吴小明
- 作品数：28 被引量：27H指数：3
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- 一种发光二极管电极装置
- 本发明提供了一种发光二极管电极装置，该发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极；N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触；其中N电极包括N电极电流扩展层和...
- 吴小明刘军林江风益
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- 一种低应力TiW薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种低应力TiW薄膜的制备方法，它是在待沉积薄膜的基片上，小沉积速率下生长偏薄的种子薄膜层，大沉积速率下生长主要薄膜层，通过控制生长的厚度和速率，使得两层的薄膜达到最优结合，得到低应力的TiW薄膜。本发明在基...
- 吴小明王子超陈芳王光绪陶喜霞
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- 一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构
- 本发明公开了一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，是常规AlGaInP红色发光二极管的反射镜层改成复合反射镜层，复合反射镜层分成反射区、电极和粘附区，反射区由介质层和反射金属组成，介质层的介质材料的折...
- 吴小明刘军林陈芳江风益
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- 一种GaN基微型LED芯片及其制备方法
- 本发明公开了一种GaN基微型LED芯片及其制备方法，所述LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P型电极层、介质层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极层。所述LED芯片的径向尺寸在40μm以下。在所述介质...
- 吴小明刘杰莫春兰蒋恺王立陈芳
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- 含V形坑的Si衬底GaN基蓝光LED发光性能研究
- InGaN LED中位错密度达108-1010/cm2,却具有很高的发光效率。对此学术界有两种解释：一种认为载流子被限制在InGaN量子阱的富In局域态中，避免了非辐射复合;另一种认为，量子阱生长时在位错处形成V形坑，坑...
- 吴小明
- 关键词：发光二极管发光性能
- 一种多色Micro LED发光模组制备方法
- 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法，包括：S1在不同发光颜色的硅基In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>y</Sub>Al<Sub>1‑x‑y</Sub>N(0≤x≤1，0≤y≤1)外延片上定义发光像...
- 王立吴小明刘虎李璠赵婕田婷芳饶郑刚莫春兰江风益
- 一种AlGaInN发光二极管的接触结构
- 本发明公开了一种AlGaInN发光二极管的接触结构，包括AlGaInN接触层，第一接触层和第二接触层；第二接触层越过第一接触层与AlGaInN接触层接触；第一接触层位于AlGaInN接触层和第二接触层之间；第一接触层至少...
- 吴小明莫春兰陈芳王立李新华蒋恺
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- 一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底
- 本发明公开了一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底，包括：S1在硅基In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>y</Sub>Al<Sub>1‑x‑y</Sub>N外延片通过刻蚀除去部分外延层，制备周期性Micro ...
- 王立刘虎吴小明李璠赵婕田婷芳饶郑刚莫春兰江风益
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- p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响被引量：3
- 2015年
- 在温度变化时,如果GaInN发光二极管能够保持相对稳定的工作电压对其实际应用具有重要意义.本文通过金属有机化学气相沉积生长了一系列包含不同有源区结构、不同p型层结构以及不同掺杂浓度纵向分布的样品,并对其在不同温度区间内正向电压随温度变化的斜率(dV/dT)进行了研究.结果表明:1)有源区中包括插入层设计、量子阱结构以及发光波长等因素的变化对正向电压随温度变化特性影响很小;2)影响常温区间(300K±50K)正向电压随温度变化斜率的最主要因素为p-AlGaN电子阻挡层起始生长阶段的掺杂形貌,具有p-AlGaN陡掺界面的样品电压变化斜率为-1.3mV·K-1,与理论极限值-1.2mV·K-1十分接近;3)p-GaN主段层的掺Mg浓度对低温区间(<200K)的正向电压随温度变化斜率有直接影响,掺Mg浓度越低则dV/dT斜率越大.以上现象归因于在不同温度区间,p-AlGaN以及p-GaN发生Mg受主冻结效应的程度主要取决于各自的掺杂浓度.因此Mg掺杂浓度纵向分布不同的样品在不同的温度区间具有不同的串联电阻,最终表现为差异很大的正向电压温度特性.
- 毛清华刘军林全知觉吴小明张萌江风益
- 关键词：发光二极管
- 量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响
- 2017年
- 使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了含V形坑的InGaN/GaN蓝光LED。通过改变生长温度,生长了禁带宽度稍大的载流子限制阱和禁带宽度稍小的发光阱,研究了两类量子阱组合对含V形坑InG aN/GaN基蓝光LED效率衰减的影响。使用高分辨率X射线衍射仪和LED电致发光测试系统对LED外延结构和LED光电性能进行了表征。结果表明:限制阱靠近n层、发光阱靠近p层的新型量子阱结构,在室温75 A/cm^2时的外量子效率相对于其最高点仅衰减12.7%,明显优于其他量子阱结构的16.3%、16.0%、28.4%效率衰减,且只有这种结构在低温时(T≤150 K)未出现内量子效率随电流增大而剧烈衰减的现象。结果表明,合理的量子阱结构设计能够显著提高电子空穴在含V形坑量子阱中的有效交叠,促进载流子在阱间交互,提高载流子匹配度,抑制电子泄漏,从而减缓效率衰减、提升器件光电性能。
- 吕全江莫春兰张建立吴小明刘军林江风益
- 关键词：硅衬底量子阱结构
