程江
- 作品数：10 被引量：10H指数：3
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- ZnGeP<Sub>2</Sub>晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
- 一种ZnGeP<Sub>2</Sub>晶体的腐蚀剂，由冰醋酸、氢氟酸、硝酸、碘和纯净水配制而成，冰醋酸、氢氟酸、硝酸、纯净水的体积比为：冰醋酸∶氢氟酸∶硝酸∶纯净水＝1∶2∶2∶1，碘的质量∶冰醋酸体积＝4∶1。一种Zn...
- 朱世富赵北君陈宝军何知宇张羽程江
- 文献传递
- 通过退火研究ZnGeP2晶体中点缺陷与红外透过率的关系
- 以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和Ⅰ-Ⅴ曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×106Ω·cm。经定向切割后,得到10 mm×...
- 程江朱世富赵北君赵欣陈宝军何知宇杨慧光孙永强张羽
- 关键词：点缺陷退火红外透过率
- 文献传递
- ZnGeP_2单晶生长温场研究被引量：2
- 2009年
- 根据ZnGeP2（ZGP）晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达φ15 mm×35 mm。对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体易沿（101）面解理,其回摆峰尖锐无劈裂。对未经退火处理的晶片进行红外透过率测试,在2-12μm波段内红外透过率达45%以上。研究结果表明所设计的温场适合于ZGP单晶生长,生长出的ZGP晶体完整性好、质量较高。
- 孙永强赵北君朱世富赵欣杨慧光程江张羽陈宝军何知宇
- 关键词：晶体生长红外透过率X射线衍射
- 磷锗锌(ZnGeP_2)单晶体生长研究被引量：3
- 2008年
- 以高纯(6N)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料。以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹。对晶体进行解理试验发现,其存在(112)和(101)两个易解理面;对10×10×2 mm3ZnGeP2晶片,采用同成分粉末包裹,在550~600℃真空退火后,经红外透过率测试结果显示:在2~12μm波段内红外透过率可达55%以上。
- 赵欣朱世富赵北君杨慧光孙永强程江陈宝军何知宇
- 关键词：单晶生长X射线衍射红外透过率
- 我国劳动争议处理制度完善探析
- 我国现行的劳动争议处理制度曾经在调整劳动关系和维护劳动者及用人单位合法权益方面发挥了积极的作用。但随着我国改革开放的深入以及社会主义市场经济制度建设进程的加快，劳动争议日趋复杂。现行制度已不能满足现实的需要，出现了诸多弊...
- 程江
- 关键词：劳动争议调解仲裁劳动法庭
- 文献传递
- ZnGeP2晶体腐蚀丘观察研究
- 将I溶于体积比为1:2:2的CHCOOH,HF,HNO混合物中所形成的饱和溶液作为腐蚀剂,在冰水浴中对晶体进行超声振荡腐蚀20min,用扫描电镜观察研究了ZnGeP晶体的腐蚀丘形貌。腐蚀丘具有一定高度和大小,形状规则且具...
- 徐婷朱世富赵北君陈宝军何知宇程江范强
- 关键词：SEM
- 文献传递
- ZnGeP<Sub>2</Sub>晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
- 一种ZnGeP<Sub>2</Sub>晶体的腐蚀剂，由冰醋酸、氢氟酸、硝酸、碘和纯净水配制而成，冰醋酸、氢氟酸、硝酸、纯净水的体积比为：冰醋酸∶氢氟酸∶硝酸∶纯净水＝1∶2∶2∶1，碘的质量∶冰醋酸体积＝4∶1。一种Zn...
- 朱世富赵北君陈宝军何知宇张羽程江
- 文献传递
- 通过退火研究ZnGeP_2晶体中点缺陷与红外透过率的关系被引量：2
- 2008年
- 以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和I-V曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×106Ω.cm。经定向切割后,得到10mm×10mm×2mm的ZnGeP2晶片,分别置于高纯红磷和ZnGeP2同成分粉末的氛围,在550℃进行退火处理。结果表明,P气氛中退火,晶片红外透过率的提高不明显;而在ZnGeP2粉末包裹氛围中退火,晶片的红外透过率在短波范围内得到了有效提高,在2～10μm波段则提高到近60%左右,说明VZ-n对该条件下生长的ZnGeP2单晶红外透过率影响较大,而V0P的影响较小。
- 程江朱世富赵北君赵欣陈宝军何知宇杨慧光孙永强张羽
- 关键词：点缺陷退火红外透过率
- 磷锗锌单晶体的腐蚀研究被引量：3
- 2010年
- 报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl+HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶片,然后将晶片在室温下采用HF(40%)∶HNO3(65%)∶CH3COOH(99.5%)∶H2O∶I2=2 mL∶2 mL∶1 mL∶1 mL∶4 mg腐蚀剂超声振荡腐蚀8 min;在扫描电镜下观察到ZGP(110)和(204)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌清晰,具有立体感,(110)晶面蚀坑呈四边形,(204)晶面蚀坑呈五边形,取向一致,蚀坑密度(EPD)约为104/cm2。从理论上对蚀坑形貌的形成机理进行了分析。
- 张羽赵北君朱世富陈宝军何知宇孙永强程江梁栋程
- 关键词：化学腐蚀
- ZnGeP_2多晶合成爆炸原因分析与工艺改进被引量：3
- 2011年
- 分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象,实现了富余P与合成产物的有效分离。经X射线衍射仪、能量分散光谱仪测试表明:合成产物是高纯单相的ZnGeP2多晶材料。以此为原料,采用垂直布里奇曼法进行ZnGeP2晶体生长,获得了尺寸达Φ20 mm×60 mm外观完整、结晶性好的ZnGeP2单晶体。
- 赵欣朱世富程江
- 关键词：多晶合成晶体生长
