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王美荣

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇EEPROM
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体工艺
  • 2篇存储器
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇热氧化
  • 1篇阈值电压
  • 1篇开启电压
  • 1篇击穿电压
  • 1篇SIO
  • 1篇掺杂
  • 1篇超薄

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇费圭甫
  • 3篇蒋志
  • 3篇王纪民
  • 3篇乔忠林
  • 3篇吴正立
  • 3篇严利人
  • 3篇王美荣
  • 1篇王勇

传媒

  • 3篇微电子学

年份

  • 3篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
超薄SiO_2层的热生长
1996年
隧道小孔中超薄ＳＩＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ艺模拟程序对超薄ＳＩＯ２的热生长进行了工艺模拟。经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳＩＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳＩＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。
吴正立严利人王纪民蒋志费圭甫王美荣乔忠林
关键词：存储器EEPROM半导体工艺超薄
掺砷多晶硅的热氧化被引量：1
1996年
在ＥＥＰＲＯＭ的研制中，为了研究掺砷多晶硅与单晶硅氧化的相对关系，进行了８００℃湿氧氧化和１０００℃干氧氧化实验。结果表明，经过工艺优化，选择适当的工艺方案，获得了较理想的多晶硅与单晶硅氧化速率比。
吴正立严利人王纪民蒋志费圭甫王美荣乔忠林
关键词：EEPROM半导体工艺多晶硅热氧化掺杂
EEPROM工艺中场开启电压的特殊要求与对策
1996年
ＥＥＰＲＯＭ要求场开启电压≥２０Ｖ，Ｐ－Ｎ结击穿电压也要求≥２０Ｖ，前者需提高场区杂质浓度，而后者则需要降低场区杂质浓度。通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛盾的对策：首先根据Ｐ－Ｎ结击穿电压的要求确定场区杂质浓度，继而大幅度调节场氧厚度，从而使二者都能满足要求。
吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫王美荣乔忠林
关键词：存储器EEPROM击穿电压
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共1页<1>
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