梁小燕
- 作品数：64 被引量：31H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术核科学技术更多>>
- 温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体及性能研究被引量：1
- 2012年
- 利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20～30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪(SEM/EDS)和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率。结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103、9.2×103/cm-2,比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级,红外透过率分别为61%、60%。Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ω.cm,而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ω.cm。晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀。
- 王东闵嘉华梁小燕孙孝翔刘伟伟李辉张继军王林军
- 关键词：碲锌镉红外透过率
- 检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的集成系统及其测试方法
- 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影...
- 梁小燕闵嘉华宋晓隆李士泽邱攀辉冯成杰谢忱徐闰张继军王林军沈悦
- 文献传递
- 碲锌镉表面钝化层深度剖析及钝化工艺优化
- 2020年
- 采用扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)、X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)和电流-电压(current-voltage,Ⅰ-Ⅴ)曲线等测试方法,分析了CdZnTe晶片两步溶液法钝化工艺参数对晶片的表面形貌、表面成分和电学性能的影响。研究发现,两步溶液法的最佳钝化时间为30 min,此时漏电流接近最小。CdZnTe钝化后经100℃、60 min的热处理,金相和SEM显示钝化层表面的形貌更为均匀致密,XPS深度剖析表明化学反应中间产物分解较为完全,TeO2含量增多,Ⅰ-Ⅴ测试显示热处理后漏电流减小较为明显,有效提高了探测器的性能。
- 张滢闵嘉华梁小燕刘兆鑫李明张继军张家轩张德龙沈悦王林军
- 关键词：碲锌镉钝化漏电流
- 金属催化剂作用下纳米ZnO生长(英文)被引量：1
- 2011年
- 在多孔Si上使用不同催化剂成功生长ZnO纳米结构。结果表明,Au作催化剂在Si衬底上得到末端呈六角形的ZnO纳米棒,Cu作催化剂在Si(100)和(111)分别上生长出带状和棒状纳米ZnO,Zn作催化剂在Si衬底上则获得ZnO纳米线。Zn催化制备的ZnO纳米线晶面间距为0.283nm,生长方向是[0110],具有结晶较好的六角纤锌矿晶体结构。比较了不同催化剂制备ZnO的光学性能,发现得到Zn催化制备的ZnO纳米线缺陷绿光峰最弱,因此Zn催化生长制备的纳米ZnO结构质量较好。空气中退火后,3种催化剂生长的纳米ZnO的缺陷发光峰位置不变,而强度变弱。
- 闵嘉华王斌梁小燕赵岳朱正辉胡思嫣
- 关键词：纳米ZNO金属催化剂光谱特性
- THM法生长CdZnTe晶体内Te夹杂与微沉淀转变机理的研究
- CdZnTe(CZT)晶体是一种性能优异的室温半导体辐射探测器材料，具有高的电阻率、禁带宽度大、平均原子序数高、吸收系数大的特点.CZT探测器在核辐射检测方面已经被广泛运用于安全检查，环境监测、天体物理以及医学影像等领域...
- 梁小燕闵嘉华张继军王林军秦凯丰沈悦
- 关键词：CDZNTETHM
- 双封套压缩生长碲锌镉晶体坩埚内自由空间的方法及装置
- 本发明涉及双封套压缩生长碲锌镉晶体坩埚内自由空间的方法及装置。属特殊晶体生长技术领域。本发明要点是：将满足Cd<Sub>1-x</Sub>Zn<Sub>x</Sub>Te(x=0.04～0.8)的纯度为99.99999%...
- 闵嘉华孙孝翔席韡刘伟伟滕嘉琪梁小燕张继军王东李辉
- 文献传递
- 碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹...
- 王处泽张继军闵嘉华薛瑶王林军梁小燕师好智黄健唐可凌立文
- 文献传递
- 碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的方法
- 本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法，属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：将化学计量配比满足Cd<Sub>1-x</Sub>Zn<Sub>x</Sub>Te(x=0.04～0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn...
- 闵嘉华王东梁小燕刘伟伟孙孝翔李辉孟利敏张继军王林军郭昀张涛滕家琪
- 文献传递
- PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷
- 2014年
- 详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间。利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是V2-Cd和A中心(In+Cd-V2-Cd)-。
- 滕家琪闵嘉华梁小燕周捷张涛时彬彬杨升曾李骄开
- 关键词：PICTSCDZNTE深能级
- 金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法
- 本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求，采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环，并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性，有效避免样品台面和电极...
- 梁小燕闵嘉华梁世金王坤元吴鹏飞陈沛钱奕明金程威赵书浩秦美琪张继军王林军师好智
