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李俊强

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇单晶
  • 6篇单晶薄膜
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 4篇衬底
  • 3篇超高真空
  • 2篇电子器件
  • 2篇探测器
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇蓝宝石衬底
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子器件
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 1篇电池
  • 1篇电性
  • 1篇电学性能
  • 1篇短波长

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇梅增霞
  • 8篇杜小龙
  • 8篇李俊强
  • 6篇刘尧平
  • 6篇梁会力
  • 4篇侯尧楠
  • 4篇崔秀芝
  • 3篇叶大千
  • 3篇刘章龙
  • 2篇梁爽
  • 2篇张生利

传媒

  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇第五届届全国...
  • 1篇2011中国...

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
MgO(110)模板上Cu2O薄膜的控制生长与电性调控
本文利用射频等离了体辅助分子束外延方法，在氧化镁衬底上通过优化界面工艺，制备了电学性能较好的氧化亚铜薄膜。薄膜的电阻率最低可到7.02Ωcm，迁移率为30-40cm2/Vs，载流了浓度约为2.5x1016cm-3，与目前...
刘利书梅增霞李俊强梁会力刘尧平杜小龙
关键词：氧化物半导体分子束外延生长电学性能
文献传递
一种氧化亚铜薄膜的制备方法
本发明公开了一种氧化亚铜薄膜的制备方法，包括：1)选取单晶衬底并清洗，然后将其导入超高真空制膜系统；2)在超高真空下对单晶衬底进行热处理，以去除其表面杂质；3)在气压≤10<Sup>-8</Sup>mbar条件下，在步骤...
李俊强梅增霞叶大千崔秀芝杜小龙
文献传递
ZnO（0001）/蓝宝石模板上Cu（111）纳米岛的氧化过程研究
＜正＞作为一种直接带隙半导体材料,氧化亚铜可用在透明导电薄膜、自旋电子器件、光伏产业以及光催化等研究领域,因此具有非常重要的科学研究价值和广泛的工业应用前景。氧化亚铜天然表现为p型导电,禁带宽度约2.1eV,对太阳光
李俊强梅增霞刘尧平梁会力侯尧楠杜小龙
文献传递
Cu2O单晶薄膜的界面控制外延生长及氧化动力学过程研究
李俊强梅增霞叶大千刘尧平梁会力侯尧楠杜小龙
一种基于PIN异质结构的短波长紫外发光材料的制备方法
本发明公开了一种基于PIN异质结构的短波长紫外发光材料的制备方法，即分五步依次在超高真空环境下热处理及氮处理衬底获得清洁平整的表面、低温沉积1～5nm厚的金属镁、钙或锶单晶薄膜、低温氧化金属膜以获得金属氧化物单晶层、高温...
梁会力梅增霞崔秀芝刘章龙李俊强杜小龙
文献传递
一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，该方法通过“表面+界面+缓冲层”的生长方法在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，具体步骤为：对蓝宝石(0001)衬底表面进行超高真空热处理结合氧等离子...
梅增霞梁会力梁爽刘章龙李俊强侯尧楠刘尧平崔秀芝张生利杜小龙
文献传递
一种制备Cu<Sub>2</Sub>O薄膜的方法
本发明提供一种在蓝宝石衬底上制备Cu<Sub>2</Sub>O单晶薄膜的方法，包括：在蓝宝石衬底上沉积MgO缓冲层；在MgO缓冲层上沉积Cu<Sub>2</Sub>O单晶薄膜。
叶大千梅增霞李俊强刘尧平杜小龙
文献传递
一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，该方法通过“表面+界面+缓冲层”的生长方法在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，具体步骤为：对蓝宝石(0001)衬底表面进行超高真空热处理结合氧等离子...
梅增霞梁会力梁爽刘章龙李俊强侯尧楠刘尧平崔秀芝张生利杜小龙
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