王传聪
- 作品数:5 被引量:1H指数:1
- 供职机构:临沂师范学院理学院更多>>
- 发文基金:山东省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术电气工程机械工程更多>>
- Pr和V掺杂的Bi_4Ti_3O_(12)铁电陶瓷的微结构及电性能
- 2007年
- 采用传统固相烧结法制备了Pr6O11和V2O5共同掺杂的Bi4Ti3O12铁电陶瓷。XRD分析表明,Pr6O11和少量V2O5的掺杂没有引起材料结构的改变。适当比例Pr6O11的掺杂会使材料的铁电性能有明显的改善,但其电输运特性明显不同于3价稀土离子的掺杂。实验表明,钒掺杂对材料铁电性能的影响主要体现在低电场下,不能简单地以氧空位的变化来解释。配比为Bi3.08Pr0.75Ti2.98V0.02O12的样品的电学性能稳定并且具有较大的剩余极化。
- 王传聪李道勇刘祖黎
- 关键词:无机非金属材料BI4TI3O12铁电性能微结构导电机制
- 具有复介电常量一维光子晶体的特性研究
- 2009年
- 借助传输矩阵法,数值模拟了具有实介电常量和复介电常量一维光子晶体的带隙结构,发现具有复介电常量一维光子晶体的带隙出现增益,并对此作出了Imεa-R,Imεa-λ的关系曲线.这对研究和设计二、三维光子晶体具有一定的指导意义.
- 宁学峰艾树涛樊三强王传聪
- 关键词:光子晶体光子带隙复介电常量增益
- W-Bi-Ti-O系陶瓷低场电学性能的温度特性被引量:1
- 2004年
- 采用通常的固相合成工艺制备了Bi2WTi3O12陶瓷.在低场(E<100 V/mm)T,随温度的升高,样品的电学性质先呈现金属行为,100℃后变为无规的电涨落,300℃后则表现为半导体特征下的非线性行为.这些现象不能用电传导的热激发Arrhenius规律来解释.XRD分析表明样品中存在Bi2WO6主晶相和Bi4Ti13O12次晶相.考虑到WO3的相变后可以简单的解释上述实验结果.
- 陈敏刘祖黎王传聪王豫羊新胜姚凯伦
- 关键词:电学性能温度特性
- 四方衬底上BST薄膜的相图及介电特性
- 2009年
- 基于相变的热力学理论,数值模拟了单畴BST薄膜在四方结构衬底上的相图,并讨论了其介电特性.研究表明,与立方衬底上的相图相比较,该种情况下的BST相图较为复杂,并有新的铁电相出现.另外,其介电特性的分析表明在相界点部分极化强度分量是不连续的.
- 王传聪宁学峰
- 关键词:相图介电特性
- 钛酸铋基铁电材料的掺杂改性研究
- 虽然对这种材料的三价离子的取代已经有很多的报道,但是用两种不同的掺杂物对这种材料进行掺杂的研究还不多见。这里,我们用传统的电子陶瓷工艺制备了,Pr6O11、 Nd2O3以及它们和V2O5共同掺杂的Bi4Ti3O12铁电陶...
- 王传聪
- 关键词:掺杂改性稀土元素铁电陶瓷