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陈适范

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：国立台北科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氧化物
  • 1篇蒸气
  • 1篇SNO
  • 1篇ITO
  • 1篇穿透率
  • 1篇O

机构

  • 1篇国立台北科技...

作者

  • 1篇刘祥钧
  • 1篇张旭民
  • 1篇陈适范

传媒

  • 1篇2002全国...

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
In<,2>O<,3>-SnO<,2>(ITO)之蒸气化学探讨
In和Sn的熔点分别为430和505K,加热熔解后,In-Sn气化为In-In20及Sn-SnO等气体.在气相中,经氧气直接氧化成In2O3-SnO2等氧化物,附着在玻璃基材上,形成ITO薄膜.本研究,透过热力学之计算和...
陈适范张旭民刘祥钧
关键词：氧化物ITO穿透率
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