程佩红
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：浙江师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 基于自组装金属纳米晶MOS电容存储效应及其机理的研究
- 相对于传统的FLASH存储器而言，基于纳米晶(NCs)的非易失性存储器(NVM)因其离散俘获陷阱中心存储行为及对局部氧化层缺陷具有极大的免疫能力而被广泛研究，是新一代非易失存储器的最佳候选者。由于半导体纳米晶存储器很难控...
- 程佩红
- 关键词：磁控溅射
- Ta_2O_5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究
- 2011年
- 用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理。用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观测到了C-V和(G/ω)-V的频散效应。认为串联电阻、Si/Ta2O5界面的界面态密度、边缘俘获是频散效应的主要原因,提取了界面态密度和边缘俘获电荷的大小。同时也研究了不同的退火温度对这些参数以及漏电流的影响,经600℃退火后,样品的电容最大,俘获电荷密度和漏电流最小,器件的电学性能最佳。
- 陈勇跃程佩红黄仕华
- 关键词：射频磁控溅射C-V特性退火高介电常数
- 金属纳米晶存储器存储特性的模拟
- 2011年
- 采用一个简单的电学瞬态模型,在理论上模拟Pt、Au、Ni、Al金属纳米晶器件的数据保持、读入和擦除过程。在这个模型中,考虑量子限制效应、库仑阻塞效应、Si衬底表面势以及热激发效应的影响。随着纳米晶直径的增大,隧穿氧化层厚度的增大,保持时间会增大。反之随着栅极电压的增大,隧穿氧化层厚度的减小,读入时间和擦除时间都会减小。在擦除过程中,当外加的反向偏压的绝对值减少到一定值的时候,擦除时间会急剧增大,这是因为需要通过热激发参与才能完成隧穿。对于不同的金属材料,由于它们的功函数不同,保持能力、读入速度和擦除速度相差较大。Pt纳米晶存储器的数据保持能力最强,而Al纳米晶存储器的读入速度和擦除速度较快。
- 王蓓程佩红黄仕华
- 关键词：量子限制效应热激发
- 基于镍纳米晶的MOS结构存储效应及机理研究
- 程佩红黄仕华
- 关键词：NI纳米晶C-V磁控溅射
- Ge/Si量子阱结构的C-V特性的模拟被引量：1
- 2008年
- 采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布,并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性.C-V曲线上电容平台的存在是量子阱结构C-V特性的显著特征,它与量子阱结构参数有密切的关系.随着覆盖层厚度的减小,C-V曲线上平台起始点的电容值增加,并且向低电压方向移动直至其消失.随着量子阱中的掺杂浓度提高,阱中的载流子浓度也会相应增加,那就需要更高的外加电压才能耗尽阱中的载流子,因此平台宽度也就随着掺杂浓度的增加而增加.当覆盖层厚度增加时,由于电压的分压作用,使得降在量子阱上的分压相应减少,因此需要更大的外加偏压才能使阱中载流子浓度全部耗尽,这就使平台的宽度增大.同样地,当覆盖层掺杂浓度增加时,覆盖层中更多的载流子转移到阱内,也就需要更高的外加偏压才能使阱中载流子全部耗尽,平台的宽度也就随之增大.
- 程佩红黄仕华
- 关键词：迭代法
