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罗勇

作品数:6 被引量:3H指数:1
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇炔基
  • 2篇吡喃
  • 2篇溴苯
  • 2篇钯催化
  • 2篇物理模型
  • 2篇卤代
  • 2篇卤代苯
  • 2篇纳米CMOS...
  • 2篇界面态
  • 2篇可靠性
  • 2篇苯并吡喃
  • 2篇PMOS器件
  • 2篇DPPH
  • 2篇催化
  • 1篇选择性
  • 1篇自适
  • 1篇自适应
  • 1篇自适应控制
  • 1篇温控
  • 1篇温控器

机构

  • 6篇复旦大学

作者

  • 6篇罗勇
  • 2篇吴劼
  • 1篇涂时亮

传媒

  • 1篇电子技术(上...
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 3篇2013
  • 2篇2009
  • 1篇1996
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种钯催化的2-亚甲基环丙烷溴苯和2-炔基苯酚的串联反应合成含有茚并苯并吡喃类化合物的方法
Gnetuhainin S,在清除DPPH自由基时,显示出很好的抗氧化活性[1].我们在合成这类骨架时,发展出以2-炔基卤代苯为原料,通过两次对三键的插入反应来构建Gnetuhainin S的相似结构(茚并苯并吡喃)的方...
潘小林罗勇吴劼
关键词:DPPH
自适应模糊温控器被引量:1
1996年
文章介绍自适应模糊控制在温度控制器中的应用;
罗勇涂时亮
关键词:自适应控制模糊控制开关控制温控器
纳米CMOS器件的NBTI效应及其物理模型
随着CMOS器件尺寸的缩小,栅介质厚度已经减薄到接近其物理极限。然而,电源电压减小的相对滞后导致的强电场引发了各种可靠性问题。其中负偏温度不稳定性(NBTI)是限制纳米CMOS器件寿命的主要因素之一。研究NBTI退化现象...
罗勇
关键词:PMOS器件可靠性界面态
文献传递
一种钯催化的2-亚甲基环丙烷溴苯和2-炔基苯酚的串联反应合成含有茚并苯并吡喃类化合物的方法
Gnetuhainin S,在清除DPPH自由基时,显示出很好的抗氧化活性[1].我们在合成这类骨架时,发展出以2-炔基卤代苯为原料,通过两次对三键的插入反应来构建Gnetuhainin S的相似结构(茚并苯并吡喃)的方...
潘小林罗勇吴劼
关键词:DPPH
纳米CMOS器件的NBT1效应及其物理模型
随着CMOS器件尺寸的缩小,栅介质厚度已经减薄到接近其物理极限。然而,电源电压减小的相对滞后导致的强电场引发了各种可靠性问题。其中负偏温度不稳定性(NBTI)是限制纳米CMOS器件寿命的主要因素之一。研究NBTI退化现象...
罗勇
关键词:PMOS器件可靠性界面态
利用炔键的选择性插入策略合成并环化合物及碳—氧键活化反应研究
根据天然产物词典的统计,在天然产物中有90%的化合物含有环状结构。在已经发展的各种合成环状化合物的方法中,利用对炔键插入反应成环是一种非常重要的方法。近年来,利用分子内或分子间选择性的两次炔键插入策略合成并环化合物也有较...
罗勇
共1页<1>
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