陈卫兵
- 作品数：63 被引量：171H指数：7
- 供职机构：湖南工业大学计算机与通信学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金湖南省教育厅科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
- 单节锂离子电池保护芯片与系统的设计被引量：1
- 2007年
- 研究了一种单节锂离子电池保护芯片与系统,并成功设计了低功耗、高检测电压精度的保护IC。根据应用系统确定了保护芯片所需功能模块,然后采用0.6μm混合信号CMOS工艺制作。测试结果表明,该电路可以完成所有保护功能,正常工作时的功耗电流为3.1μA,过充电保护电压的检测精度达到了±25mV。
- 姜娟邹雪城李育超陈卫兵钟德刚
- 关键词：锂离子电池过充电过放电过流偏置电路
- 项目引导在嵌入式系统教学中的应用
- 2013年
- 国内高校嵌入式系统基础教学中存在一些问题。解决这些问题需采用以项目为引导、以实际需求指导理论学习、以实践促进学习的项目化教学。通过对使用SMTP协议通信的嵌入式远程工业控制项目的具体实施,完成教学和项目组织。提高了学生的学习积极性和团队合作能力,有效地提高教育教学质量,能达到预期教学效果。
- 叶玮琼陈卫兵
- GaN n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型
- 2005年
- 在器件物理的基础上,提出了一种半经验的GaN n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型。该模型考虑了位错、界面态、光学声子、离化杂质、表面粗糙、声学声子,以及高场对迁移率的影响。模拟结果表明,界面态和位错是影响沟道迁移率的主要因素,尤其是界面态,它决定了迁移率的最大值,而位错密度的增加使迁移率减小。此外,表面粗糙散射和高场散射主要影响高场下载流子迁移率。由此可见,GaN n-MOSFET沟道迁移率的提高依赖于晶体质量和界面质量的提高。
- 邹晓徐静平陈卫兵吴海平
- 关键词：GANMOSFET电子迁移率散射机制
- 一种无线温度传感器的设计与实现被引量：4
- 2012年
- 利用数字温度传感器DS18B20、单片机、射频模块,设计了一款新颖的无线温度传感器。该无线温度传感器的温度测量范围为-55~125℃,温度测量精度在0.5℃以内,无线传输距离为80~100 m。在测量范围内,该无线温度传感器的精度较高,且功耗较低,性价比较高,适用于温室大棚、粮仓等温度测量系统,具有较好的应用及发展前景。
- 陈卫兵彭志香曾光华王金燕郭德彪
- 关键词：无线温度传感器系统组成软件设计
- 差示扫描量热仪中一种功率补偿方法被引量：4
- 2009年
- 功率补偿型差示扫描量热仪(DSC)需要准确快速地补偿样品侧与参比侧加热功率,实时保持两侧温度平衡。该文在硬件方面提出电流调整、脉宽调制相结合的方法,提高功率补偿分辨率;软件方面引入模糊-PID算法优化DSC中功率补偿控制器,动态修改PID控制器kp、kd及ki参数,改善PID控制器的动态特性。测量结果表明:相对于传统PID控制器,模糊-PID控制器恢复稳态时间短,DSC两侧温差小。
- 邹豪杰陈卫兵谭传武罗天资李忠良李长云
- 关键词：功率补偿模糊控制PID控制
- 电源管理芯片中过热保护电路设计被引量：5
- 2009年
- 利用三极管基-射极电压的负温度特性,设计了一种用于电源管理芯片中的过热保护电路。基于BCD0.6m工艺库模型,采用HSPICE仿真软件进行模拟验证,结果表明:当温度超过150℃时,电路输出信号发生翻转,电源管理芯片停止工作;当温度降至130℃时,芯片恢复工作。在电源电压工作范围2.5～5.5V内,过温保护阈值变化量为0.7℃,迟滞阈值变化量为0.9℃,迟滞范围20℃。因此,该过热保护电路具有温度灵敏度高、关闭和开启温度点受电源影响较小、电路结构简单、版图面积小和功耗低等特点,适合集成在电源管理芯片中。
- 谭传武陈卫兵邹豪杰李忠良罗天资
- 关键词：电源管理过热保护
- 放电管击穿电压测试模块的设计与实现被引量：1
- 2003年
- 通过8255接口芯片,将计算机和外围硬件联结起来,组成了放电管直流击穿电压自动测试系统。该系统采用顺序加压机制,由计算机采样确定击穿电压,并根据相关标准判别元件的好坏。由于采用阵列结构,计算机自动转换测量电压,测试效率大为提高,测得数据重复性好。系统人机界面友好,操作简单方便,可靠性高。
- 陈卫兵吕文中黎步银
- 关键词：放电管击穿电压
- 执行依赖启发式动态规划PMSM控制策略研究
- 2015年
- 永磁同步电机算法中的PID参数固定不变,自适应能力较差;近似动态规划具有自学习能力,能动态调整参数,增强系统的自适应能力;文章将近似动态规划中的代表性算法——执行依赖启发式动态规划与类PI网络相结合,根据环境反馈对各个策略进行评价,选取评价最优的策略在线调整动作网络参数,对永磁同步电机进行自适应最优控制;仿真结果表明,执行依赖启发式动态规划加PI控制算法在系统速度变化和负载变化过程中,动态效果和稳态精度优于传统PID控制。
- 尹康陈卫兵成传柏谭传武钟德刚
- 关键词：最优控制永磁同步电机
- SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型被引量：2
- 2006年
- 通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽层厚度、栅氧化层厚度的影响较大。而对于500 nm以上的沟道长度,可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。
- 邹晓徐静平李艳萍陈卫兵苏绍斌
- 关键词：阈值电压短沟道效应
- 改进的三角模糊数互反判断矩阵排序算法研究被引量：9
- 2014年
- 研究了模糊层次分析法中以三角模糊数为元素的互反判断矩阵排序方法问题,提出一种改进模糊概率算法。采用改进的满意一致性判断指标对互反判断矩阵判断与修正;用模糊概率算法将判断矩阵特征向量中的三角模糊数转换成准确值,最终得出排序向量。实例分析结果表明,排序向量更加趋近理想判断,算法更具准确性。
- 王金燕陈卫兵周颖郭德彪
- 关键词：三角模糊数层次分析法互反判断矩阵
