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朱家俊

作品数:80 被引量:55H指数:5
供职机构:湖南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 47篇专利
  • 24篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 25篇一般工业技术
  • 9篇化学工程
  • 7篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇电气工程
  • 4篇理学
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 20篇溅射
  • 12篇电池
  • 12篇磁控
  • 12篇磁控溅射
  • 11篇复合材料
  • 11篇复合材
  • 10篇离子束
  • 9篇纳米
  • 9篇溅射沉积
  • 8篇热电池
  • 8篇粉体
  • 7篇共沉积
  • 7篇合金
  • 7篇ALN薄膜
  • 6篇离子束辅助
  • 6篇离子束溅射
  • 6篇离子束溅射沉...
  • 6篇SUB
  • 5篇增透
  • 5篇增透膜

机构

  • 79篇湖南大学
  • 4篇中南大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇教育部

作者

  • 79篇朱家俊
  • 73篇周灵平
  • 63篇李德意
  • 33篇彭坤
  • 18篇李绍禄
  • 4篇罗小兰
  • 3篇梁凤敏
  • 3篇周淼
  • 3篇汪明朴
  • 3篇张鹏
  • 3篇曾雄
  • 3篇徐兴龙
  • 3篇符立才
  • 3篇占玙娟
  • 2篇刘新胜
  • 2篇李智
  • 2篇李周
  • 2篇姜川
  • 1篇原帅
  • 1篇陈峰武

