王福
- 作品数：11 被引量：32H指数：4
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- 相关领域：化学工程一般工业技术理学兵器科学与技术更多>>
- 氧化石墨烯/氧化铕复合粉体的制备及性能研究被引量：6
- 2017年
- 以氧化石墨烯和氧化铕为原材料,利用水热法合成了氧化石墨烯/氧化铕复合粉体。对不同氧化石墨烯加入量的复合粉体采用扫描电镜、差热分析、荧光分析等测试方法对其进行表征。结果表明:利用水热合成的方法成功制备了氧化石墨烯/氧化铕复合粉体;氧化铕包裹在氧化石墨烯表面,阻止了氧化石墨烯表面部分官能团的分解,复合粉体的稳定性较好;由荧光激发光谱可知复合粉体的荧光激发波长为435 nm;由荧光发射光谱可知,随着氧化石墨烯的质量分数从6%增大到10%时,复合粉体的荧光强度依次增强。
- 赵存树王福郝斌
- 关键词：氧化石墨烯氧化铕水热法荧光
- 采用造粒原料燃烧合成Si_3N_4粉体
- 2016年
- 通过将Si/Si_3N_4原料造粒,采用燃烧合成工艺在较低氮气压力下(2.0 MPa)合成了Si_3N_4粉体。研究了原料造粒对原料孔隙率及燃烧合成反应过程的影响。实验结果表明:原料造粒后燃烧合成通过两步反应完成,通过调整DS/DL(造粒原料最小粒径与最大粒径的比值)可以控制原料坯体的孔隙率和燃烧合成温度及速度,进而提高装料量及氮化率。
- 王福杨建辉李江涛
- 关键词：燃烧合成孔隙率
- 微波烧结制备碳化硅晶须的影响因素被引量：8
- 2013年
- 将干燥后的硅溶胶-活性炭作为反应物,在不加入任何金属催化剂的情况下,利用微波加热碳热还原法合成碳化硅晶须,研究反应温度和时间及坩埚部位对产物的影响。结果表明:30 min时,温度由1300℃升高到1600℃,产物中物相β-SiC越来越多;1500℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和团聚在一起的SiC晶须;坩埚底部的产物主要为表面光滑的SiO2颗粒。1600℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和等轴状β-SiC颗粒,底部为晶须和颗粒的混合物。1500℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率优于1600℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率。
- 郝斌刘剑刘进强王福
- 关键词：微波烧结温度碳化硅晶须
- 以燃烧合成的Si_3N_4粉体无压烧结氮化硅陶瓷套管被引量：3
- 2012年
- 使用燃烧合成的β-Si3N4粉体做原料,以MgO-CeO2体系为添加剂,通过无压烧结工艺制备了氮化硅陶瓷套管。研究了原料起始粒度、升温制度对产物相对密度的影响,并探讨了烧结产物的性能特征和使用状况。研究结果表明,原料起始粒度为1.02μm时烧结产物的相对密度达到最大值。采用多段烧结制度,不但可以提高产物的致密化程度,而且可以提高氮化硅陶瓷的高温机械性能。分段烧结保证了产物中棒状Si3N4颗粒的生长条件,并提高材料的韧性性能。优化配方后烧结的氮化硅陶瓷套管,在多次浸渍高温铝液后不开裂,适用于炼铝用的保护套管。
- 徐锦标王福
- 关键词：氮化硅无压烧结
- 微波合成制备碳化硅及其性能研究
- 郝斌王福刘进强刘艳娟刘大成郁建元
- 以活性碳-硅溶胶混合物为原料，采用微波加热制备SiC晶须。当反应温度为1300-1400C时，只有少量的SiC生成；当反应温度升高到1500C，反应产物主要物相为SiC和少量的方石英；在1500C下反应60min有利于晶...
- 关键词：
- 关键词：碳化硅微波合成
- 碳热还原法制备SiC的动力学分析被引量：5
- 2012年
- 主要分析了碳热还原法制备碳化硅的动力学。通过动力学分析,计算了Si-C反应的动力学参数,估算了不同粒径的反应物在不同温度下完全转化为SiC所需的时间。结果表明,反应物粒径为1μm时,在1900K左右,反应完成的时间只要将近1h。
- 郝斌刘进强王福
- 关键词：碳热还原法SIC动力学分析
- 一种镍基合金表面高温固体自润滑耐磨涂层结构
- 一种镍基合金表面高温固体自润滑耐磨涂层结构，包括镍基合金基体、粘结层、第一复合梯度层、第二复合梯度层和第三复合梯度层；其中粘结层为NiCr合金，第一复合梯度层、第二复合梯度层和第三复合梯度层都含有NiCr合金、硬质相和润...
- 曹玉霞孙景卫陈瑞军刘进强刘剑郝斌王福
- 文献传递
- 一种具有双路送粉结构的超音速火焰喷涂枪
- 一种具有双路送粉结构的超音速火焰喷涂枪，包括水平布置的枪管和竖直布置的枪座，枪座位于枪管后方；其中，枪座下部设置有氧气入口和燃料入口，枪座中部设置有燃烧室，氧气入口和燃料入口与燃烧室连通，燃烧室上方设置有锥形喷嘴；枪座后...
- 郝斌曹玉霞赵文武郁建元孙景卫黄雁王福
- 文献传递
- 碳热还原法制备SiC的热力学分析被引量：2
- 2016年
- 对碳热还原法制备SiC进行了热力学分析。通过热力学计算,分析了CO分压、SiO_2和C颗粒的粒度及其混合的均匀性对制备SiC反应的影响。结果表明:一定温度下降低CO的分压能有效增大反应生成SiC的热力学趋势;对碳热还原反应而言,SiO_2颗粒和C颗粒的混合均匀性及其各自的粒度非常重要;通过控制温度和调整CO气体的分压,可以控制生成SiC的微观形貌。
- 王福李艾郝玉翠郝斌
- 关键词：碳热还原SIC热力学分析
- 微波烧结制备碳化硅的影响因素被引量：4
- 2013年
- 实验主要是将焦炭和石英砂作为反应物,利用微波加热的方法合成了粒度不同的碳化硅粉体,研究了反应温度1300～1600℃、时间15～60 min和焦炭粒度对产物碳化硅物相、产率和粒径的影响。结果表明:在1600℃×30 min时,可以制备SiC微粉,产物中SiC的含量达到98.1%;通过控制焦炭颗粒的尺寸,可以得到平均粒径D50为8.6μm和156.9μm的SiC粉体。
- 郝斌刘剑刘进强王福
- 关键词：反应温度微波烧结碳化硅
