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杨永顺
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南京大学物理学院固体物理研究所
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洪静芬
南京大学物理学院固体物理研究所
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1989
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通过界面的调制电流对LiNbO_3晶体分凝的影响
1989年
应用生长界面标记技术,标记不同调制电流密度通过固—液界面生长的区域,用离子探针测量各区域中溶质 Y 的相对浓度,得到在±7mAcm^(-2)的调制电流密度范围内,Y 的相对浓度与调制电流密度成正比。并研究了二个不同周期的交变的调制电流或一个给定周期的调制电流和一个温度波动同时引入生界面对溶质 Y 分凝影响,观察到二种不同周期的波动在生长界面耦合形成的复杂调制结构的生长层。
洪静芬
杨永顺
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铌酸锂
晶体生长
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