公共文化服务平台

共 6 条记录，以下是 1-6

全选清除导出

排序方式：

Fe-N共掺杂锐钛矿相TiO_2电子性质与光学性质的第一性原理研究被引量：8: 2010年; 近年来,Fe和N掺杂锐钛矿相TiO_2半导体在实验中发现许多优异性能,本文采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了纯锐钛矿相TiO_2、Fe和N单掺杂及Fe和N共掺杂TiO_2的能带结构、电荷布居、态密度和光学性质.分析发现:Fe掺杂引起杂质能带位于禁带中央,杂质能带最高点与导带相距大约0.6 eV而最低点与价带相距大约0.2 eV;N掺杂引起的杂质能带位于价带顶部附近.Fe和N共掺杂后杂质能带由两部分组成,位于价带顶上方0.62 eV和导带底下方0.22 eV处,其中一层杂质能带主要由N原子的2p轨道和Fe原子的3d轨道杂化形成,而另一条杂质能带主要由Fe原子的3d轨道形成,由于杂质能级的出现,使锐钛矿TiO_2的禁带宽度变小.对光学性质分析发现:Fe和N共掺杂会使锐钛矿TiO_2光学吸收带边红移,可见光区的光吸收系数明显增大,在低能区出现了新的吸收峰,对应能量为1.82 eV,与实验结果相符.; 冯庆王渭华; 关键词：锐钛矿相TIO2 第一性原理

N-S共掺杂金红石相TiO_2电子结构与光学性质的第一性原理研究被引量：8: 2012年; 采用基于第一性原理的平面波超软赝势方法研究N和S单掺杂以及N和S共掺杂金红石相TiO2的能带结构,态密度和光学性质.结果表明:N掺杂导致禁带宽度减小为1.43 eV,并且在价带上方形成了一条杂质能带;S掺杂导致费米能级上移靠近导带,直接带隙减小为0.32 eV;N和S共掺杂导致能带结构中出现了两条杂质能带,靠近导带的一条杂质能级距离导带底约0.35 eV,靠近价带的一条杂质能级距离价带顶约0.85 eV,杂质能级主要由N原子的2p轨道和S原子的3p轨道组成.N和S掺杂后不但使TiO2的吸收带产生红移,而且在可见光区具有较大的吸收系数,光催化活性增强.; 冯庆王寅王渭华岳远霞; 关键词：金红石第一性原理

Fe--N共掺杂锐钛矿TiO2与其表面吸附NO性质的第一性原理研究: 用光催化氧化技术可有效去除污染物，而光催化技术的核心是光催化剂，纳米二氧化钛(TiO2)因有较高的催化性等特点处于光催化研究中的核心地位。在TiO2的三种晶型中锐钛矿TiO2比金红石型活性更高，这使它在光催化方面更有效，...; 王渭华; 关键词：锐钛矿相TIO2 第一性原理掺杂改性; 文献传递

Fe-N共掺杂锐钛矿TiO2与其表面吸附NO性质的第一性原理研究: 用光催化氧化技术可有效去除污染物，而光催化技术的核心是光催化剂，纳米二氧化钛（TiO2）因有较高的催化性等特点处于光催化研究中的核心地位。在TiO2的三种晶型中锐钛矿TiO<s...; 王渭华; 关键词：第一性原理密度泛函理论

Cr、Mn掺杂锐钛矿相TiO2的第一性原理研究被引量：4: 2011年; 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势的方法,研究了纯锐钛矿相TiO2、Cr、Mn单掺杂TiO2的能带结构、电荷布居、态密度和光学性质。对电子性质分析发现:Mn掺杂引起杂质能带位于禁带中央,杂质能带最高点与导带相距大约0.6 eV,而最低点与价带相距大约0.65 eV,其中杂质能带主要由O原子的2p轨道和Mn原子的3d轨道杂化形成;Cr掺杂引起杂质能带位于导带底附近,杂质能带最高点与导带相距大约0.1 eV,而最低点与价带相距大约1.3 eV,其中杂质能带主要由O原子的2p轨道和Cr原子的3d轨道杂化形成,由于杂质能级的出现,使锐钛矿TiO2的禁带宽度变小。对光学性质分析发现:Cr、Mn单掺杂会使锐钛矿TiO2光学吸收带边红移,可见光区的光吸收系数明显增大,在低能区出现了新的吸收峰,Cr掺杂吸收峰对应能量为1.92 eV,Mn掺杂吸收峰对应能量为1.82 eV,与实验结果相符。; 王渭华冯庆; 关键词：锐钛矿相TIO2 第一性原理密度泛函理论

碳-锌共掺杂锐钛矿相TiO_2电子结构与光学性质的第一性原理研究被引量：17: 2012年; 近年来的理论和实验研究表明,通过不同离子共掺杂TiO_2是减小其禁带宽度的一种有效方法.本文采用基于第一性原理的平面波超软赝势方法研究了C和Zn共掺杂TiO_2的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明C-Zn共掺杂导致导带相对Fermi能级发生了明显的下降,同时在TiO_2的导带下方与价带上方形成了新的杂质能级,使TiO_2的禁带宽度变小,TiO_2的光学吸收带边产生红移.杂质能级可以降低光激发产生的电子-空穴对的复合概率,提高TiO_2的光催化效率.此外,掺杂后TiO_2在可见光区的吸收系数有明显增加,能量损失也明显减小.; 王寅冯庆王渭华岳远霞; 关键词：第一性原理电子结构光学性质

全选清除导出

共1页<1>

王渭华