范玉殿
- 作品数：31 被引量：71H指数：3
- 供职机构：清华大学材料科学与工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 复合电磁磁控溅射靶及其镀膜方法
- 1992年
- 范玉殿马志龙孙培芬尤引娟
- 关键词：磁控溅射靶镀膜溅射
- Al_2O_3陶瓷基片沉积钼膜的织构研究被引量：1
- 1994年
- 采用蒸镀、离子束辅助沉积（IBAD）技术，在Al2O3（单晶、多晶）和玻璃基片上沉积钼膜，通过XRD，TEM等分析手段对于钼膜的织构及其产生机理进行了探讨。结果表明：在单晶和多晶A2O3以及非晶态玻璃基片上蒸镀的钼膜均存在强（110）织构。对于IBAD薄膜，随着氩离子轰击能量的增加，（110）织构向（200）织构转变。膜内应力计算及TEM观察结果证实，钼膜发生了塑性流变，而且塑性流变具有不均匀性。塑性流变的结果使得钼膜产生了（110）织构。
- 何向军陶琨范玉殿
- 关键词：织构离子束辅助沉积陶瓷基片氧化铝
- 平面磁控溅射靶及其镀膜方法
- 一种平面磁控溅射靶装置，至少包含有两个电磁铁，靶板由多块异种材料拼砌而成。通过调节各个电磁铁的励磁电流的相对比值，使靶板内表面跑道磁场的各个区段的磁场强度的相对比值发生变化，从而实现所镀制的合金膜成份在一定范围内的连续调...
- 范玉殿
- 文献传递
- 复合电磁磁控溅射靶
- 1989年
- 复合电磁靶是由两个电磁铁分别产生两个圆环状跑道磁场的新型磁控靶。两个跑道磁场的水平磁场均可连续调节，对应两个跑道磁场分别安装Ａ和Ｂ两种纯金属靶材，即可镀制合金膜。调节两个跑道磁场的场强对比，即可实现膜层的成分调节。复合电磁靶可以溅射７ｍｍ厚的铁靶。复合电磁靶的应用实例是镀制二元合金系统的变成分合金膜。
- 范玉殿马志龙孙培芬尤引娟
- 复合磁控溅射靶及其镀膜方法
- 一种磁控溅射靶装置，由至少两个可调场强的电磁单元拼装而成，这些单元共用一个阴极靶板和溅射电源，各个单元的靶面场强可以通过各自的电磁铁分别加以调节，从而实现各单元的功率分别调节，各个单元可以单独使用或同时使用，当各个单元分...
- 范玉殿
- 文献传递
- 复合磁控溅射靶及其镀膜方法
- 一种磁控溅射靶装置，由至少两个可调场强的电磁单元拼装而成。这些单元共用一个阴极靶板和溅射电源。各个单元的靶面场强可以通过各自的电磁铁分别加以调节，从而实现各单元的功率分别调节。各个单元可以单独使用或同时使用。当各个单元分...
- 范玉殿
- 文献传递
- ICB方法外延CdTe单晶薄膜
- 1991年
- 用ICB外延技术在NaCl解理面和(100)GaAs衬底上外延的CdTe单晶薄膜,以透射电子衍射及RHEED分析,都表明获得了好的单晶结构及平滑膜面。外延取向关系为:GdTe(100)//NaCl(100);当衬底预处理温度为480℃时,CdTe(100)//GaAs(100);当预处理温度为580℃时,CdTe(100)+(111)//GaAs(100)。实验发现,当坩埚内CdTe蒸气压足够高时,薄膜生长体现出团粒束淀积所特有的规律,即随着团粒能量的增大,CdTe外延膜的结构质量显著改善。在CaAs衬底上外延所得的最好的CdTe膜,其双晶衍射摆动曲线半高宽为630arc,
- 汤海鹏冯嘉猷范玉殿李恒德
- 关键词：CDTE薄膜生长蒸气压外延膜
- 平面磁控溅射法制备Co/Al多层膜的结构与磁性
- 1991年
- 本文用平面磁控溅射法制备了两个系列的Co/AI多层膜,并研究了这些多层膜的结构和磁性随Co层厚度(dCo)或AI层厚度(dAI)的变化关系。其结构主要是Co层表现出hcp结构的(002)织构和AI层表现出fcc结构的(111)织构。当dAI=24?而dCo在7～140?范围内变化时,试样的饱和磁化强度随dCo的减小而下降;当dCo=98?,而dAI在6～168?范围内变化时,试样的饱和磁化强度不随dAI的变化而变化;矫顽力随dCo或dAI变化呈现出先降后升的变化关系。本文对结果进行了分析,并给出了合理的解释。
- 王剑峰崔福斋范玉殿
- 关键词：磁控溅射法饱和磁化强度磁各向异性
- 薄膜应力的研究被引量：5
- 1993年
- 本文首先简述了薄膜应力研究的发展过程,并指出了薄膜应力在薄膜研究与生产中的普遍性和重要性。薄膜应力研究的基本问题包括应力的测量、应力产生的机制、应力的控制和应力的作用。应力与薄膜结构、性能之间存在着相互影响的复杂关系。在综述前人研究工作的基础上,本文还简要介绍了Co—Cr合金膜和Gd-Fe合金膜的应力研究结果。
- 范玉殿周志烽
- 关键词：薄膜物理学应力
- 离化团束方法在GaAs衬底上外延CdTe单晶薄膜被引量：1
- 1991年
- 利用离化团束外延(ICBE)技术在GaAs(100)衬底上生长了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层.X光衍射和 RHEED分析结果表明外延层为单晶薄膜,双晶衍射摆动曲线半高宽达630弧秒.本文研究了离化团能量和生长温度对外延层晶向和质量的关系。结果表明,当预热处理温度为480℃,外延取向关系为CdTe(100)//GaAs(100);当预热处理为580℃,外延取向关系为 CdTe(100)+(111)//GaAs(100).离化团束的能量对外延膜的结晶性能起着重要作用.
- 冯嘉猷汤海鹏朱洪林范玉殿李恒德
- 关键词：CDTE薄膜GAAS
