徐刚毅
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 掺硼纳米硅薄膜电学特性的研究
- 在等离子化学气相沉积系统中,使用高倍氢稀释硅烷为反应气体,通过加入硼烷(BH)制备掺硼纳米硅薄膜。使用Keithly电流计测得薄膜的电阻,然后计算出其电导率。在低掺硼浓度下,费米能级向带隙中央移动,造成电导激活能的增大和...
- 邓加军王金良陈强徐刚毅
- 关键词：纳米硅掺硼量子隧穿
- 文献传递
- (n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究被引量：4
- 2000年
- 采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺 ,以高H2 稀释的SiH4 作为反应气体源和PH3 作为磷原子的掺杂剂 ,在 p型 ( 10 0 )单晶硅 ( (p)c -Si)衬底上 ,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜 ( (n)nc Si:H) ,进而制备了 (n)nc Si:H/ ( p)c Si异质结 ,并在 2 30— 42 0K温度范围内实验研究了该异质结的I V特性 .结果表明 ,(n)nc Si:H/ ( p)c Si异质结为一典型的突变异质结构 ,具有良好的温度稳定性和整流特性 .正向偏压下 ,该异质结的电流输运机理为复合 隧穿模型 .当正向偏压VF<0 .8V时 ,电流输运过程由复合机理所支配 ;而当VF>1.0V时由隧穿机理决定 .反向偏压下 ,该异质结具有良好的反向击穿特性 .
- 彭英才徐刚毅何宇亮刘明李月霞
- 关键词：载流子输运性质
- 掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究被引量：2
- 2001年
- 研究了掺杂纳米硅薄膜 (nc ∶Si∶H)中的电子自旋共振 (ESR)及与之相关的缺陷态 .样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成 ,为两相结构 ,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中 .对掺磷的nc Si∶H样品 ,测量出其ESR信号的 g值为 1.9990— 1.9991,线宽ΔHpp为 (4 0— 42 )× 10 -4 T ,ESR密度Nss为 10 17cm-3 数量级 .对掺硼的nc Si∶H样品 ,其ESR信号的 g值为 2 .0 0 76— 2 .0 0 78,ΔHpp约为 18× 10 -4 T ,Nss为 10 16cm-3 数量级 .结合有关这种薄膜的微结构及导电等特性分析 ,对上述ESR来源 ,其线宽及密度等进行了解释 .认为掺磷的ESR信号来源于纳米晶粒 /非晶本体界面处高密度缺陷态上的未配对电子 ,而掺硼的ESR信号来源于非晶本体中a
- 刘湘娜徐刚毅眭云霞何宇亮鲍希茂
- 关键词：纳米硅薄膜微结构电子自旋共振缺陷态掺杂
