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郭万武

作品数：29 被引量：3H指数：1
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 21篇电池
  • 18篇太阳电池
  • 15篇异质结
  • 14篇异质结太阳电...
  • 12篇发射极
  • 11篇电极
  • 9篇硅薄膜
  • 8篇衬底
  • 7篇载流子
  • 7篇体硅
  • 7篇晶体硅
  • 6篇硅衬底
  • 5篇导电薄膜
  • 5篇透明导电
  • 5篇背电极
  • 5篇掺杂
  • 4篇电流
  • 4篇透明导电薄膜
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米棒

机构

  • 28篇常州天合光能...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 29篇郭万武
  • 16篇包健
  • 4篇罗彬
  • 4篇王栋良
  • 3篇邓伟伟
  • 3篇陈奕峰
  • 3篇余冬冬
  • 2篇陆中丹
  • 2篇舒欣
  • 1篇刘正新
  • 1篇刘丰珍
  • 1篇张丽平
  • 1篇刘金龙
  • 1篇周玉琴
  • 1篇孟凡英
  • 1篇朱美芳
  • 1篇陈达明
  • 1篇冯志强
  • 1篇董建文
  • 1篇杨同春

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇第十一届中国...

年份

  • 4篇2017
  • 6篇2016
  • 6篇2015
  • 7篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2010
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
背接触异质结太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种背接触异质结太阳电池及其制备方法，背接触异质结太阳电池包括硅片基体层，硅片基体层的背面具有P型接触区域和N型接触区域，P型接触区域呈向硅片基体层凹陷的内曲面结构，并且P型接触区域由内至外依次为背面本征层、...
郭万武
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太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法
本发明公开了一种太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法，该方法的步骤如下：用去离子水冲洗经过制绒处理后的N型晶体硅衬底，然后将其浸渍在浓硫酸和过氧化氢的混合溶液，完成后再用去离子水冲洗衬底；接着将衬底浸泡于含有2%氯化...
王栋良包健郭万武陆中丹罗彬
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有利于减少正面栅线数目的异质结电池及其制备方法
本发明公开了一种有利于减少正面栅线数目的异质结电池，它具有衬底、正面本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透明导电薄膜层和金属栅线层，正面本征非晶硅薄膜层沉积在衬底的正面上，掺杂层沉积在正面本征非晶硅薄膜层的上表面上，透明导电薄膜层...
郭万武包健
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有利于减少正面栅线数目的异质结电池及其制备方法
本发明公开了一种有利于减少正面栅线数目的异质结电池，它具有衬底、正面本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透明导电薄膜层和金属栅线层，正面本征非晶硅薄膜层沉积在衬底的正面上，掺杂层沉积在正面本征非晶硅薄膜层的上表面上，透明导电薄膜层...
郭万武包健
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异质结太阳电池中非晶钝化层的分光椭偏分析被引量：3
2015年
采用分光椭偏(SE)测试技术研究晶体硅(c-Si)异质结太阳电池用氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜钝化层的性能。采用有效媒介理论为基础进行分层多相拟合,研究了a-Si:H/c-Si界面层内部的缺陷散射周期(St)、a-Si:H体内孔隙率以及薄膜介电函数峰值随基底温度的变化规律。通过与傅里叶红外转换光谱计算得到的微结构数据对比,发现界面层的St与薄膜内部Si H和Si H2含量相关。依据高分辨率透射电镜(TEM)下呈现的形貌特征、有效少子寿命和异质结的implied开路电压等参数的辅助证明,确定SE技术作为一种有效的光学表征手段,能准确快速地判断a-Si:H对c-Si表面的钝化性能,继而定量给出适合晶体硅异质结太阳电池高质量a-Si:H钝化层生长的最优参数。
郭万武张丽平包健孟凡英陈奕峰冯志强刘正新
关键词：氢化非晶硅薄膜介电函数光电特性异质结太阳电池
一种双面异质结太阳电池及制备方法
本发明公开了一种双面异质结太阳电池及制备方法，包括硅片基体层，所述硅片基体层背面从内到外依次具有本征层、重掺杂BSF层以及背电极，硅片基体层的正面具有平行设置呈倾斜状的槽体，槽体斜面上分别设有本征硅薄膜和p型硅薄膜层，在...
郭万武
有利于减少正面栅线数目的异质结电池
本实用新型公开了一种有利于减少正面栅线数目的异质结电池，它具有衬底、正面本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透明导电薄膜层和金属栅线层，正面本征非晶硅薄膜层沉积在衬底的正面上，掺杂层沉积在正面本征非晶硅薄膜层的上表面上，透明导电薄...
郭万武包健
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P型硅衬底异质结电池
本发明公开了一种P型硅衬底异质结电池，它包括一P型晶体硅衬底层、一本征非晶硅层、一N型非晶硅层、一P型非晶硅掺杂层、一第一透明导电层、一上电极层、一本征非晶硅锗钝化层、一第二透明导电层和一背电极层，P型晶体硅衬底层具有一...
包健郭万武余冬冬
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异质结太阳能电池及其界面处理方法和制备工艺
本发明公开了一种异质结太阳能电池及其界面处理方法和制备工艺，其中，异质结太阳能电池的界面处理方法是在异质结太阳能电池制备工艺中，采用离子注入工艺或扩散工艺对晶体硅片的正表面进行高掺杂处理，从而在晶体硅片正表面上形成一层重...
郭万武
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具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池
本实用新型提供了一种具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池。所述电池包括硅衬底，在硅衬底的正面由内到外依次包括扩散层、掺杂非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层和正电极；在硅衬底的背面由内到外依次包括缓冲钝化层、掺杂非晶硅薄膜层、...
郭万武邓伟伟包健陈奕峰
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