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杨凌

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 4篇电路
  • 3篇欧姆接触
  • 2篇电容
  • 2篇电容式
  • 2篇设计师
  • 2篇生长介质
  • 2篇欧姆接触电极
  • 2篇自我
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片面积
  • 2篇接触电极
  • 2篇集成电路
  • 2篇辐射探测器
  • 2篇辅助保护
  • 2篇背栅
  • 2篇SI基
  • 2篇ESD保护
  • 2篇大规模集成电...
  • 1篇淀积
  • 1篇原子层淀积

机构

  • 6篇中国航天科技...

作者

  • 6篇杨凌
  • 2篇尹飞
  • 2篇王鹏
  • 2篇王忠芳
  • 2篇唐威

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种电容式Si基辐射探测器件及其制备方法
一种电容式Si基辐射探测器件及其制备方法，该器件包括Si衬底层，Si衬底层的上方设有埋氧层，埋氧层上从中心向四周依次设有金属填充区、栅介质区、Si薄膜层、欧姆接触注入区和氧化隔离层，欧姆接触注入区的上方设有欧姆接触区，金...
杨凌
文献传递
基于SOI CMOS工艺的辐射探测器件及其制备方法
一种基于SOI？CMOS工艺的辐射探测器件及其制备方法，埋氧氧化层上从内向外依次设有Si薄膜区、源极或漏极注入区和介质隔离区，Si薄膜区上嵌有体区注入区，源极或漏极注入区和体区注入区上设有欧姆接触电极；埋氧氧化层下设有S...
杨凌
文献传递
一种具有自我ESD保护的输入输出电路
本发明公开了一种具有自我ESD保护的输入输出电路，通过添加体区控制电路、辅助保护管和辅助保护管控制电路，使得输入输出电路具有自我ESD保护功能。和其它输入输出电路相比，该电路不需要额外添加ESD保护电路，缩小了芯片面积，...
王忠芳唐威杨凌尹飞王鹏包谦
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一种电容式Si基辐射探测器件及其制备方法
一种电容式Si基辐射探测器件及其制备方法，该器件包括Si衬底层，Si衬底层的上方设有埋氧层，埋氧层上从中心向四周依次设有金属填充区、栅介质区、Si薄膜层、欧姆接触注入区和氧化隔离层，欧姆接触注入区的上方设有欧姆接触区，金...
杨凌
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基于SOI CMOS工艺的辐射探测器件及其制备方法
一种基于SOI CMOS工艺的辐射探测器件及其制备方法，埋氧氧化层上从内向外依次设有Si薄膜区、源极或漏极注入区和介质隔离区，Si薄膜区上嵌有体区注入区，源极或漏极注入区和体区注入区上设有欧姆接触电极；埋氧氧化层下设有S...
杨凌
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一种具有自我ESD保护的输入输出电路
本发明公开了一种具有自我ESD保护的输入输出电路，通过添加体区控制电路、辅助保护管和辅助保护管控制电路，使得输入输出电路具有自我ESD保护功能。和其它输入输出电路相比，该电路不需要额外添加ESD保护电路，缩小了芯片面积，...
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