王惠娟
- 作品数：22 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
- 晶圆级植球印刷填充通孔的转接板结构及其制作方法
- 本发明涉及晶圆级植球印刷填充通孔的转接板结构及其制作方法。本发明公开了一种转接板结构，包括：垂直于该转接板表面的通孔；覆盖于该通孔的侧壁的至少一层绝缘层和一层金属层；嵌入于该通孔中的一个金属球或者金属球缺；覆盖于该通孔垂...
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- 硅基转接板上传输线的电学特性被引量：1
- 2013年
- 对硅基转接板上单层RDL(redistribution layer)和多层RDL传输线的损耗特性进行了深入的分析和比较。研究了硅的电阻率、传输线几何尺寸(包括线宽,线高和介质厚度等)对传输特性的影响,并总结了硅基上单层RDL和多层RDL传输线的不同传输规律。另外,提出了一种优化的叠层结构和差分信号线结构,大大改善了硅基上互连结构的传输性能。
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- 关键词：电阻率传输线插入损耗
- 制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法
- 本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大...
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- 一种三维硅基电容器的制作方法
- 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并...
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- 高密度Si基半导体电容器的性能及其制作
- 2010年
- 随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案。鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种板级集成封装中,采用Si MEMS工艺,在半导体表面深刻蚀三维(3D)图形以增大有效表面积,制作了一种高电容密度的半导体pn结退耦电容器,并分析研究了其主要制成工艺和性能。结果显示,所制作的电容器的电容密度达8～12nF/mm2,相比无表面三维刻蚀图形的半导体电容器电容密度增大了10倍以上,退耦频率范围为10kHz～3.2GHz,可用于中低频率较大范围内的退耦。
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- 关键词：ICP刻蚀
- 同轴硅通孔互连结构及其制造方法
- 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种同轴硅通孔互连结构。所述互连结构，包括：硅基片；硅通孔，贯穿硅基片；重掺杂层，位于硅通孔的侧壁；外导电连接构件，被重掺杂层围绕；至少一层绝缘层，被外导电连接构件围绕；至少一层内导...
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- 用于射频集成的高Q硅基电感的优化设计被引量：4
- 2015年
- 采用理论分析与电磁仿真结合的方法,对硅上多层金属构成的螺旋电感进行电性能研究,优化并获得一种适用于射频电路集成的硅基射频高Q电感。对于影响电感Q值的多种损耗机制,重点研究了趋肤效应对电感的影响。并通过结构参数及金属层叠优化后,硅上电感的Q值可以达到60以上,自谐振频率可以达到10 GHz以上,可以较好地应用于射频系统中的滤波选频及匹配等网络。
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- 关键词：趋肤效应电磁仿真
- 一种制作利用硅通孔构成的三维硅基无源电路的方法
- 本发明公开了一种制作利用硅通孔构成的三维硅基无源电路的方法，该方法包括：在减薄后的硅片上形成介质层；在硅片上大面积刻蚀出深的硅通孔；在硅片中部的电容区域进行离子扩散，形成PN结；将用于制作硅通孔的孔二次刻蚀至贯通，并在贯...
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- 文献传递
- 一种制作利用硅通孔构成的三维硅基无源电路的方法
- 本发明公开了一种制作利用硅通孔构成的三维硅基无源电路的方法，该方法包括：在减薄后的硅片上形成介质层；在硅片上大面积刻蚀出深的硅通孔；在硅片中部的电容区域进行离子扩散，形成PN结；将用于制作硅通孔的孔二次刻蚀至贯通，并在贯...
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- 同轴硅通孔互连结构及其制造方法
- 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种同轴硅通孔互连结构。所述互连结构包括：硅基片；硅通孔，贯穿硅基片；重掺杂层，位于硅通孔的侧壁；外导电连接构件，被重掺杂层围绕；至少一层绝缘层，被外导电连接构件围绕；至少一层内导电...
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- 文献传递
