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黄凤英

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：福州大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 4篇电路
  • 4篇基准电压
  • 3篇低功耗
  • 3篇电路功耗
  • 3篇电源抑制
  • 3篇电源抑制比
  • 3篇电阻
  • 3篇抑制比
  • 3篇双栅
  • 3篇锁存
  • 3篇锁存器
  • 3篇功耗
  • 3篇负微分电阻
  • 2篇电子锁
  • 2篇源极
  • 2篇漏极
  • 2篇摆幅
  • 1篇单电子
  • 1篇单电子晶体管
  • 1篇状态机

机构

  • 7篇福州大学

作者

  • 7篇黄凤英
  • 4篇林安
  • 4篇许育森
  • 4篇安奇
  • 4篇黄继伟
  • 3篇魏榕山
  • 3篇于志敏
  • 3篇何明华
  • 3篇胡炜
  • 3篇陈寿昌
  • 1篇王俊

年份

  • 2篇2016
  • 5篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N...
胡炜许育森黄继伟黄凤英林安安奇
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高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
本实用新型涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2...
胡炜许育森黄继伟黄凤英林安安奇
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基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器
本发明涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器，包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管，其特征在于：所述PMOS管的源极连接电源电压V<Sub>dd</Sub>，栅极作为所述锁存器的输入端，漏极作为...
魏榕山陈寿昌于志敏黄凤英何明华
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高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N...
胡炜许育森黄继伟黄凤英林安安奇
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基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器
本发明涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器，包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管，其特征在于：所述PMOS管的源极连接电源电压V<Sub>dd</Sub>，栅极作为所述锁存器的输入端，漏极作为...
魏榕山陈寿昌于志敏黄凤英何明华
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基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器
本实用新型涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器，包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管，其特征在于：所述PMOS管的源极连接电源电压V<Sub>dd</Sub>，栅极作为所述锁存器的输入端，漏极...
魏榕山陈寿昌于志敏黄凤英何明华
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超高频RFID的PIE解码与CRC校验同步进行的电路
本实用新型提供一种超高频RFID的PIE解码与CRC校验同步进行的电路，包括边沿检测脉冲模块、行波计数器、状态机、比较器、CG模块以及CRC模块；边沿检测脉冲模块的输出端分别与行波计数器、状态机以及CG模块的输入端连接，...
王俊黄凤英黄继伟许育森安奇林安
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