张向宇
- 作品数：7 被引量：24H指数：3
- 供职机构：山东大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 直拉硅单晶中双空洞长大动力学的相场模拟被引量：3
- 2015年
- 为了研究硅单晶直拉法生长过程中双空洞的长大动力学以及空洞间的相互作用机理,采用已建立的空洞演化的相场模型及其应用程序,模拟研究了直拉硅单晶生长过程中双空洞演化和相关因素的影响规律。结果表明:所建相场模型能够有效地模拟基体中空位扩散和双空洞长大的过程;双空洞长大趋势随着模拟时间和初始空位浓度的增强而加强;随着空洞初始中心间距的增加和初始空位浓度的减小,双空洞长大由相互融合模式转变为独立长大模式。
- 关小军王进张向宇曾庆凯
- 关键词：硅单晶相场模拟长大动力学
- 硅单晶中空位团形成能的分子动力学模拟被引量：1
- 2013年
- 为了获得硅单晶中空位团的形成能以及有关因素的影响规律,采用分子动力学方法进行了模拟计算和分析,揭示了模型体系大小、空位团构型和空位数目对空位团形成能的影响规律和机理。结果表明:总体上,模型体系大小和空位团构型对空位团形成能的影响不大;3×3×3模型更适合于硅单晶空位形成能的计算和分析;当空位数目≤5时,最小空位团形成能随空位数目增大而线性增加;空位团形成能实质上主要取决于所需破坏的Si-Si键数目及键能。
- 王进关小军曾庆凯张向宇
- 关键词：硅单晶形成能分子动力学
- 热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟被引量：13
- 2014年
- 为了研究热屏位置对200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟。结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底端至熔体表面距离的影响更大,即随着它的增加,V/G值沿径向普遍增大且由内向外变化程度增强,晶体心部高浓度空位区扩大,最大热应力减小。合理控制热屏底端至熔体表面的距离可有效改善晶体质量。
- 张向宇关小军潘忠奔张怀金曾庆凯王进
- 关键词：直拉硅单晶热应力
- 拉速对?400mm直拉硅单晶中空洞分布影响的数值模拟被引量：1
- 2015年
- 为了研究拉速对?400mm直拉硅单晶中空洞演变的影响,应用CGSim软件模拟了3种拉速下晶体中空洞演变过程。模拟结果表明,(1)3种拉晶速度下具有相同的空洞分布规律,即随着径向半径增加,晶体心部的空洞密度增大而平均直径减小,该变化趋势随轴向位置远离固液界面而减弱;晶体边缘的空洞密度和平均直径随径向半径增加而减小,直至形成无空洞区,无空洞区域随轴向位置远离固液界面而缩小;(2)随着拉晶速度加快,晶体心部的空洞密度及其平均尺寸相应增大,对应的变化区域基本上向边缘整体平移。
- 于新友关小军曾庆凯王进张向宇
- 关键词：直拉法硅单晶拉速数值模拟
- 热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟被引量：4
- 2015年
- 为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位于两个大涡胞之间的较小涡胞强度增大且移向熔体液面深处;热屏位置上升或径向外移均会使固液界面上凸程度增大,这主要归因于晶体热场的相应变化。
- 关小军张向宇潘忠奔王进曾庆凯
- 关键词：直拉单晶硅流场温场固液界面
- Φ200mm和Φ450mm直拉单晶硅生长过程有限元模拟研究
- 进入21世纪以来，人类的生存与发展面临巨大的挑战，同时也伴随着巨大的机遇。石油、煤炭、天然气等资源日益减少，同时化石燃料在燃烧过程中生成大量有害产物对人类生存环境造成了难以估计的恶劣影响，系统地开发利用清洁可再生能源迫在...
- 张向宇
- 关键词：半导体材料单晶硅有限元模拟工艺参数
- 文献传递
- 平均空位径向扩散通量对直拉硅单晶空洞演化影响的相场模拟被引量：6
- 2013年
- 直拉硅单晶中空洞的大小和数目对其性能有着至关重要的影响.采用已有的与晶体生长温度场有限元模型相耦合的空洞演化相场模型及其应用程序,模拟研究了不同的平均径向扩散通量对直拉单晶硅生长过程中空洞形貌及其分布状态演化的影响规律.结果表明:平均空位径向扩散通量的变化对于空洞演变阶段性及其形貌特征影响不大;随着平均空位径向扩散通量的增加,空洞的孕育阶段缩短,形核长大阶段延长,空洞平均尺寸及分数增加.
- 张向宇关小军曾庆凯潘忠奔张怀金王进
- 关键词：直拉法相场模拟
