王应民
- 作品数：35 被引量：38H指数：4
- 供职机构：南昌航空大学更多>>
- 发文基金：江西省材料科学与工程研究中心基金江西省教育厅科学技术研究项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- PTCR陶瓷材料的半导化及显微组织的研究
- 2001年
- 研究了PTCR陶瓷半导化过程。使用sol-gel法合成 (Ba0 .8Sr0 .2 )TiO3 超细微粉 ,掺入钇元素及烧结助剂 ,在合理的温度制度下烧成PTCR陶瓷。为跟踪陶瓷半导化过程 ,在不同温度阶段冷却陶瓷样品和在升温阶段不同温度点冷却陶瓷样品 ,利用SEM、XRD进行分析陶瓷的结构 ,利用交流阻抗仪分析陶瓷施主浓度 ,结果表明PTCR陶瓷半导化仅与升温阶段有关。
- 蔡莉王应民
- 关键词：PTCR陶瓷半导化显微结构功能材料
- 新型多晶硅制绒工艺
- 本发明为新型多晶硅制绒工艺，结合了电化学腐蚀和化学酸腐蚀制绒特点。首先采用电化学腐蚀法对多晶硅进行刻蚀，然后采用化学酸腐蚀法进行二次腐蚀。不仅能够克服化学酸腐蚀过程中腐蚀速度不易控制等问题，同时也能解决电化学腐蚀法中腐蚀...
- 王应民程泽秀李清华李禾
- 文献传递
- PECVD法制备的ZnO薄膜结晶性能的影响被引量：2
- 2007年
- 报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电镜分别对不同衬底温度生长的薄膜样品进行了组成、表面和横截面的形貌表征,并且测试了薄膜的PL谱。研究结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。随衬底温度的升高,ZnO薄膜的结晶取向性开始增强,晶粒尺寸增大。在衬底温度约为450℃时,生长的ZnO薄膜有很强的择优取向性。
- 王应民孙云杜楠蔡莉李禾程国安
- 关键词：SI(111)ZNO薄膜等离子体增强化学气相沉积X射线衍射仪原子力显微镜
- 溶胶凝胶法制备PTCR材料用(Ba,Sr)TiO_3粉体被引量：9
- 2003年
- 探索用改进的溶胶凝胶法制备超细钛酸钡锶粉体超微粉。雾化钛酸钡锶溶胶,溶胶粒子在加热基体上快速凝胶,不仅缩短粉体的制备时间,而且制得粉体的粒径均匀。
- 王应民陈志坚
- 关键词：SOL-GEL超微粉
- 硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池工艺
- 本发明是以硅薄膜为衬底的铜铟镓硒(Cu(In，Ga)Se<Sub>2</Sub>简称CIGS)薄膜双结太阳电池，采用多种薄膜沉积技术制备出该双结太阳电池。该双结太阳电池分为上电池和下电池。巧妙的将下电池薄膜化，提高了下电...
- 王应民张婷婷蔡莉李清华李禾程泽秀
- 文献传递
- 多次生长-退火处理技术外延生长GaSb薄膜的新方法
- 本发明公开了多次生长‑退火处理技术外延生长GaSb薄膜的新方法，通过控制Ga和Sb蒸发速率和Ga与Sb束流比，在玻璃或单晶硅衬底表面低温生长10‑50nm缓冲层，并升高衬底温度进行退火，使新沉积缓冲层表面初步结晶；然后升...
- 王应民曹佳峻刘鹏亮王琴
- 铜铟镓硒太阳电池窗口层沉积的一种新方法
- 本发明公开了一种CIGS太阳电池器件的制备工艺和一种直流辉光等离子体化学气相沉积Zn(O，S)、ZnO薄膜的反应系统，反应系统包括真空反应罩，上、下进气管，绝缘座，特征是在石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔，...
- 王应民孙云蔡莉李长健孙国忠杜楠李禾
- 文献传递
- 硅基ZnO薄膜组织形貌的研究
- 2007年
- 本文采用自行设计PECVD的设备生长ZnO薄膜,以在等离子体作用下的CO2/H2作为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃、450℃。使用原子力显微镜和带能谱的环境扫描电镜分析这两个ZnO薄膜样品的表面和断面组织形貌。实验结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。在衬底温度为450℃时生长薄膜样品,晶粒之间存在有规律的聚集,主要按六方环结构排布,比在衬底温度为400℃生长的薄膜的晶粒之间的聚集更有规律,这与XRD测试结果相吻合;薄膜的断面组织形貌图也进一步证实了在衬底温度为450℃时生长的ZnO薄膜,C轴高度择优取向。从薄膜的断面组织形貌图还可以看到,薄膜与单晶硅衬底之间界面几乎是一条直线,样品经过高温退火处理,薄膜未出现裂纹或卷起,说明薄膜与单晶硅之间存在一定的化学键合。
- 蔡莉熊波王应民李禾
- 关键词：SI(111)ZNO薄膜ESEMXRD
- 直流辉光等离子体气相沉积装置
- 本实用新型公开了一种直流辉光等离子体气相沉积装置，它包括真空反应罩、上进气管、下进气管、绝缘座，特征是在真空反应罩内的石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔，上、下出气管的上端分别伸在上、下气腔内，上出气管的下端...
- 王应民张萌蔡莉李禾程国安徐飞
- 文献传递
- 三元体系化学水浴法制备ZnS薄膜结晶性能的研究
- 太阳薄膜电池 ZnS 缓冲层一般以氨水为主络合剂、水合肼为辅助络合剂二元络合体系化学水浴法制备．实验发现以氨水为主络合剂、水合肼和柠檬酸为辅助络合剂三元体系制备的 ZnS 薄膜质量明显要比氨水、水合肼二元体系的 ZnS ...
- 王应民孙云蔡莉杜楠孙国忠李禾
- 关键词：ZNS薄膜透射光谱柠檬酸
- 文献传递
