2025年1月10日
星期五
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王磊
作品数:
92
被引量:27
H指数:2
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李博
中国科学院微电子研究所
景玉鹏
中国科学院微电子研究所
赵发展
中国科学院微电子研究所
韩郑生
中国科学院微电子研究所
张紫辰
中国科学院微电子研究所
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一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统
本实用新型公开了一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统,包括:氟化氢源、液态二氧化碳源、第一流量控制阀、第二流量控制阀、加热器、高压泵、高压密闭腔室(5)、针型阀(8)、溢出腔(9)、碱性溶液(10)、过滤纯化装置(11)和冷凝...
王磊
惠瑜
高超群
景玉鹏
文献传递
一种二次谐波测量方法及测量仪器
本申请公开一种二次谐波测量方法及测量仪器,方法包括:获取入射激光束以第一入射角度照射在待测样品上形成的第一光斑面积;根据所述第一光斑面积和第一光学参数,获取标准光学功率密度;获取所述入射激光束以第二入射角度照射在所述待测...
赵泓达
李博
王磊
王然
张紫辰
张昆鹏
滕瑞
刘海南
赵发展
二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置
本发明提供了一种二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置,该二次谐波表征光学系统通过增加耦合联动机构,入射臂在圆弧导轨上滑动时,能够同步带动出射臂在圆弧导轨上耦合联动,使出射臂同步粗调到二次谐波信号的传输光路上,...
王然
张喆
张昆鹏
赵泓达
岳嵩
王磊
李博
张学文
张紫辰
文献传递
一种半导体器件的制作方法及半导体器件
本申请提供了一种半导体器件的制作方法,该半导体器件的制作方法,包括:提供一基板,具有相对的第一表面和第二表面;在第一表面形成功能层;在所述功能层的内部形成缺陷;在所述功能层背离所述基板一侧形成电极结构。通过向功能层发射高...
钟傲雪
朱慧平
王磊
陆芃
李晓静
李博
打孔系统及方法
本发明公开了一种打孔系统包括:CO<Sub>2</Sub>气瓶、HF气瓶、用于形成CO<Sub>2</Sub>和HF的混合气体且使所述混合气体中的CO<Sub>2</Sub>达到超临界态的控制装置及用于对玻璃片打孔的反应...
王磊
景玉鹏
文献传递
一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法
本发明公开一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法,属于半导体领域。以解决由于主从结构的引入增加了较多的晶体管和增加了较多的控制信号,会增大芯片面积,增加功耗的技术问题。所述SRAM单元结构包括存储元,所述...
宿晓慧
苏泽鑫
李博
王磊
张学文
罗家俊
韩郑生
文献传递
基于超临界二氧化碳微乳液干燥的装置及方法
本发明公开了一种基于超临界二氧化碳微乳液的干燥装置及方法,利用液态二氧化碳置换水基清洗液,然后加入表面活性剂并加热二氧化碳使其达到超临界态对光刻胶或MEMS中的微结构等进行干燥。该方法由于避免了气液界面的产生和防止了表面...
王磊
景玉鹏
文献传递
集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
2024年
随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固技术的研究进展进行了介绍和总结,为抗辐射工艺加固技术的发展与应用提供了有益参考。
李博
王磊
李博
王磊
王磊
舒磊
关键词:
总剂量效应
单粒子效应
集成电路
功率器件
一种过渡金属硫化物及其制备方法
本发明公开了一种过渡金属硫化物的制备方法,包括:获得衬底,所述衬底包括氧化物层;在所述氧化物层上制备N层过渡金属硫化物,获得待处理样品;N≥2且为整数;对所述待处理样品进行射线辐照。上述方法通过射线辐照在衬底氧化物层与过...
朱慧平
熊国栋
李博
王磊
郑中山
李梦达
一种可检真空度的真空玻璃及系统
本发明提供的一种可检真空度的真空玻璃及系统,所述真空玻璃包括:第一平板玻璃、第二平板玻璃、封口片和真空计;所述第一平板玻璃和所述第二平板玻璃相对设置,所述第一平板玻璃和所述第二平板玻璃之间的边部设置有真空密封,所述第一平...
王磊
孔延梅
焦斌斌
李博
赵发展
韩郑生
罗家俊
刘新宇
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