王文武
- 作品数：7 被引量：5H指数：1
- 供职机构：兰州大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 离子束合成的钇硅化物结构相变研究
- 2003年
- 为了获得高品质的欧姆接触和线路连接材料,利用离子注入方法在n型单晶Si(111)基底上制备了钇硅化物,并对其在高真空下红外光辐照处理过程中的结构相变进行了研究.X射线衍射测量表明,在Y离子注入过程中已形成了部分六方相YSi2,800℃下红外光辐照处理30min后YSi2呈现出择优结晶取向.从辐照过程中原位测量样品的方块电阻变化发现,当温度升至160℃时,Y与Si反应首先形成了斜方相YSi.YSi/YSi2的相转变出现在240°C,随温度的进一步升高,Y原子完全与Si原子发生反应,形成了结晶取向良好的六方相YSi2.
- 王文武姜宁谢二庆贺德衍
- 关键词：单晶硅X射线衍射超大规模集成电路
- 稀土(Yb,Gd)硅化物的固相外延与红外、喇曼光谱研究
- 本文报道用共蒸发法并辅助原位退火在单晶硅上制备稀土硅化物外延层.利用2.5MeV<'+>Li<'7>卢瑟福背散射研究了外延层中的原子浓度及其分布,用红外透射谱和喇曼光谱测量得到了不同退火温度下这些稀土硅化物的红外特征吸收...
- 谢二庆王文武张亚涛贺德衍
- 关键词：固相外延生长红外吸收光谱喇曼光谱
- 文献传递
- 锰硅化物的固相反应生长研究被引量：5
- 2002年
- 报道了利用固相反应方法在单晶Si(10 0 )衬底上制备锰硅化物薄膜 .实验发现 ,样品在固相反应过程中经历了两种相转变 ,即反应温度为 45 0℃时形成了立方相MnSi,达到 5 5 0℃时形成了四方相MnSi1 73 .随着反应温度的提高 ,薄膜呈现取向生长 .利用四探针法对固相反应过程中化合物薄层方块电阻的原位测量表明 ,立方相开始形成的温度约为 410℃ ,由立方相向四方相转变的起始温度约为 5 30℃ .
- 谢二庆王文武姜宁贺德衍
- 关键词：固相反应红外光谱薄膜生长
- 钇硅化物的合成及相变研究
- 2002年
- 利用离子注入的方法在Si（111）衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层,并对其进行了结构及电学特性的研究.钇注入剂量为1×1018Y+cm-2,注入能量为100keV.利用X射线衍射（XRD）及卢瑟福背散射技术（RBS）得到了注入样品的结构相.结果显示,在对衬底Si进行Y离子注入的过程中就已经形成了YSi2相,在随后的红外光辐照退火过程中,样品呈现出了取向生长的趋势.利用RBS的测量分析了注入层中的Y离子在样品不同深度处的浓度分布.利用四探针法对刚注入的样品进行了红外光辐照过程中的原位方块电阻测量,结果显示,当退火温度升到160℃时,样品中形成了斜方的YSi亚稳相;而240℃则对应着YSi-YSi2的相转变点。
- 谢二庆王文武姜宁贺德衍
- 关键词：离子注入相变电学性能
- 离子束合成钇硅化物的结构及红外谱特征
- 2003年
- 将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层 .利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式 .结果表明 ,Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2 结构相 .真空下的红外光辐照处理促使YSi2 择优取向生长 ,埋层中Si与Y的平均原子浓度比由2 4下降为 2 0 ,与六方YSi2 的化学计量比一致 .还给出了钇硅化物的特征红外吸收谱 .
- 王文武谢二庆贺德衍
- 关键词：离子束合成离子注入大规模集成电路
- 离子束合成的钇硅化物结构相变研究
- 利用离子注入方法在Si(111)衬底上制备出钇硅化物,并对其结构相变进行了研究.X射线衍射测量表明,在注入过程中已形成了部分六方相YSi <,2>,退火后YSi <,2>呈现择优取向.从退火过程中原位测量样品的方块电阻发...
- 王文武姜宁谢二庆贺德衍
- 关键词：离子注入固相反应电阻测量
- 文献传递
- 稀土硅化物YbSi<,2-x>的固相外延及原位电阻率测量
- 用共蒸发方法将高纯稀土金属镱和多晶硅材料以原子比1:2蒸发在单晶硅和SiO<,2>衬底上得到了非晶稀土硅化物,然后对其进行红外退火和原位电阻率测量.用2.5MeV<'+>Li<'-7>背散射技术确定了材料中的成分及其分布...
- 王文武谢二庆张亚涛姜宁贺德衍
- 关键词：固相外延生长
- 文献传递
