 关键词：硅离子注入氢
- 稀氢氟酸中硅表面氢终端的原位拉曼光谱研究被引量：2
- 1999年
- 本文用共焦显微拉曼系统原位观察了Ｓｉ（１００）表面氢终端原子在稀氢氟酸中的变化过程。研究表明：在硅片浸入氢氟酸溶液的初期，表面主要被硅和三个氢原子的结合体（ＳｉＨ３）以及硅和两个氢原子的结合体（ＳｉＨ２）所覆盖。随着腐蚀过程的延长，ＳｉＨ３越来越少，ＳｉＨ２的信号不断增强，并且，硅和单个氢原子的结合体（ＳｉＨ）的信号也开始出现。最终，硅表面主要被ＳｉＨ２所覆盖，有少量ＳｉＨ３和ＳｉＨ键。本文还表明。
- 王敬屠海令朱悟新周旗钢刘安生张椿
- 关键词：原位硅拉曼光谱氢氟酸
- 扫描隧道显微镜重掺硅（111）表面微缺陷研究被引量：1
- 1996年
- 利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）初步研究了重掺锑硅（１１１）抛光片表面的微结构．多数硅晶片表面不同部位的ＳＴＭ形貌相表明，表面处理过程产生的微缺陷远比晶体生长过程产生的微缺陷多；粗糙度约为几个纳米的大面积平整区域与面积虽小但缺陷密度很高而且无规则分布的微区共存．微缺陷密度与晶体完整性、掺杂浓度和抛光条件有关．轻掺锑硅（１１１）表面相对平整，微结构尺寸较大（１００ｎｍ左右）边缘较平滑；重掺锑硅表面微缺陷密度很高，结构复杂，平整度明显降低．表面机械损伤，杂质条纹，过腐蚀等缺陷密度通过优化表面抛光条件可以有效降低或避免．
- 刘鸿飞秦福朱悟新尤重远陈开茅
- 关键词：扫描隧道显微镜
- 2-3μmIC用φ5英寸硅单晶(片)研制
- 屠海令张椿尤重远周旗钢常青冯仪朱悟新高玉芬张厥宗
- 为提高集成度和降低制造成本，要求硅单晶直径不断增大，并对其杂质和晶体完整性的要求越来越高。但直径增大，必然增加大投料量，带来的是热容量增大，拉晶时间延长，熔体与石英坩埚反应变大，晶体生产热历史对晶体质量的影响更大，生长出...
- 关键词：
- 关键词：硅单晶单晶拉制硅抛光片
- 掺氧GaAs单晶的红外吸收研究被引量：1
- 1993年
- 报道了掺 As_2O_3 和掺 Ca_2O_3+Cr 水平法生长的 CaAs 单晶中氧有关缺陷的红外吸收谱,揭示了氧缺陷吸收蜂的出现和样品电阻率的依赖关系,并对氧缺陷中心(O_i-V_(As))的负 U 特性进行了讨论。淬火实验表明,氧还可能以其它形态存在于 GaAs 晶体中。
- 王富咸朱悟新尹庆民江德生
- 关键词：单晶红外辐射
- SOI键合材料的TEM研究
- 1998年
- 用横断面透射电子显微术（ＴＥＭ）研究了用键合方法获得的ＳＯＩ材料的界面结构。绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀，Ｓｉ膜／ＳｉＯ２以及ＳｉＯ２／Ｓｉ基体的界面平直且结合紧密，在界面上没有观察到缺陷和孔洞。
- 王敬屠海令刘安生周旗钢朱悟新张椿
- 关键词：硅片键合SOI微结构TEM
- 硅中热施主的低温红外光谱
- 朱悟新王富成
- 关键词：硅施主红外光谱学
- 硅片的直接键合被引量：5
- 1998年
- 介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理。
- 王敬屠海令刘安生张椿周旗钢朱悟新
- 关键词：硅片硅片键合直接键合
