蔡勇
- 作品数：139 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家重大科学仪器设备开发专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学电气工程更多>>
- 氢等离子体处理p-GaN混合阳极二极管
- 于国浩唐文欣郝荣晖陈扶张晓东蔡勇张宝顺
- 增强侧向光场的光源
- 本发明公开了一种增强侧向光场的光源，包括半导体发光元件和透镜，所述半导体发光元件被包埋于透镜内并与透镜无缝结合，所述透镜具有顶面以及与顶面连接的侧面，所述半导体发光元件具有一个以上出光面，其中至少一个出光面朝向透镜的顶面...
- 唐文婷陈宝瑨张瑞蔡勇
- 文献传递
- 一种增强型HEMT器件结构及其制备方法
- 本发明公开了一种增强型HEMT器件结构及其制备方法。所述制备方法包括：在第一半导体层上设置掩膜，以将所述第一半导体层表面的第一区域遮盖，并使所述第一半导体层表面的第二区域露出，所述第一区域包含与源极、漏极及栅极对应的区域...
- 陈财蔡勇张宝顺邓旭光张丽林文魁
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- 一种改善热分布集中的超大功率光电器件
- 一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，芯片的外延层包括彼此隔离的多个单胞，该等单胞相互串联或并联，且该等单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和...
- 王玮蔡勇张宝顺
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- SiNx介质层对AlGaN/GaN HEMT的漏电和转移特性的影响
- 以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,因而在功率开关和射频器件中具有极大的应用前景和市场价值,成为当前功率器件研究的热点.在GaN基功率晶体管...
- 付凯谭庶欣张志利于国浩蔡勇张宝顺
- 新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件
- 一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏极以及异质结构，源、漏极通过异质结构中的二维电子气形成电连接，其中异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体；形成于第一半导体表面的第二半导体，其第二半导体表面设...
- 于国浩蔡勇张宝顺
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- 盖帽层粗化光电器件的制备方法
- 本发明公开了一种盖帽层粗化光电器件的制备方法，包括：提供具有粗化结构的模板，并将所述模板与用以形成光电器件盖帽层的有机涂覆层结合，使模板上的粗化结构转移至有机涂覆层，而后对有机涂覆层进行固化处理，并将模板与有机涂覆层分离...
- 王玮蔡勇张宝顺
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- GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法
- 本发明公开了一种GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法。所述方法包括：在衬底上生长形成主要由第一、第二半导体组成的异质结构，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙；在第...
- 张志利蔡勇张宝顺付凯于国浩孙世闯宋亮邓旭光
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- Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法
- 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法。该集成单片包括集成设置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器，其中GaN激光器包括从下向上依次设置的N型氮化镓层、量子阱结构以及P型氮化镓层等，所述Ⅲ族...
- 张志利蔡勇张宝顺付凯于国浩孙世闯宋亮
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- 基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列被引量：1
- 2021年
- 采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能。实验结果表明,在采用的离子注入能量范围内,氟离子在p-GaN层中的注入深度越深,对应器件的电学和光学隔离效果越好。当离子注入能量为60 keV时,Micro-LED阵列具有相对最佳的光电效果,同时基于该离子注入能量制备的4μm超小尺寸Micro-LED阵列的光功率密度高达200 W/cm2,展现了离子注入工艺在新一代Micro-LED微显示芯片中的应用潜力。
- 谭毅庄永漳卢子元张晓东张晓东赵德胜蔡勇张宝顺
- 关键词：氮化镓
