陈扬文
- 作品数：21 被引量：77H指数：6
- 供职机构：湖南大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 硅纳米线拉曼光谱的研究被引量：9
- 2007年
- 声子限制效应会引起本征硅纳米线拉曼光谱红移及不对称宽化,但研究发现其并非引起硅纳米线拉曼光谱改变的主要因素。研究表明,由于在拉曼光谱测量中,通常使用的入射激光功率都在5mW以上,激光加热会导致很高的局部温度,从而引起拉曼光谱大幅度红移并对称宽化,这是硅纳米线拉曼光谱红移的主要影响因素。另外,激光功率很高时,由激光激发的载流子会与声子发生Fano型干涉,从而使硅纳米线拉曼光谱发生Fano型红移和不对称宽化。除此之外,对小直径本征硅纳米线,声子限制效应导致波矢选择定弛则弛豫,使不在布里渊区中心的声子也可以参与拉曼散射,因而其拉曼光谱中除常见的几个拉曼峰外还会出现新拉曼峰。
- 谭艳唐元洪裴立宅陈扬文
- 关键词：硅纳米线拉曼光谱红移
- 自组生长硅纳米管
- 唐元洪裴立宅陈扬文郭池张勇
- 本课题采用一氧化硅作为硅源，无需添加金属催化剂、无需生长模板，在一定温度、一定压力的水热条件下制备出了自组生长硅纳米管，其制备工艺过程简单、易于操作控制、成本低、无污染、合成的自组生长硅纳米管直径小、直径分布均匀。这种硅...
- 关键词：
- 关键词：硅纳米管
- 硅纳米线纳米电子器件及其制备技术被引量：6
- 2004年
- 硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望。
- 裴立宅唐元洪陈扬文张勇郭池
- 关键词：电子技术硅纳米线纳米电子器件
- 自组生长硅纳米管的合成及其稳定性
- 2005年
- 本文介绍了自组生长硅纳米管的制备,并采用5wt%的HF酸对其稳定性进行了研究。 HF酸可去除自组生长硅纳米管的氧化物外层,只剩下晶体硅纳米管。这说明制备的硅纳米管是一种稳定结构,因而对其应用研究开发成为可能。研究表明,硅纳米管的稳定性与其形成生长过程密切相关。自组生长硅纳米管在纳米器件及场发射显示屏等方面具有广泛的应用前景。
- 唐元洪裴立宅陈扬文郭池
- 关键词：水热法稳定性
- 硅纳米线的表征、性能及应用
- 硅纳米线是近年来发展起来的一种新型的纳米半导体材料.电镜、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、能量色散X射线分析(EDS)等方法是表征硅纳米线的有效手段,由于硅纳米线具有特殊...
- 裴立宅唐元洪陈扬文郭池张勇
- 关键词：硅纳米线掺杂磷掺杂传感器晶体管
- 文献传递
- 硅纳米线及硅纳米管的水热法制备及其生长机理
- 准一维硅纳米材料——硅纳米线(SiNWs)、硅纳米管(SiNTs)是一种新型半导体光电材料，具有量子限制效应和小尺寸效应且能与目前的硅芯片技术相兼容，有望在纳米器件中得到广泛地应用。
由于硅原子核外电子倾向于s...
- 陈扬文
- 关键词：水热法硅纳米线硅纳米管自组装纳米材料
- 文献传递
- 硅纳米线的合成及表征被引量：2
- 2005年
- 目前已通过气液固生长机理及氧化物辅助生长等机理合成了大量硅纳米线,电镜、能量色散X射线分析、X射线光电子能谱、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱、IV测量、光致发光、场发射、电子输运测量等是表征硅纳米线的有效手段,介绍了硅纳米线在合成及表征方面的最新进展,并对其发展做了展望。
- 裴立宅唐元洪陈扬文张勇郭池
- 关键词：硅纳米线掺杂
- 硅纳米线用于纳米器件前的准备工序
- 2005年
- 硅纳米线是一种新型半导体光电材料,具有量子限制效应并且能与目前的硅芯片相兼容,是一种很有前途的适用于纳米器件的材料,未经处理的硅纳米线存在大量的晶体缺陷以及表面氧化物保护层,直接将这样的硅纳米线应用于纳米器件中时,表面氧化层的保护作用使硅纳米线在电子器件中应用时不能有效地实现欧姆接触,因此对硅纳米线使用前的前期处理是非常必要的。本文主要针对硅纳米线应用于电子器件的准备工序包括为制备完整硅纳米线晶体结构而进行的减少缺陷处理、避免硅纳米线团聚而进行的分散处理,以及使硅纳米线具有有效欧姆接触而进行的表面金属离子处理等作系统的阐述。
- 陈扬文唐元洪裴立宅
- 关键词：硅纳米线缺陷处理
- 硅纳米线的表征、性能及应用
- 硅纳米线是近年来发展起来的一种新型的纳米半导体材料.电镜、X射线光电子能谱(XPS),拉曼光谱,近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS),能量色散X射线分析(EDS)等方法是表征硅纳米线的有效手段,由于硅纳米线具有特殊...
- 裴立宅唐元洪陈扬文郭池张勇
- 关键词：硅纳米线掺杂
- 文献传递
- 硅纳米线的电学特性被引量：16
- 2005年
- 总结了硅纳米线在电学特性方面的研究进展,重点分析了本征及掺杂硅纳米线的载流子浓度与迁移率、场发射及电子输运特性。研究表明通过对硅纳米线进行掺杂可提高载流子浓度及迁移率、场发射和电子输运性能,随硅纳米线直径的减小其电学性能增强。因此,硅纳米线在场效应晶体管及存储元件等纳米器件方面具有极大的应用前景。
- 裴立宅唐元洪张勇郭池陈扬文
- 关键词：硅纳米线电学特性场发射电子输运
