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ZrO2掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响: ZnO 压敏陶瓷由于其优异的非线性Ⅴ-Ⅰ特性和大能量吸收能力，广泛应用于电子线路、器件和电力系统的过电压保护中.ZnO 陶瓷遭受短时大脉冲时，可能由于热应力过大而炸裂.采用热缓冲材料可以有效降低热应力，阻止微裂纹的产生和...; 何锦强蔺家骏刘文凤李盛涛; 关键词：ZNO压敏陶瓷 ZRO2 介电性能

35kV金属氧化物避雷器雷电冲击老化性能的研究被引量：25: 2014年; 研究了在连续雷电冲击电流(8/20μs)作用下,35 kV金属氧化物避雷器小电流特性与残压特性的变化规律,以及避雷器内部电阻片的老化特点及失效方式。35 kV避雷器受到连续雷电冲击时,存在一冲击阈值(850次),当冲击次数低于该阈值时避雷器小电流及残压特性几乎不变,当冲击次数大于该阈值时,避雷器小电流及残压特性发生明显劣化;雷电冲击造成避雷器的失效主要是由内部电阻片沿面闪络引起的,并在避雷器接地端首先发生沿面闪络现象;氧化锌电阻片受到雷电冲击后性能出现方向性差异。该研究为35 kV等级的避雷器运行的雷电冲击老化寿命评估和失效方式预防提供了实验依据。; 王辉何锦强赵倡皓廖永力李锐海李盛涛; 关键词：氧化锌避雷器雷电冲击残压

110kV整只氧化锌避雷器雷电冲击老化特性研究被引量：18: 2015年; 避雷器在其运行寿命过程中会承受多次雷电冲击过电压,其保护性能的变化值得关注。选取110 k V整只氧化锌避雷器作为试验研究对象,开展了多次连续的雷电冲击电流(8/20μs,10 k A)试验,测试了试验过程中避雷器的小电流伏安特性和残压。研究发现了110 k V整只避雷器在多次雷电冲击电流作用下的小电流伏安特性和残压变化规律及发生显著变化时的阈值次数,并解体分析了雷电冲击后避雷器内部电阻片的破坏形式。最后从微观机理上解释了避雷器在多次雷电冲击作用下的老化特征。; 林楚标廖永力李锐海李盛涛王辉高超何锦强; 关键词：残压

沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响被引量：3: 2013年; 研究了不同沉淀剂(NH4HCO3和NaOH)对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响.结果表明:不同的沉淀剂对ZnO压敏陶瓷的微观结构及电气性能有明显的影响.其中陶瓷微观结构的变化主要由沉淀剂本身的性质引起;而电气性能的改变除了与微观结构相关外,主要受不同沉淀剂对陶瓷晶界势垒参数的影响;此外,沉淀剂NaOH引入的Na+作为施主杂质离子掺杂ZnO压敏陶瓷,增加晶粒中的自由电子浓度,因此本征缺陷(锌填隙和氧空位)浓度受到抑制,而锌填隙浓度相对于氧空位而言对施主离子掺杂更为敏感.由此,采用共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷粉体时,沉淀剂种类的选择很重要,即使微量的杂质也会引起压敏陶瓷性能的较大改变,应尽可能避免杂质离子的引入.; 王辉蔺家骏何锦强廖永力李盛涛; 关键词：ZNO压敏陶瓷沉淀剂介电性能

ZrO_2掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响被引量：1: 2016年; ZnO压敏陶瓷由于其优异的非线性V-I特性和大能量吸收能力,广泛应用于电子线路、器件和电力系统的过电压保护中.本文将平均粒径为1μm的ZrO_2颗粒掺杂进入ZnO压敏陶瓷,用以提高其抗热震性能.用部分溶液法制备了掺杂ZrO_2质量分数为0.0%,0.5%,1.0%,1.5%的多元氧化锌压敏陶瓷,在1 215℃保温2 h烧结成瓷,研究了ZrO_2掺杂对ZnO压敏陶瓷显微结构、电性能和本征点缺陷浓度等方面的影响.EDS和XRD分析表明,ZrO_2主要作为第二相存在于晶界中,不与ZnO晶粒发生反应.SEM分析表明,随着ZrO_2掺杂量的增加,平均晶粒尺寸逐渐下降,这是由于ZrO_2钉扎于晶界中,抑制了液相烧结过程中ZnO晶粒生长.介电谱研究表明ZrO_2掺杂进入氧化锌压敏陶瓷后,不会对本征缺陷能级产生影响,但会影响本征缺陷氧空位和锌填隙浓度.通过对-100℃下的介电损耗谱进行拟合分峰,发现氧空位本征缺陷浓度被抑制,而锌填隙本征缺陷浓度增加.由于锌填隙缺陷是亚稳定缺陷,在电场作用下易迁移,锌填隙浓度的增大不利于氧化锌压敏陶瓷的长期稳定性.; 何锦强蔺家骏刘文凤李盛涛; 关键词：ZNO压敏陶瓷 ZRO2 介电性能

ZnO压敏陶瓷晶粒尺寸分布规律及其微观均匀性的统计学研究: 微观结构的不均匀性严重制约了ZnO压敏陶瓷能量耐受能力的进一步提高,而微观结构的不均匀性又主要受ZnO晶粒尺寸及其分布规律的影响.以两种不同厂家的商用ZnO阀片为对象,统计研究了显微照片下晶粒尺寸以及分布规律.统计概率图...; 张磊王智刘文凤何锦强武康宁李盛涛李建英; 关键词：氧化锌压敏陶瓷晶粒尺寸

铝掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响被引量：5: 2016年; 研究了微量铝(Al)掺杂对氧化锌(ZnO)压敏陶瓷显微结构、电性能和本征点缺陷浓度等方面的影响及其作用机理。研究结果表明,介电损耗峰值能够在一定程度上反映ZnO压敏陶瓷本征点缺陷浓度,微量Al掺杂能够引起ZnO压敏陶瓷本征点缺陷浓度的显著降低。氧空位缺陷对应的损耗峰峰值从88.82下降到1.74,锌填隙缺陷对应的损耗峰峰值从133.38下降到8.14。随着Al掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷平均晶粒尺寸从9.15μm逐渐下降到6.24μm,而压敏电压从235 V/mm逐渐提高到292 V/mm。可见Al掺杂抑制了ZnO压敏陶瓷中本征点缺陷的形成,而本征缺陷浓度的降低导致材料显微结构和电性能发生明显变化。本文阐述了Al掺杂对ZnO压敏陶瓷本征缺陷的影响机理,建立了ZnO压敏陶瓷显微形貌、电性能、介电性能和本征点缺陷之间的联系。; 蔺家骏李盛涛何锦强刘文凤; 关键词：ZNO压敏陶瓷 AL掺杂

氧化锌陶瓷本征缺陷对其直流老化特性的影响: 本文研究了四种不同商用氧化锌(ZnO)避雷器电阻片直流老化前后的I-V和冲击大电流特性.通过介电谱分析了ZnO电阻片的缺陷结构.研究结果表明,试样老化之后泄漏电流和冲击残压增大,非线性系数下降.不同的试样老化后性能变化存...; 蔺家骏李盛涛李建英何锦强张乐; 关键词：避雷器氧化锌

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何锦强