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汪连山

作品数:10 被引量:0H指数:0
供职机构:华中科技大学更多>>
相关领域:电气工程更多>>

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇氮化镓
  • 3篇氮化镓薄膜
  • 3篇电池
  • 3篇色光
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇面发射
  • 3篇纳米
  • 3篇硅衬底
  • 3篇衬底
  • 2篇氮化物
  • 2篇氮化物半导体
  • 2篇导体
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇欧姆接触电极
  • 2篇平板电极
  • 2篇吸收率
  • 2篇纳米图案
  • 2篇接触电极

机构

  • 10篇华中科技大学

作者

  • 10篇汪连山
  • 5篇戴科辉
  • 3篇刘胜
  • 3篇申志辉
  • 2篇黄德修
  • 1篇吕志勤

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅基单结氮化镓铟太阳能电池
本实用新型涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池,其结构是:由自下而上排列的背面电极(11)、n型掺杂的硅衬底(1)、氧化锌籽晶层(2)、氧化锌纳米阵列缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、n型掺杂的In<Sub>a</S...
汪连山申志辉刘胜
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面发射多色发光二极管及其制造方法
本发明是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管,其结构是:包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极,在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的n型...
汪连山戴科辉
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太阳能电池
本发明涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池,其由自下而上排列的背面电极(11)、硅衬底(1)、籽晶层(2)、缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、In<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1-a</Sub>N层(5)、非...
汪连山申志辉刘胜
太阳能电池
本发明涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池,其由自下而上排列的背面电极(11)、硅衬底(1)、籽晶层(2)、缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、In<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1-a</Sub>N层(5)、非...
汪连山申志辉刘胜
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面发射多色发光二极管
本实用新型是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管,其结构是:包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极,在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的...
汪连山戴科辉
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纳米图案p型氮化物半导体欧姆接触电极及其制备方法
本发明公开了一种纳米图案p型III族氮化物欧姆接触电极及制备方法。纳米图案导电层为蜂窝形膜层,形成于p型III族氮化物之上,导电覆盖层沉积在纳米图案导电层上,覆盖层沉积在纳米图案导电层的纳米微孔内的部分与p型III族氮化...
汪连山戴科辉黄德修
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一种LED防爆灯
本实用新型提供一种LED防爆灯,包括:壳体,其顶部设有插槽;与所述插槽相配合以与所述壳体连接的基板,所述基板具有面向壳体的第一表面和与第一表面相对的第二表面;设置在所述基板的第二表面上的至少一个电路板;设置在所述电路板上...
汪连山吕志勤吕强
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一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统
本实用新型提供一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统,包括:设置在测量密封室内、激发所述外延片产生光信号,并对所述光信号进行模数处理的测量子系统;通过所述光信号获得外延片光谱从而获得外延片压电场的分析控制子系统...
汪连山吕志勤
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纳米图案p型氮化物半导体欧姆接触电极及其制备方法
本发明公开了一种纳米图案p型III族氮化物欧姆接触电极及制备方法。纳米图案导电层为蜂窝形膜层,形成于p型III族氮化物之上,导电覆盖层沉积在纳米图案导电层上,覆盖层沉积在纳米图案导电层的纳米微孔内的部分与p型III族氮化...
汪连山戴科辉黄德修
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面发射多色发光二极管及其制造方法
本发明是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管,其结构是:包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极,在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的n型...
汪连山戴科辉
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共1页<1>
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