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朴颖华

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 9篇肖特基
  • 9篇肖特基结
  • 7篇微电子
  • 7篇晶体管
  • 6篇电子器件
  • 6篇微电子器件
  • 5篇场效应
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇对称型
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇离子注入
  • 3篇硅衬底
  • 3篇硅化物
  • 3篇衬底
  • 2篇退火
  • 2篇退火过程
  • 2篇热退火
  • 2篇金属
  • 2篇金属硅化物
  • 2篇绝缘

机构

  • 11篇复旦大学

作者

  • 11篇朴颖华
  • 10篇张世理
  • 10篇吴东平
  • 4篇张卫
  • 4篇罗军
  • 3篇朱志炜
  • 3篇葛亮
  • 2篇仇志军

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种场效应晶体管的制备方法，该方法包括如下步骤：提供第一型体衬底，利用光刻和刻蚀的方法形成浅槽，并在浅槽内生长形成二氧化硅浅槽隔离结构；在衬底与浅槽隔离结构的上面进行淀积形成高K栅介质层以及金属栅电极层；利用光...
吴东平朴颖华朱志炜张世理张卫
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Si（100）衬底上形成Ni-Co合金硅化物及其特性研究
随着CMOS制造技术的进步,与之对应的自对准硅化物/(SALICIDE/)的材料和工艺也在不断发展和创新。工业界先后采用二硅化钛、二硅化钴和硅化镍作为硅化物材料,但是它们都有不足之处。为了克服这些不足,用镍与其他金属的合...
朴颖华
关键词：硅化物NISI
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一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法
本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法。通过改变两次离子注入的倾斜角度来控制离子注入形成的掺杂区域的位置，形成不对称型源漏场效应晶体管的独特结构。所述不对称型源漏场效应晶体管结构的...
朴颖华吴东平张世理
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PN结和肖特基结混合式二极管及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种PN结和肖特基结混合式二极管及其制备方法。该二极管包括半导体衬底、该半导体衬底上与其掺杂类型相反的区域A、导体层B，所述半导体衬底与所述区域A接触处形成PN结，所述导体层B同时与所...
吴东平张世理朴颖华
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一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法
本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法。该不对称型源漏场效应晶体管是指晶体管的源区和漏区之一是由PN结构成而另一个是由PN结和肖特基结组成的混合结构成。同具有肖特基结的金属源漏场...
吴东平张世理朴颖华
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一种场效应晶体管及其制备方法
本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管结构包括：半导体衬底、栅极结构、分别为混合结和PN结的源区和漏区，所述源区与漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由混合...
朴颖华葛亮吴东平张世理张卫
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形成超薄可控的金属硅化物的方法
本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属...
吴东平罗军朴颖华葛亮张世理仇志军
一种晶体管的制造方法
一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成堆叠栅；在半导体衬底表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成消耗层；刻蚀绝缘层和消耗层；在半导体衬底表面形成金属层；热退火；除去金属层。本发明的优点在于，所...
吴东平罗军朴颖华朱志炜张世理张卫
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形成超薄可控的金属硅化物的方法
本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属...
吴东平罗军朴颖华葛亮张世理仇志军
文献传递
一种晶体管的制造方法
一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成堆叠栅；在半导体衬底表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成消耗层；刻蚀绝缘层和消耗层；在半导体衬底表面形成金属层；热退火；除去金属层。本发明的优点在于，所...
吴东平罗军朴颖华朱志炜张世理张卫
文献传递
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