周文定
- 作品数：6 被引量：37H指数：3
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 具有内透明集电极的绝缘栅双极晶体管
- 本发明为一种具有内透明集电极的绝缘栅双基晶体管(IGBT)，它是一种功率半导体开关器件，它是在现有PT-IGBT结构中的P<Sup>+</Sup>型衬底与N型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于P<Sup>+</Su...
- 亢宝位单建安周文定
- 文献传递
- 一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真被引量：6
- 2008年
- 对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题.对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较.仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其在具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能.
- 王浩胡冬青吴郁周文定亢宝位
- 关键词：内透明集电极NPT-IGBT
- 不断发展中的IGBT技术概述被引量：21
- 2007年
- 概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。
- 周文定亢宝位
- 关键词：半导体元器件晶闸管绝缘栅双极晶体管
- 具有内透明集电极的绝缘栅双极晶体管
- 本发明为一种具有内透明集电极的绝缘栅双基晶体管(IGBT)，它是一种功率半导体开关器件，它是在现有PT－IGBT结构中的P<Sup>+</Sup>型衬底与N型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于P<Sup>+</Su...
- 亢宝位单建安周文定
- 文献传递
- 不断发展中的IGBT技术概述被引量：10
- 2009年
- 概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。
- 周文定亢宝位
- 关键词：半导体元器件晶闸管绝缘栅双极晶体管
- n-Si外延层中少数载流子扩散长度和寿命随温度变化的实验研究
- 周文定