传媒

  • 7篇材料导报
  • 4篇Transa...
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇机械工程材料
  • 2篇湖南大学学报...
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇江西化工
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 4篇2023
  • 7篇2022
  • 5篇2021
  • 7篇2020
  • 5篇2019
  • 7篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 6篇2014
  • 5篇2013
  • 5篇2012
  • 5篇2011
  • 9篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
80 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种耐磨δ-TaN薄膜及其制备方法和应用
本发明涉及一种耐磨δ‑TaN薄膜及其制备方法和应用;属于耐磨材料设计制备技术领域。所述δ‑TaN薄膜的织构系数I<Sub>(200)</Sub>/[I<Sub>(200)+</Sub>I<Sub>(111)</Sub>]...
符立才谭聘周灵平朱家俊杨武霖李德意
文献传递
一种氧化亚铜的应用
本发明涉及一种氧化亚铜的应用;特别涉及一种氧化亚铜作为正极材料应用于新型热电池中;属于电化学技术领域。本发明首次将氧化亚铜用作热电池的正极材料。所述热电池放电体系由Cu<Sub>2</Sub>O电极,负极,隔膜等部分组成...
符立才罗泽顺吉周灵平朱家俊杨武霖李德意
文献传递
一种空间太阳电池复合互连材料及其制备方法
本发明提供了一种空间太阳电池复合互连材料及其制备方法,所述复合互连材料由内到外依次包括钼基体,钼银合金过渡层,以及银薄膜。本发明通过磁控溅射技术在钼箔表面先沉积钼银合金过渡层,再沉积银薄膜,在不引入非膜基第三种金属元素的...
周灵平高宝龙朱家俊符立才杨武霖李德意
文献传递
低孔隙率阳极氧化铝膜的制备及其高绝缘特性被引量:6
2018年
采用恒流阳极氧化法,制备出低孔隙率高绝缘特性的阳极氧化铝膜(AAO膜),研究乙二醇(EG)对AAO膜显微结构及其绝缘性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及绝缘性能测试仪对AAO膜的物相组成、显微形貌及其绝缘性能进行测试表征。结果表明,当EG体积分数为40%时,可获得孔隙率为1.0%的AAO膜,此时AAO膜绝缘电阻率达到最高值5.4×10^(13)Ω×cm;当EG体积分数为50%时,AAO膜的击穿场强达到最优值44.8 V/μm。草酸电解液中添加有机物EG可极大地降低AAO膜多孔层孔隙率,提高阻挡层厚度,大幅度提升AAO膜的绝缘性能。
彭蓉杨武霖符立才朱家俊李德意周灵平
关键词:阳极氧化铝有机物绝缘性能
一种铜银合金薄膜及其制备方法与应用
本发明提供了一种铜银合金薄膜及其制备方法与应用,涉及薄膜材料技术领域。该方法通过磁控溅射聚焦共沉积方法制备铜银多层膜,薄膜铜元素与银元素沿薄膜厚度方向呈连续周期性变化。该多层膜的厚度可以通过沉积时间控制,靶功率与样品台转...
朱家俊李昌会周灵平董正琛王勇符立才杨武霖李德意
空间太阳电池玻璃盖板表面超薄ITO防静电层的设计及制备工艺
2017年
ITO/MgF2复合薄膜既具有较好的表面导电性能又具有较高的透过率,可应用于空间太阳电池玻璃盖板表面。文章主要对ITO/MgF2复合薄膜中表层的超薄ITO薄膜进行了研究。利用TFCalc软件模拟了ITO薄膜厚度对ITO/MgF2复合薄膜光学性能的影响,根据模拟结果采用电子束蒸发法在衬底上依次沉积MgF2薄膜和氧化铟锡(ITO)薄膜,研究了ITO薄膜工艺参数(沉积速率、沉积温度和工作气压)和ITO薄膜厚度对ITO/MgF2复合薄膜光电性能及微观结构的影响。当ITO薄膜沉积速率为0.05nm/s、沉积温度为400℃、工作气压为2.3×10^(-2) Pa、厚度为10nm时,表层ITO薄膜基本连续,其方块电阻(1.94kΩ/)已符合设计需求,ITO/MgF2复合薄膜在可见光区间(400~800nm)的平均透过率达到89.00%。
金鹤周灵平朱家俊符立才杨武霖李德意
关键词:防静电电子束蒸发玻璃盖板
TiO_2薄膜折射率的调控方法被引量:1
2011年
采用电子束蒸发技术及其辅助工艺制备了TiO2薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组织结构进行了表征,采用紫外可见分光光度计研究了TiO2薄膜的折射率变化.结果表明:传统电子束蒸发镀制的TiO2薄膜的折射率低于块体值,通过调节氧气压、沉积速率和衬底温度可在1.97~2.22范围内调控其折射率;采用离子束辅助轰击可使薄膜致密化,获得折射率在2.06~2.42范围内变化的TiO2薄膜;利用斜角入射沉积可控制薄膜生长角度与孔隙率,实现折射率在1.71~2.18范围内的调控.
周灵平罗小兰朱家俊彭坤李德意李绍禄
关键词:折射率电子束蒸发
金属Mo表面注入与沉积Ag改性层研究
金属Ag具有优异的导电性能和焊接性能,是目前空间太阳电池常用的互连材料,但其在低地球轨道(LEO)环境下易被原子氧侵蚀,使用寿命短;金属Mo导电性好、机械强度高,具有优异的耐原子氧特性,但焊接性能差。在金属Mo表面沉积A...
朱家俊
关键词:飞行器太阳电池银薄膜摩擦学性能
一种窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜及其制备方法
本发明公开了一种窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜及其制备方法,所述黑氧化锆纳米管薄膜的光学禁带宽度为1.0‑3.0eV。制备方法如下:(1)以惰性电极为阴极,以抛光后的锆片为阳极,在含氟的电解液中进行阳极氧化,制得氧化锆纳米管薄...
周灵平陈庆伶杨武霖朱家俊符立才李德意
文献传递
新型超高强Cu-Ni-Al-Si合金在3.5%NaCl溶液中的腐蚀行为(英文)
2017年
设计并制备了一种新型超高强Cu-6.5Ni-1Al-1Si-0.15Mg-0.15Ce合金,采用扫描电镜观察、透射电镜观察、光电子能谱分析等手段研究该合金在3.5%NaCl溶液中的腐蚀行为。合金经固溶、冷轧80%并在450°C时效1 h后具有最佳的综合性能,其硬度为HV 314,导电率为19.4%IACS,抗拉强度为1017 MPa,年平均腐蚀速率为0.028 mm/a。腐蚀初期合金表面形成了氧化腐蚀产物和氯化腐蚀产物,随着腐蚀时间延长形成了氢氧化物腐蚀产物。合金具有超高的强度、优良的导电率和耐腐蚀性能是由于Ni_2Si能够抑制晶界处粗大NiAl相的析出,并能抑制合金的脱Ni腐蚀。
朱家俊黎三华申镭诺杨武霖李周
共8页<12345678>
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