盛丽艳
- 作品数：4 被引量：8H指数：1
- 供职机构：北京师范大学低能核物理研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划北京市科技新星计划教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 带保护环结构的条形X光阵列探测器被引量：7
- 2003年
- 研究了带有保护环结构的条形 X光阵列探测器 ,结果表明 ,保护环的存在不仅降低了表面漏电 ,而且抑制了耗尽区的侧向扩展 .厚度为 30 0 μm的探测器样品 ,切割后的“死区”长度为 15 0 μm;环境温度为 18℃时 ,70 V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为 2 0 n A.
- 盛丽艳韩德俊张秀荣田晓娜王传敏杜树成谢凡王光甫
- 关键词：死区漏电流保护环
- 基于区熔单晶硅材料的掩埋双p-n结波长探测器的研究
- 该文针对BDJ波长探测器作了如下工作:(1)根据BDJ的工作原理对光电流比值随波长的变化关系进行了理论计算.光电流包括漂移电流和扩散电流两个部分,漂移电流根据光在硅材料中的光致产生电流可以得到,扩散电流则通过解加光情况下...
- 盛丽艳
- 关键词：硅材料光波长
- 掩埋双p-n结波长探测器的弱光探测被引量：1
- 2004年
- 为提高掩埋双p n结 (BDJ)波长探测器对弱光探测的信噪比 ,不采用其一般的光电导工作模式 ,而应用它的光伏工作模式 ,并借助锁相放大技术 ,测量上下 2个p n结的光生电压 ,不仅得到了光生电流比与波长的关系曲线 ,而且抑制了大量噪声 。
- 张秀荣盛丽艳韩德俊张保州
- 关键词：锁相放大弱光探测
- 高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究
- 2006年
- 报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15～1500 nW光功率(4个数量级)范围内,线性因子为0.9954,接近于Hamamatsu S1227-1010BQ光电二极管在同一光功率区间内的线性因子(0.9982).另外,这种光晶体管的增益在130左右且增益的起伏在1%以内时,偏压的变化允许在2.5%以内(40V±1V),温度的变化可允许±2℃.其增益对偏压及温度的稳定性优于线性模式下具有相近增益的雪崩光电二极管.
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- 关键词：光晶体管线性度
