许留洋
- 作品数：16 被引量：55H指数：5
- 供职机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- GaAs半导体表面的等离子氮钝化特性研究被引量：4
- 2016年
- 采用射频(RF)等离子方法,对Ga As样品进行了150 W高功率等离子氮钝化及快速退火处理。经过该方法钝化后的样品,光致发光(PL)强度上升了91%。XPS分析得出,Ga As样品表面的氮化效果随着氮等离子体功率的增加而逐渐趋于明显。氮化后的样品表面未发现氧化物残余。样品在空气中加热放置30 d,PL强度下降不明显,说明表面钝化层具有良好的稳定性。
- 许留洋高欣袁绪泽夏晓宇曹曦文乔忠良薄报学
- 关键词：等离子XPSPLGAAS
- 976nm 10W半导体激光器封装与耦合被引量：2
- 2014年
- 光纤激光器在国外已经被广泛接受和使用,对相应的泵浦源976nm高功率半导体激光器光纤耦合模块提出了高可靠性的迫切要求。焊接质量直接影响着大功率半导体激光器的可靠性,焊接效果不好会直接导致激光器迅速退化。本文分析了半导体激光器封装热特性,采用Ansys软件对封装结构热特性进行模拟,通过实验与模拟结果对比分析,优化烧结工艺,获得了比较满意的焊装效果;通过理论分析得到高功率半导体激光器的单管耦合方案,最终得到耦合效率为90%的光纤耦合模块。
- 王志源孙海东许留洋周泽鹏薄报学高欣
- 关键词：高功率半导体激光器应力分析
- 电注入椭圆微腔半导体激光器热特性分析被引量：2
- 2016年
- 对长轴为12μm、短轴为10μm并在长轴处直连2μm宽输出波导的椭圆微盘激光器的热特性进行了实验和理论分析。测量连续电流注入微腔激光器的稳态特性,根据其波长红移计算器件热阻为ZT=0.846 K/m W。用有限元分析法计算椭圆微腔的热阻,理论与实验结果相吻合,热阻的最大偏差为5%。研究了微腔激光器衬底厚度对微腔有源区温度的影响,通过引入侧向散热机制有效改善了微腔激光器的热特性。
- 陆日许留洋高欣黄永箴肖金龙薄报学
- 关键词：激光器半导体激光器微腔热阻
- 高亮度小芯径半导体激光器光纤耦合设计被引量：4
- 2017年
- 为了获得高亮度的半导体激光器,采取6只单管半导体激光器芯片进行等光程排列,波长为940nm,芯片腔长3.5mm,发光区尺寸1μm×30μm,快轴发散角30°,慢轴发散角10°,功率为6W。设计光学系统,使合束光束BPP_(laser)
- 曹曦文高欣许留洋夏晓宇乔忠良王宪涛薄报学
- 关键词：半导体激光器高亮度ZEMAX
- 高功率半导体激光器腔面钝化及器件特性研究
- 随着技术的不断进步，高功率半导体激光器材料、工艺、封装水平得到快速提高，已逐步进入激光泵浦、材料处理/加工、医疗及国防应用领域。对半导体激光器应用领域的不断扩展，特别是高功率光纤激光器泵浦、激光切割、3D成型方面的应用，...
- 许留洋
- 关键词：半导体激光器磁控溅射
- 基于ZEMAX高功率半导体激光器光纤耦合设计被引量：11
- 2013年
- 随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将12只波长为808 nm、输出功率为10 W的单管半导体激光器通过合束方法高效率耦合进光纤。耦合光纤芯径为150μm、数值孔径为0.22,光纤输出功率为116.2 W,耦合效率为96.8%。
- 周泽鹏薄报学高欣王文许留洋王云华周路
- 关键词：半导体激光器ZEMAX高功率光纤耦合
- GaAs半导体表面的S-N混合等离子体钝化及在激光器工艺上的应用被引量：1
- 2017年
- 利用射频(RF)等离子方法,对GaAs半导体表面进行了S-N混合等离子体钝化实验,并对工作压强、RF功率进行了优化。光致发光(PL)测试结果表明,经过S-N混合等离子体钝化的GaAs样品PL强度提高135%。将本文钝化方法应用到980nm波长InGaAs应变量子阱(QW)激光器的制备工艺,器件的COD阈值功率明显增加。
- 许留洋高欣袁绪泽夏晓宇曹曦文乔忠良薄报学
- 关键词：GAASCOD钝化
- 溅射ZnO薄膜钝化GaAs表面性能的研究被引量：5
- 2013年
- 为了改善GaAs(110)与自身氧化物界面由于高表面态密度而引起的费米能级钉扎(pinning)问题,提出采用射频磁控溅射技术在GaAs(110)衬底上沉积一定厚度ZnO薄膜作为钝化层,并利用光致发光(PL)光谱和X射线光电子能谱(XPS)等方法对ZnO薄膜的光学特性及钝化性能进行表征。实验结果表明,经ZnO薄膜钝化后的GaAs样品,其本征PL峰强度提高112.5%,杂质峰强度下降82.4%。XPS光谱分析表明,Ga和As原子的比值从1.47降低到0.94,ZnO钝化层能够抑制Ga和As的氧化物形成。因此,在GaAs表面沉积ZnO薄膜是一种可行的GaAs表面钝化方法。
- 王云华高欣周路许留洋乔忠良薄报学
- 关键词：GAAS钝化ZNO薄膜
- 射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性被引量：1
- 2016年
- 采用射频等离子方法,对Ga As(100)衬底片表面进行干法硫等离子体钝化,旨在得到性能稳定含硫钝化层。样品经过360℃温度条件下的快速热退火,光致发光(PL)测试表明,钝化后的样品PL强度上升了71%。同时,钝化样品的稳定性测试结果表明,样品放置在实验室空气中30 d,其PL强度未出现明显变化,说明Ga As的等离子体干法硫钝化具有较好的性能稳定性。
- 许留洋高欣袁绪泽夏晓宇曹曦文乔忠良薄报学
- 关键词：射频等离子体光致发光钝化GAAS
- 基于腔面非注入区的半导体激光器的热特性分析被引量：6
- 2014年
- 利用Ansys有限元分析软件模拟了宽条形激光器腔面在不同生热率条件下对有源区温度的影响,并对带有腔面非注入区的激光器结构进行了热分析,比较了不同长度的非注入区结构的器件的温度特性。腔面的温升对器件可靠性影响极大,计算结果表明随着非注入区宽度的增加,芯片前腔面有源区的温度明显降低。结果为采用非注入区结构提高COD阈值功率提供了设计参考。
- 王胜楠薄报学许留洋杜洋乔忠良高欣
- 关键词：半导体激光器ANSYSCOD
