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王永瑜

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：西北大学物理学系更多>>
相关领域：电子电信自然科学总论化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 2篇SI
  • 2篇TI
  • 1篇电路
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇离子轰击
  • 1篇离子束
  • 1篇离子注入
  • 1篇金属
  • 1篇空穴
  • 1篇快速热退火
  • 1篇化物
  • 1篇激光
  • 1篇激光辐照
  • 1篇集成电路
  • 1篇光辐照
  • 1篇硅化物
  • 1篇过渡金属
  • 1篇轰击
  • 1篇辐照

机构

  • 5篇西北大学

作者

  • 5篇王永瑜
  • 1篇李兴凯
  • 1篇董秘刚

传媒

  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇山西师范大学...
  • 1篇感光材料
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1989
  • 1篇1988
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
MeV离子注入及其应用
1990年
<正> 回顾MeV离子注入的发展,可分为三个时期: 1.60年代 (1)首先是核物理学家将~3He离子注入Al[1],而固体物理学家将He离子注入不同半导体研制二极管[2];(2)接着Roosild(1968)[3]和Davies(1969)[4]研究了MeV注入Si的射程分布和电特性。
王永瑜
关键词：MEV离子注入离子注入半导体
激光辐照NTD—Si形成P—N结的研究
1993年
本文扼要阐述了用CO_2辖续激光辐照NTD—St生成P—N结的具体过程与条件并根据实际数据对其生成机理作了合理分析。
王永瑜徐克服董秘刚
关键词：辐照掺杂
N^+离子轰击对过渡金属Nb,Mo,Ti与Si接触界面的影响
1989年
为了适应超大规模集成电路Si太阳电池和超导的需要,作者用■ES和I-V特性研究了N^+离子轰击对Si衬底上Nb,M0或Ti溥膜的深度分布和电学性质的影响。
王永瑜李兴凯薛兵李保春蒲鸿斌
关键词：过渡金属离子轰击
N[*＋*]离子束轰击和快速热退火感生Ti／Si界面反应研究
李兴凯王永瑜
关键词：离子束大规模集成电路硅化物退火半导体-金属界面
静电摄影用新型α-SiC:H感光体
1991年
1.前言1987年出现的α-SiC:H感光体与80年代初出现的α-Si:H感光体相比,具有在可见光区光敏性高、表面硬度大、热稳定好、无毒;而且还具有电阻率高、易于保存表面电荷、淀积率高、成膜速度快(10μm/小时)等优点。因此,它不仅作为感光体的表面保护层(SPL),而且。
王永瑜
关键词：感光材料
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共1页<1>
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