王馨梅
- 作品数：59 被引量：60H指数：5
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 超快脉冲功率开关器件及自激励皮秒量级功率脉冲发生器
- 本发明公开了一种超快脉冲功率开关器件，包括半绝缘超快半导体材料、空气隙、传输线和同轴端子依次连接构成。本发明还公开了一种自激励皮秒量级功率脉冲发生器，由高压直流电源与电阻、电容依次串联构成回路，高压直流电源的负极接地；超...
- 施卫王馨梅侯磊徐鸣刘峥
- 文献传递
- 一种激光焦点寻找装置
- 本实用新型公开了一种激光焦点寻找装置，包括依次连接的人机交互界面、微控制器、步进电机驱动器，步进电机驱动器连接电动升降台，电动升降台上连接电动旋转台，电动旋转台上连接金属靶材，金属靶材上设置光电传感器，光电传感器连接AD...
- 郑泽彬王馨梅范樱宝赖明玮魏锦禹高田芝刘旭阳吴慎将
- 文献传递
- 基于光吸收的漂白效应实现全光逻辑与运算的方法
- 本发明公开了一种基于光吸收的漂白效应实现全光逻辑与运算的方法，步骤包括：利用入射的光束A和光束B分别作为光逻辑与运算的输入信号照射到半导体晶体，在半导体晶体出射方向设置有接收器，透射光C作为输出信号被接收器探测得到，如果...
- 王馨梅闫延辉纪卫莉张琳张苗苗
- 文献传递
- 低功率自适应曲面激光除锈装置及除锈方法
- 本发明公开了一种低功率自适应曲面激光除锈装置，包括三维电动位移台，三维电动位移台上安装有激光器，激光器的一侧从上至下分别设有宽禁带紫外传感器和双目摄像头，三维电动位移台连接有微控制器。本发明还公开了一种低功率自适应曲面激...
- 王雨王晟鑫沙琦亮王馨梅季瑞瑞陶智洋荣旭贠爱爱侯楚轲董畅然王灵韵
- 基于LS-SIMD的奇偶比较交换排序算法
- 2004年
- 研究并实现了在LS-SIMD计算机上基于奇偶比较方法的按行或按列数据并行排序算法,并对算法的计算复杂性和通信复杂性进行了分析。该研究对于扩展LS SIMD计算机在非数值计算方面的应用有着十分重要的实际意义。
- 王馨梅张翔张发存崔杜武
- 关键词：SIMD
- 半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究被引量：3
- 2009年
- 利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要原因.对光激发电荷畴的形成和吸收过程的进一步研究表明:1)形成过程中的光激发电荷畴增强了电子的浓度梯度;2)光激发电荷畴在被阳极吸收的过程中,光电导开关偏置电压的快速下降能促进电流上升速度.光激发电荷畴的形成和吸收两大过程共同作用下,形成了电脉冲的超快上升特性.
- 施卫屈光辉王馨梅
- 关键词：光电导开关上升时间
- 一种单元随机分布的全介质多带太赫兹超材料吸收器
- 本发明公开了一种单元随机分布的全介质多带太赫兹超材料吸收器，包括衬底层和结构层，衬底层和结构层为一体的高掺杂硅材料，结构层上均匀划分有若干网格，网格内均设置有若干刻蚀单元。具有能够在不同单元排布下保持稳定的吸收光谱特性，...
- 王玥崔子健岳莉莎朱永强姚楠李存霞王馨梅
- 外加偏置电场下类金刚石薄膜激光损伤形貌被引量：2
- 2012年
- 使用非平衡测控溅射技术沉积了类金刚石薄膜,对比了外加偏置电场前后薄膜的抗激光损伤表面形貌变化,发现薄膜施加偏置电场后,薄膜的激光损伤区域内有大量丝状薄膜,损伤形貌存在明显不同,损伤面积减小,薄膜的激光损伤情况得到改善。这表明外加偏置电场对薄膜的损伤有影响,激光在薄膜中激励产生的光生电子在电场作用下产生快速漂移,间接降低了激光辐照区域内的局部能量密度,减缓了薄膜的石墨化,提高了薄膜的抗激光损伤能力。
- 吴慎将苏俊宏施卫王馨梅徐均琪
- 关键词：类金刚石薄膜激光损伤损伤形貌
- 基于FPGA的EBNNS矢量量化码字搜索算法的电路设计被引量：5
- 2007年
- 等和值块扩展最近邻搜索算法(EBNNS)是一种快速矢量量化码字搜索算法,该算法首先将码书按和值大小排序分块,编码时查找与输入矢量和值距离最近的码书块中间码字,并将它作为初始匹配码字.然后在该码字附近上下扩展搜索相邻码字中距输入矢量最近的码字,最后将搜索到的最匹配码字在码书中的地址输出.同时本文对该算法进行了FPGA设计.设计时采用串并结合和流水线结构,折中考虑了硬件面积和速度.结果表明针对所用FPGA器件Xilinxxc2v1000,整个系统最大时钟频率可达88.36MHz,图像处理速度约为2.2MPixel/s.
- 王冬芳余宁梅王馨梅张如亮
- 关键词：矢量量化快速搜索FPGA
- 非线性光电导开关载流子碰撞电离分析被引量：1
- 2008年
- 对非线性GaAs光电导开关在锁定期间的电流成丝现象、具有负微分迁移率的速场特性、深能级的陷阱效应、光子的再吸收等因素进行分析,建立了非线性光电导开关锁定期间的连续性方程和电中性方程.基于该方程组,用有限差分法计算了偏压为2200V的3.5mmGaAs:EL2非线性光电导开关的电流实验数据,得到电流丝内载流子瞬态特性为:载流子浓度约为1017cm-3,EL2电子陷阱近似饱和;电子电流随锁定时间明显下降,空穴电流基本不变;单位寿命时间载流子雪崩倍增因子的均值约为1.2,其统计起伏随锁定时间增大.
- 王馨梅施卫屈光辉侯磊
- 关键词：光电半导体开关砷化镓碰撞电离
