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王新强
作品数:
185
被引量:13
H指数:2
供职机构:
北京大学
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国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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电子电信
理学
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合作作者
沈波
北京大学物理学院宽禁带半导体研...
盛博文
北京大学
许福军
北京大学物理学院宽禁带半导体研...
荣新
北京大学
王平
北京大学
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2009
1篇
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1篇
2000
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185
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Ⅱ型In0.17Al0.83N/GaN异质结构的实验证明及理论研究
通过X射线光电子能谱(XPS)、光致发光谱(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)等手段,我们研究了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结构界面处的能带结构.研究样品为利用MOCVD技术生长的InAlN薄膜以及相...
王嘉铭
许福军
宋杰
王新强
葛惟昆
杨志坚
沈波
一种高指数晶面六方氮化硼薄膜的制备方法
本发明公开了一种高指数晶面六方氮化硼薄膜的制备方法。本发明在高指数晶面衬底上形成单晶AlN模板层构成高指数晶面衬底,在单晶AlN模板层上形成氧富集的Al<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>薄层;在Al<Su...
王新强
刘放
王涛
陈兆营
盛博文
沈波
一种GaN衬底的制备方法
本发明提供了一种GaN衬底的制备方法,属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是:在衬底(如Si,蓝宝石,SiC等)外延生长表面上形成一过渡层,该过渡层为含有碳纳米管的InN、高In组分InGaN材料或GaA...
于彤军
龙浩
张国义
吴洁君
贾传宇
杨志坚
王新强
文献传递
应力调控的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究
高铝组分AlxGa1-xN/GaN (x>O.3)多量子阱结构由于在紫外LED、3-5lμm大气窗口波段的光电探测和1.3μm及1.55U m的光通信波段器件上具有巨大的应用前景,目前正成为国际上的研究热点。然而高Al组...
黄呈橙
许福军
许正昱
王嘉铭
张霞
王新强
沈波
关键词:
化合物半导体材料
多量子阱结构
文献传递
p型沟道的III-V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种p型沟道的III‑V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法。本发明的p型沟道的III‑V族异质结构包括:衬底、缓冲层、势阱层、二维空穴气和势垒层,二维空穴气为极化诱导形成,无需掺杂;本发明的HEMT器件中...
王新强
杨流云
郭镛彬
王平
刘放
魏嘉琪
王锦林
叶昊天
张振宇
沈波
全组分InGaN薄膜的MBE生长及其物性研究
本文利用分子束外延(MBE)设备,采用调节生长温度控制In组分的方法,获得了高质量的全组分InxGa1-xN合金薄膜,并对其b因子进行了深入研究。
刘世韬
王新强
陈广
冯丽
马定宇
沈波
关键词:
半导体材料
分子束外延生长
一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用
本发明涉及一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括:在化学气相沉积法制备AlGaN过程中,对生长中断过程中Ga和Al金属原子的脱附速率进行控制,得到具有周期变化的Al<Sub>x</Sub>Ga<S...
许福军
沈波
王明星
解楠
孙元浩
刘百银
王新强
秦志新
文献传递
Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法及其应用
本发明涉及生物质太阳能炼化技术领域,尤其涉及一种Au‑In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法及其应用,包括通过光沉积方法在外延III族氮化物上负载Au基二元纳米颗粒,具体步骤包括,将Si片上外延生长的III族氮...
周宝文
王新强
王舟舟
盛博文
渐变InGaN的分子束外延生长
Ⅲ族氮化物因其宽直接带隙、高稳定性、高热导率、介电常数小、抗辐射以及组成合金后的宽发光光谱的优异特性,吸引了越来越多的注意力,在光电子器件以及微电子领域有着越来越广泛的用途.2002年,随着高质量InN膜的成功制备, 发...
郑显通
王新强
马定宇
荣新
王平
沈波
一种补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜的制备方法
本发明公开了一种补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜的制备方法。本发明利用离子注入和热退火工艺,得到补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜;本发明既能够通过大剂量、大能量和高深度的近下表面氮离子注入,解决由于应力引起的...
王新强
王睿
王平
叶昊天
盛博文
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