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李联合

作品数：11 被引量：14H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家攀登计划更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 4篇分子束外延生...
  • 3篇量子阱激光器
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇发光
  • 2篇单量子阱
  • 2篇光电
  • 2篇光谱
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇NAS
  • 2篇镓
  • 2篇GA
  • 2篇波长
  • 2篇长波
  • 2篇长波长
  • 2篇GAAS
  • 1篇单量子阱激光...

机构

  • 11篇中国科学院
  • 2篇香港科技大学
  • 1篇北京邮电大学

作者

  • 11篇李联合
  • 10篇潘钟
  • 7篇林耀望
  • 4篇吴荣汉
  • 3篇张伟
  • 2篇王海
  • 2篇周增圻
  • 1篇韩和相
  • 1篇方再利
  • 1篇徐仲英
  • 1篇黄永清
  • 1篇江德生
  • 1篇罗向东
  • 1篇徐应强
  • 1篇曾美思
  • 1篇王建农
  • 1篇梁晓甘
  • 1篇葛维琨
  • 1篇杜云
  • 1篇任晓敏

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇第五届全国分...
  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇中国激光
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇展望21世纪...

年份

  • 3篇2002
  • 4篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAsGa基长波长(In)NAs材料系的分子束外延生长
潘钟李联合王海张伟林耀望周增圻
关键词：GAAS基长波长分子束外延生长
一种具有平顶陡边响应的新型谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析及模拟被引量：9
2002年
提出了一种适用于波分复用系统的具有平顶陡边响应的新型谐振腔增强型 (RCE)光电探测器结构 ,模拟得到了量子效率从峰值下降 0 5dB的线宽 1 8nm ,10dB的线宽 5 6nm ,2 0dB的线宽 10 4nm ,量子效率峰值99 7%,几乎没有凹陷的响应曲线。
钟源潘钟李联合黄永清任晓敏
关键词：谐振腔光电探测器
GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来
林耀望潘钟李联合
关键词：量子阱激光器禁带宽度
文献传递
GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究被引量：1
2001年
用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6～ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)
罗向东徐仲英潘钟李联合林耀望葛维琨
关键词：光荧光谱光跃迁单量子阱GAAS发光性质
GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱
2002年
研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 .发现 PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足 Varshni关系 ,而是呈现出反常的 S型温度依赖关系 .进一步测量 ,特别是在较低的激发光功率密度下 ,发现有两个不同来源的发光峰 ,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光 .随温度变化 ,这两个发光峰相对强度发生变化 ,造成主峰 (最强的峰 )的位置发生切换 ,从而导致表观上的 S型温度依赖关系 .
梁晓甘江德生边历峰潘钟李联合吴荣汉
关键词：光致发光谱氮化物
GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来被引量：2
2000年
ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料，在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分，既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料，也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的异质结构，其波长覆盖范围为０．９－Ｎ２．０μｍ．ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ 量子阱激光器的特征温度为 ２００ Ｋ，远大于现行 ＧａＩｎＮＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的特征温度（Ｔ０＝５０ Ｋ）． ＧａＩｎＮＡｓ光电子器件的此优异特性，对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特 别重要的意义．由于ＧａＩｎＮＡｓ和具有高反射率（高达９９％）ＡＩ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ的分布布拉格 反射镜（ＤＢＲ）可生长在同－ＧａＡｓ衬底上，因此它是长波长（１．３０和 １．５５ μｍ）垂直腔面 发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的理想材料．垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的 关键器件． ＧａＡｓ基的超高速集成电路（ＩＣ）已有相当成熟的工艺．如果 ＧａＩｎＮＡｓ－ＶＣＳＥＬ 与 ＧａＡｓ－ＩＣ相结合，将使光电集成电路（ＯＥＩＣ）开拓出崭新的局面．本文还报道我们课题 组研制高质量 ＧａＮＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和大应变
林耀望潘钟李联合张伟王学宇
关键词：GAINNASGAAS量子阱激光器半导体激光器
GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究被引量：1
2002年
在 1 5 K和 0～ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发光峰要小很多。当压力超过 2 .5 GPa后还观察到了与 Ga As中的 N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的 Ga As带边和 N等电子能级的压力行为计算了 Ga NAs发光峰随压力的变化 ,但计算结果与实验结果相差甚大 ,表明二能级模型并不完全适用。对观察到的 Ga NAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。
李国华方再利丁琨韩和相曾美思王建农葛惟锟潘钟李联合吴荣汉
关键词：光致发光
新型长波长Ga(In)NAs光电子材料及器件基础研究
该论文主要内容包括:(1)研究了各种生长参数对MBE外延生长GaNAs材料的影响,并获得了N组分和质量提高的一般规律.(2)由于拓展GaInNAs量子阱的发射波长是通过在高In组分GaInAs量子阱中掺N实现的,而高In...
李联合
关键词：快速热退火
分子束外延生长高应变单量子阱激光器(英文)被引量：1
2001年
采用分子束外延方法研究了高应变 In Ga As/Ga As量子阱的生长技术 .将 In Ga As/Ga As量子阱的室温光致发光波长拓展至 116 0 nm,其光致发光峰半峰宽只有 2 2 me V.研制出 112 0 nm室温连续工作的 In Ga As/Ga As单量子阱激光器 .对于 10 0 μm条宽和 80 0 μm腔长的激光器 ,最大线性输出功率达到 2 0 0 m W,斜率效率达到 0 .84m W/m A,最低阈值电流密度为 45 0 A/cm2 ,特征温度达到 90 K.
潘钟李联合徐应强杜云林耀望
关键词：INGAAS分子束外延生长量子阱激光器
高质量GaNAs合金的分子束外延生长
李联合潘钟王海林耀望周增圻吴荣汉
关键词：分子束外延生长
文献传递
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