常利阳
- 作品数：7 被引量：6H指数：2
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- 脉冲激光扫描对硅光电性质的影响
- 硅是现代微电子技术的基础材料，也是最重要的半导体材料之一，晶体硅材料广泛应用于制作硅基光电器件和光子器件。但是，体硅材料的发光性能很差，因为硅是间接禁带半导体材料，它的发光效率非常低。而发展光电集成技术必须大力发展硅基发...
- 常利阳
- 关键词：单晶硅脉冲激光微结构光致荧光光电性质
- 文献传递
- YAG脉冲激光水下诱导硅表面微结构及其特性研究
- 激光辐照材料表面诱导形成微结构是一种清洁、通用的方法,对几乎所有的固体材料都是有效且适用的.表面具有微结构的材料会表现出一些有趣和实用的新特性,比如低反射率、高亮度和高电子束流发射度、特殊的浸润性能,这些都将极大地扩展材...
- 李晓红常利阳
- 关键词：单晶硅
- 飞秒脉冲激光辐照下硅表面光致荧光特性(英文)被引量：2
- 2014年
- 采用钛宝石飞秒脉冲激光对单晶硅在空气中进行辐照,研究了硅表面在不同扫描速度和能量密度下的光致荧光特性。光致荧光谱(PL)测量表明,在样品没有退火处理的情况下,激光扫描区域观察到橙色荧光峰(603nm)和红色荧光带(680nm附近)。扫描电子显微镜(SEM)测量显示,在飞秒脉冲激光辐照硅样品的过程中硅表面沉积了大量的纳米颗粒。利用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)检测到了低值氧化物SiOx(x<2)的存在,并且结合能谱仪(EDS)检测结果发现氧元素在光致发光中起着重要作用。研究表明:603nm处橙色荧光峰来自微构造硅表面低值氧化物SiOx,680nm附近红色荧光带来自量子限制效应。同时样品表面硅纳米颗粒的尺寸和氧元素的浓度分别决定了红色荧光带和橙色荧光的强度,通过调节飞秒激光脉冲的扫描速度和能量密度,可以有效地控制样品的荧光强度。
- 朱敏李晓红谢长鑫常利阳杨永佳邱荣
- 关键词：飞秒脉冲激光单晶硅微构造
- 脉冲激光作用下硅表面光致荧光特性的研究
- 硅由于易提纯、易掺杂、耐高温等优点在半导体行业中应用非常广泛.但硅是间接禁带半导体材料,发光效率低.本文分别采用钛宝石飞秒和Nd:YAG纳秒激光脉冲对单晶硅在空气中进行辐照,研究了硅表面在不同能量密度和扫描速度下的光致荧...
- 常利阳李晓红
- 关键词：脉冲激光单晶硅微构造荧光特性
- 飞秒脉冲激光辐照对硅光致发光特性的影响
- 硅是现代微电子技术的基础材料，也是最重要的半导体材料之一，晶体硅广泛应用于制作硅基光电器件和光子器件。但是，因为硅是间接禁带半导体材料，发光效率非常低。
- 朱敏李晓红常利阳谢长鑫
- 关键词：硅光致发光发光效率
- 飞秒脉冲激光辐照对硅发光性能的影响被引量：4
- 2014年
- 利用飞秒脉冲激光对单晶硅进行辐照,研究了在不同环境(纯水和空气)和能量密度条件下激光刻蚀过后硅片的光致荧光特性.对于辐照后的硅片,利用了场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、光致荧光光谱仪(PL)进行表征.结果显示:在空气中样品表面形成了条纹状微结构,纯水中硅片表面生成了尺寸更小的珊瑚状微结构;激光刻蚀后在硅片表面的生成物主要是SiOx(x<2),在纯水中处理后硅片氧元素的含量接近是空气中的4倍;傅里叶变换红外透射谱中主要为Si—Si键(610 cm-1)和Si—O—Si键(1105 cm-1)的振动;在空气和纯水中激发出的荧光均为蓝光(420—470 nm),在各自最佳激发波长下,纯水中荧光强度比空气中强2到3倍,但是在可见光范围内荧光峰的位置和形状都基本没有发生变化.研究表明:氧元素在光致发光增强上起着重要作用,光致发光最主要是由形成的氧缺陷SiOx(x<2)导致的,生成低值氧化物SiOx的多少决定了发光的强弱.
- 朱敏李晓红李国强常利阳谢长鑫邱荣李家文黄文浩
- 关键词：飞秒脉冲激光
- 单脉冲激光诱导硅表面微结构的演化
- 自激光诞生以来，由于其具有高亮度、良好的单色性、高相干性、高方向性等显著的优点，在社会各个方面都得到了广泛的应用。硅是重要的半导体材料，脉冲激光在硅材料表面诱导的微结构在太阳电能池、红外光探测器等领域有着潜在的应用价值[...
- 谢长鑫李晓红朱敏常利阳
- 关键词：硅
