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曾云

作品数：175 被引量：505H指数：9
供职机构：湖南大学更多>>
发文基金：湖南省自然科学基金国家自然科学基金湖南省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 97篇期刊文章
  • 30篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 75篇电子电信
  • 20篇自动化与计算...
  • 8篇核科学技术
  • 6篇机械工程
  • 4篇交通运输工程
  • 4篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇矿业工程

主题

  • 20篇电路
  • 16篇阴极
  • 12篇N
  • 11篇阳极
  • 11篇晶体管
  • 10篇多晶
  • 10篇多晶硅
  • 10篇多晶硅栅
  • 10篇硅栅
  • 10篇衬底
  • 9篇集成电路
  • 9篇光电
  • 8篇鲁棒
  • 8篇鲁棒性
  • 8篇场效应
  • 7篇LDMOS
  • 7篇传感
  • 5篇电极
  • 5篇静电泄放
  • 5篇放大器

机构

  • 129篇湖南大学
  • 14篇中国科学院
  • 6篇中国科学院微...
  • 5篇北京大学
  • 4篇湖南工程职业...
  • 3篇湖南城市学院
  • 3篇山东大学
  • 3篇遵义师范学院
  • 2篇湘潭师范学院
  • 2篇中国科学技术...
  • 2篇益阳师范高等...
  • 1篇长沙理工大学
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇南京大学
  • 1篇湖南农业大学
  • 1篇南阳理工学院
  • 1篇郑州大学
  • 1篇岳阳职业技术...
  • 1篇东莞中子科学...

作者

  • 129篇曾云
  • 24篇彭伟
  • 23篇金湘亮
  • 22篇曾健平
  • 20篇颜永红
  • 18篇陈迪平
  • 17篇吴志强
  • 15篇张云
  • 13篇晏敏
  • 6篇杨红官
  • 5篇夏宇
  • 5篇邹望辉
  • 4篇成世明
  • 4篇高云
  • 4篇滕涛
  • 4篇李卫东
  • 4篇毛泽普
  • 4篇马秋梅
  • 4篇赵豫斌
  • 4篇熊琦

传媒

  • 12篇半导体技术
  • 11篇湖南大学学报...
  • 10篇核电子学与探...
  • 8篇微电子学
  • 7篇微计算机信息
  • 7篇微细加工技术
  • 4篇宇航计测技术
  • 3篇微电子学与计...
  • 3篇计算机工程与...
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇无线电工程
  • 2篇电子学报
  • 2篇核技术
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇微电子技术
  • 1篇半导体情报
  • 1篇科学通报
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇计量技术
  • 1篇国防科技大学...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 8篇2020
  • 3篇2019
  • 8篇2018
  • 6篇2016
  • 6篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 6篇2009
  • 8篇2008
  • 9篇2007
  • 5篇2006
  • 5篇2005
  • 7篇2004
  • 6篇2003
共 175 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
非接触式红外测温原理及误差分析被引量：39
2005年
本文介绍了红外测温的机理以及系统的组成部分和测量范围的划分 ,并从环境、反射率、距离系数等几个主要因素分析了产生误差的原因 ,同时 。
晏敏颜永红曾云曾健平
关键词：红外测温黑体辐射反射率
PCI总线目标控制器的设计被引量：5
2008年
本文在PCI2.2总线规范的基础上,给出了一种PCI总线目标控制器的设计方案。重点从控制逻辑和数据通路的建立上阐述了目标控制器的设计:用状态机实现总线访问操作的复杂时序,通过FIFO型目标接口和寄存器型目标接口的建立实现了数据通路。目前本设计已应用到光电器件CMOS图象传感器的数据传输并通过了FPGA原型验证。
胡锦孙晓宁曾云王晨旭
关键词：PCI状态机
LDMOS静电保护器件
本发明提供一种LDMOS静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第三N+注入区、第三P+注入区和第四N+注入区，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮张云吴志强
文献传递
光敏BJMOSFET的物理模型及数值模拟被引量：1
2009年
基于SOI薄膜,提出一种引入P+N注入结的光敏BJMOSFET(Bipolar JunctionMetal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)结构.在此光敏器件中,栅电压使薄膜耗尽但不反型,光生载流子的复合可以忽略.根据基本的半导体方程,建立该器件的物理模型.数值模拟结果显示:在光敏BJMOSFET中,光生电子和空穴都参与导电,和传统的MOS管相比具有较高的灵敏度.此外,它能消除CMOS工艺下PN结大的暗电流,完全与CMOS工艺兼容.
曾云谢海情曾健平张国梁王太宏
关键词：光电晶体管BJMOSFET物理模型数值模拟
基于8051软核的SOPC系统设计与实现被引量：9
2005年
介绍了基于IP的可重用的SOC设计方法;选用MC8051IP核为核心控制器,自主开发了UARTIP核、I2CIP核、USBIP核,采用Wishbone片上总线架构,集成了一个MCU系统;同时设计了针对此MCU系统的微机调试软件和硬件调试器,并实现了MCU系统的FPGA验证和整个系统的功能验证。设计中采用了开发8051行为模型的方式,缩短了系统仿真的时间;而USBIP核设计则采用双缓冲区结构,方便了系统集成,提高了传输速度。
鄢永明刘轶民曾云赵建业
关键词：IP核WISHBONE片上总线UARTIP核设计WISHBONE
基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究被引量：1
2008年
提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动态范围和更快的读出速度。
李晓磊曾云张国樑彭琰王太宏
关键词：阈值电压信噪比动态范围有源像素传感器
一种采用石墨烯光电器件的单片光电集成电路
本发明公开了一种采用石墨烯光电器件的单片光电集成电路，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底上的电路层；所述电路层上设置有包含石墨烯光电器件的光器件层；所述光器件层与所述电路层之间电性互联，并能将光器件层中传输的光信号转...
邹望辉曾云
文献传递
结型场效应管压控增益放大器及其应用
2002年
分析了结型场效应管压控增益放大器的电路原理 ,并阐明了其电路的特性和实用价值 ,为集成电路设计提供了理论依据。
张学军曾云
关键词：结型场效应管解调电路原理集成电路漏极源极
静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区，第二P阱内从左到右依次设...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮吴志强
文献传递
加密电路HU－001研制被引量：3
1994年
加密电路ＨＵ－００１研制万积庆，周志仁，陈迪平，曾云（湖南大学物理系，长沙４１００１２）计算机系统的安全保密是计算机数据处理时在硬件和软件方面采取的保密措施实施安全保密的目的是保护软件版权不受侵犯，目前常采用固化软件，而ＲＯＭ是软件载体，近年磁卡的伪...
万积庆周志仁陈迪平曾云
关键词：计算机加密电路
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