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李亚勤

作品数:3 被引量:4H指数:1
供职机构:郑州大学物理工程学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇纳米
  • 1篇调制
  • 1篇英文
  • 1篇数值积分
  • 1篇数值积分法
  • 1篇柱面
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米孔
  • 1篇内插
  • 1篇内插法
  • 1篇光学
  • 1篇光学常数
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇硅衬底
  • 1篇硅纳米孔柱阵...
  • 1篇发光
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇K转换

机构

  • 3篇郑州大学

作者

  • 3篇李新建
  • 3篇李亚勤
  • 2篇姜卫粉
  • 2篇许海军
  • 2篇孙新瑞
  • 1篇董永芬
  • 1篇肖顺华

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇郑州大学学报...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
制备条件对硅纳米孔柱阵列表面硅柱密度调制被引量:1
2008年
采用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)是一种具有规则层次结构的硅微米/纳米结构复合体系,具有广谱光吸收和光致发光特性。针对由HF和Fe(NO3)3组成的水热腐蚀溶液体系,研究了溶液组分浓度、腐蚀温度等制备条件对Si-NPA表面硅柱密度及其光致发光性能(PL)的调制作用。结果表明,当腐蚀温度、HF(或Fe3+)浓度固定而变化Fe3+(或HF)浓度时,硅柱面密度随HF(或Fe3+)浓度的增加呈指数减小趋势,但样品的PL峰位保持不变;当溶液中Fe3+,HF浓度固定时,硅柱面密度随腐蚀温度的升高而单调减小,同时样品的PL峰位发生蓝移、发光强度增强。
李亚勤孙新瑞许海军姜卫粉李新建
关键词:硅纳米孔柱阵列光致发光
无电镀沉积于硅衬底上铜纳米晶的场发射性能(英文)被引量:1
2007年
采用无电镀沉积技术在经过机械抛光的单晶硅衬底上沉积了铜纳米晶。利用X射线衍射数据,估算出所沉积铜纳米晶的平均粒径大约为40nm。对120s无电镀沉积样品的场发射测试表明,该样品的开启场强为~5.5 V/μm,在场强达到9.26 V/μm时的场发射电流密度可达到62.5μA/cm2。对相应的沉积过程和场发射机理进行了分析。结果表明,无电镀沉积技术有可能成为制备具有较好场发射性能的金属/硅冷阴极的一种可供选择的方法。
姜卫粉董永芬肖顺华李亚勤李新建
关键词:场发射
新的数值积分法及其在光学常数计算中的应用被引量:2
2007年
针对利用K-K转换关系计算光学常数时,需要对实验测得光反射谱的离散数据进行数值积分,而利用通常的数值积分方法存在较大的偏差,提出了一种新的数值积分法,即双抛物线比例内插法(DPPIM).该方法在分段二次插值的基础上,将两条二次插值曲线在其重叠区间按比例组合,得到一条光滑的三次插值曲线.将该光滑曲线在整个区间上积分,就可有效解决无边界条件、复杂离散数据的数值积分问题.利用实验测量的单晶硅光反射谱,计算了单晶硅的光学常数、能带特性.计算结果表明,DPPIM方法在处理复杂离散实验数据的数值积分方面具有优越性.
孙新瑞许海军李亚勤李新建
关键词:数值积分法光学常数
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