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李延钊

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇发光
  • 6篇电致发光
  • 6篇有机电致发光
  • 6篇发光器件
  • 5篇电致发光器件
  • 5篇有机电致发光...
  • 3篇有机发光
  • 3篇有机发光二极...
  • 3篇注入电流
  • 3篇硅基
  • 3篇二极管
  • 3篇发光二极管
  • 2篇低能
  • 2篇低能电子
  • 2篇电子传输
  • 2篇电子传输材料
  • 2篇阳极
  • 2篇受主
  • 2篇能级
  • 2篇伽玛

机构

  • 7篇北京大学

作者

  • 7篇李延钊
  • 6篇秦国刚
  • 6篇冉广照
  • 4篇徐万劲
  • 2篇乔永平
  • 1篇陈挺

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
体硅和薄膜硅阳极有机电致发光
本文较为系统地研究了以体硅和薄膜硅为阳极的有机电致发光。一般硅基有机发光二极管采用p型硅作阳极，而本文利用硅中的深中心，使得n型硅也可以很好的作为有机发光器件的阳极。具体来说，向n+-Si禁带中引入在反向偏压下能起到产生...
李延钊
一种有机电致发光器件及其制备方法
本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该发光器件包括n<Sup>+</Sup>-Si:Au硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层。该器件的阳极的空穴注入机制不同于现有技术，该机制是空穴从Au产生中心...
秦国刚李延钊冉广照乔永平
有机或无机电致发光器件、器件阳极及制备方法
本发明提供一种有机或无机电致发光器件、器件阳极及制备方法，属于有机或无机电致发光器件领域。本发明利用金属及其硅化物层与多晶硅层并联增强电流传导性，提出用纳米厚度多晶硅与金属硅化物复合薄膜作为发光器件阳极，从而克服目前常见...
徐万劲秦国刚李延钊冉广照
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一种有机电致发光器件及其制备方法
本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该发光器件包括n<Sup>+</Sup>-Si:Au硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层。该器件的阳极的空穴注入机制不同于现有技术，该机制是空穴从Au产生中心...
秦国刚李延钊冉广照乔永平
文献传递
一种硅基有机电致发光器件及其制备方法
本发明公开了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，该器件的阳极是一含产生中心的n-Si薄膜电极。在衬底上直接溅射n-Si超薄层，或者沉积一导电薄层后再溅射n-Si超薄层，然后通过金属诱导晶化形成n-Si薄膜，随后在其中引...
秦国刚李延钊陈挺徐万劲冉广照
文献传递
一种硅基有机电致发光器件及其制备方法
本发明提供了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，属于有机电致发光器件领域。本发明通过对n型硅片进行辐照，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明主要利用低能电子或伽玛射线等对n型硅进行辐照，在n型硅中引入深能级缺陷，...
秦国刚李延钊冉广照徐万劲
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一种硅基有机电致发光器件及其制备方法
本发明提供了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，属于有机电致发光器件领域。本发明通过对n型硅片进行辐照，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明主要利用低能电子或伽玛射线等对n型硅进行辐照，在n型硅中引入深能级缺陷，...
秦国刚李延钊冉广照徐万劲
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