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马建一

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇光阴极
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇阳极
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇探测器
  • 1篇透射
  • 1篇透射式
  • 1篇迁移率
  • 1篇亲合力
  • 1篇组件
  • 1篇像素
  • 1篇量子
  • 1篇量子效率
  • 1篇矩阵

机构

  • 4篇南京电子器件...

作者

  • 4篇马建一
  • 2篇李慧蕊
  • 2篇顾肇业
  • 1篇张心建
  • 1篇钟伟俊
  • 1篇赵文锦
  • 1篇徐汉成

传媒

  • 2篇光电子技术
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2003
  • 2篇1994
  • 1篇1993
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
透射式GaAs光阴极量子效率分析
1994年
通过对透射式ＧａＡｓ光阴极“三物理过程”的描述和理论分析，指出了影响量子效率的不利因素，讨论和提出了克服、消除这些不利因素的方法、措施和途径。
马建一顾肇业李慧蕊丁辉敏
关键词：量子效率透射式砷化镓光阴极
负电子亲和势GaAs光阴极的研究被引量：1
1994年
分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工艺。最后,和传统的光阴极作了比较,并就其优越性进行了综合性讨论。
李慧蕊顾肇业马建一丁辉敏
关键词：砷化镓光阴极亲合力
256×256型矩阵阳极组件的设计和工艺研究被引量：1
2003年
主要介绍作为 MAMA器件的关键组成部分高密度矩阵阳极的编码原理和方式 ,着重阐述 2 56× 2 56型矩阵阳极组件的设计。
赵文锦徐汉成马建一钟伟俊张心建
关键词：矩阵阳极像素光电探测器件
重掺硼多晶硅薄膜的电学性质被引量：1
1993年
论述了重掺硼多晶硅薄膜的载流子陷阱导电模型。基于此理论,对电阻率ρ、载流子迁移率μp、电导激活能 E_a 与掺杂浓度、晶粒尺寸的关系进行了分析实验,给出了理论曲线和实验数据。最后,讨论了此理论的局限性。
马建一
关键词：多晶硅载流子迁移率
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