朱秀红
- 作品数：40 被引量：37H指数：3
- 供职机构：西北大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 热丝对微波ECRCVD方法制备的a-Si:H薄膜氢含量的影响
- 2005年
- 采用微波ECRCVD系统制备了aSi∶H薄膜,对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况,并通过红外光谱测试进行氢含量分析。aSi∶H薄膜中氢的引入对薄膜的光学、电学性能有着极大的影响,它可以钝化非晶硅薄膜中大量存在的悬挂键,降低薄膜的缺陷密度,从而显著提高薄膜稳定性。通过对沉积速率的研究发现,在有热丝辅助的情况下沉积速率明显提高,可达3nm/s。实验证明,高温的热丝提高了工作气体的分解率,从而提高了薄膜的沉积速率。此外,在有热丝辅助的条件下制备出薄膜样品比没有热丝辅助条件下制备出的薄膜样品的氢含量低而且稳定性有了较大的改进。
- 李瀛陈光华朱秀红胡跃辉宋雪梅
- 关键词：氢化非晶硅氢含量
- 热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
- 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
- 荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
- 关键词：非晶硅红外ECR-CVD氢含量热丝
- 文献传递
- 对数学物理方法中几个问题的讨论
- 数学物理方法课程教学中的几个常见而教材中又很少展开的问题,进行了较为深入的讨论,使学生准确掌握这些基本概念,为更好地学习后续课程和将来的实际应用起到积极的作用.
- 赵佩王晓辉朱秀红张睿智
- 关键词：高等教育教学改革
- 一种管件电磁场整形技术
- 本发明公开了一种管件电磁场整形技术及装置，其由两根工作杆通过支撑体在其一端活动连接，工作杆另一端内侧分别设置有相对的整形器线圈，将工作杆与整形器线圈相连的一端置于管件的压扁部位，在整形器线圈中通入持续电流或脉冲电流使其产...
- 郑茂盛朱杰武忽满利朱秀红马益平桑海峰
- 文献传递
- 微波ECR CVD法制备a-Si:H膜的氢含量研究
- 应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收...
- 李瀛刘毅阴生毅胡跃辉宋雪梅邓金祥朱秀红陈光华
- 关键词：氢化非晶硅氢含量
- 文献传递
- HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究被引量：13
- 2006年
- 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%—50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化体积分数.进一步的分析表明,在SiH4浓度较大时制备的薄膜,其结构以非晶-微晶的过渡相为主.薄膜易于晶化或生长为过渡相的主要原因是微波电子回旋共振使SiH4气体高度分解,等离子体高度电离.
- 刘国汉丁毅朱秀红陈光华贺德衍
- 关键词：氢化微晶硅薄膜拉曼散射X射线衍射
- MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究
- 2004年
- 通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σ d)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好.
- 高卓胡跃辉朱秀红马占杰周怀恩陈光华
- 关键词：氢化非晶硅薄膜光敏性
- 管件锤击式电磁整形技术
- 本发明公开了一种管件锤击式电磁整形技术及装置。其将待修复的管件竖直放置，设置有整形线圈的锥头和冲锤置于管件修复部位，脉冲电流通过整形线圈形成脉冲磁场，使锥头和冲锤之间产生排斥力，在排斥力作用下，冲锤向上运动，锥头向下运动...
- 郑茂盛朱杰武忽满利朱秀红马益平桑海峰
- 沉积条件对硅基薄膜非晶转微晶相变、沉积速率及其光电性能的影响(英文)
- 2012年
- 本文采用HWA-MWECR-CVD系统制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、反应压强以及微波功率对微晶硅薄膜非晶转微晶相变及其相关性能的影响。实验结果表明:当氢稀释比为94%、反应压强为1.5Pa以及微波功率为500W时,高质量的微晶硅薄膜可以被获得,如2.86*104的高光敏性,1nm左右的沉积速率以及8.9%的光致衰退速率等。
- 朱秀红陈光华郑茂盛
- 关键词：微晶硅薄膜相变沉积速率光电性能
- MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究
- 通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的关系;发现随着...
- 高卓胡跃辉朱秀红马占杰周怀恩陈光华
- 关键词：氢化非晶硅薄膜光敏性
- 文献传递
