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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇氧沉淀
  • 2篇硅单晶
  • 2篇
  • 2篇掺硼
  • 1篇直拉硅
  • 1篇缩颈
  • 1篇内吸杂
  • 1篇吸杂
  • 1篇

机构

  • 3篇浙江大学
  • 1篇波兰科学院

作者

  • 3篇李春龙
  • 2篇杨德仁
  • 2篇阙端麟
  • 2篇马向阳
  • 1篇沈益军
  • 1篇余学功
  • 1篇徐进

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇稀有金属

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2002
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
直拉重掺硼硅单晶中氧沉淀的研究
该文首先系统研究了重掺硼硅片在不同温度下的氧沉淀行为.结果表明,重掺B硅单晶能促进氧沉淀,而且这种效应在高温下表现尤为显著.随后,研究了重掺硼硅单晶内吸杂效应,主要包括单步高温热处理、随炉降温退火、传统高—低—高三步热处...
李春龙
关键词:氧沉淀内吸杂硅单晶
文献传递
直拉重掺硼硅单晶的研究进展被引量:3
2003年
系统介绍了直拉重掺硼 (B)硅单晶研究的最新进展。主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质 ,利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术 ,重掺B硅单晶的机械性能 ,重掺B硅单晶中的氧和氧沉淀 ,以及B的大量掺杂与大直径直拉硅单晶中空洞型 (Void)原生缺陷的控制关系。在此基础上 。
李春龙沈益军杨德仁马向阳余学功阙端麟
关键词:直拉硅缩颈
高压热处理对氧沉淀低温形核的影响被引量:2
2002年
研究了外加高压 (1GPa)下对 45 0℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响 .透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品 ,高压处理的样品会产生密度更高、尺寸更小的氧沉淀 ,表明高压有利于小直径氧沉淀的生成 .电学性能测试表明 ,高压下处理的样品其热施主生成浓度和生成速率远远高于常压下处理的样品 。
徐进杨德仁马向阳李春龙阙端麟A.Misiuk
关键词:氧沉淀
共1页<1>
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