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解晓宇

作品数:8 被引量:4H指数:2
供职机构:华南师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省战略性新兴产业专项广东省科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 5篇二极管
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基二极管
  • 4篇功率
  • 4篇大功率
  • 4篇大功率LED
  • 3篇中心区
  • 2篇电偶
  • 2篇实时监测
  • 2篇热电偶
  • 2篇热电偶测量
  • 2篇热阻
  • 2篇温度分布
  • 2篇发光
  • 2篇NA
  • 2篇PN结
  • 2篇P型
  • 2篇P型ZNO
  • 2篇测量温度
  • 2篇测温

机构

  • 8篇华南师范大学

作者

  • 8篇解晓宇
  • 7篇孙慧卿
  • 7篇王度阳
  • 6篇许轶
  • 5篇郭志友
  • 5篇韩世洋
  • 4篇严卫聪
  • 4篇黄鸿勇
  • 2篇肖永能
  • 1篇韩世阳
  • 1篇张盼君

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
GaN基LED量子阱内量子点发光性质的模拟分析被引量:2
2012年
采用模拟计算的方法,运用量子点模型对GaN基LED器件中不同尺寸量子点的电致发光光谱进行模拟分析,并对器件结构中电子空穴浓度,辐射复合强度进行了研究.分析结果显示,随着量子点尺寸的增大,量子点发光波长存在红移,当圆柱状量子点半径从1.8nm增长到13nm时,波长红移309.6meV,在量子阱中生长单一尺寸的量子点可以达到不同波长的单色发光器件,而在不同量子阱中生长不同尺寸的量子点可以实现多波长发光,以及单颗LED的白色显示,并通过调节量子点的分布密度达到调节各发光波长强度的目的.结果表明,量子点分布密度调节之后多波长发光均匀性得到有效改善.
王度阳孙慧卿解晓宇张盼君
关键词:GAN量子点尺寸效应
利用pn结测量LED热阻的方法及其装置
本发明公开了一种利用pn结测量LED热阻的方法及其装置。利用pn结测量LED热阻的方法,所述LED为大功率LED,其特征在于:在大功率LED中,包括一个用于测量大功率LED的芯的温度的肖特基二极管,肖特基二极管与大功率L...
孙慧卿郭志友韩世洋许轶黄鸿勇严卫聪解晓宇王度阳
具有肖特基二极管测温的大功率LED
本发明公开了一种具有肖特基二极管测温的大功率LED,其特征在于:在大功率LED的中心区设置了一个肖特基二极管。本发明利用大功率LED自身的特性制备一个用来测量温度的肖特基二极管,在LED正常工作时,实时测量其温度,对于大...
孙慧卿郭志友解晓宇王度阳韩世洋许轶严卫聪黄鸿勇
文献传递
具有荧光粉散热层的发光二极管
本发明公开了一种具有荧光粉散热层的发光二极管,热沉与LED负电极的边缘区的上方粘接着环形陶瓷片,环形陶瓷片的上方粘接着环形金属散热片,环形金属散热片上设置有LED正电极,热沉与LED负电极的中心区的上方键合着LED芯片,...
孙慧卿郭志友许轶肖永能韩世阳解晓宇王度阳
文献传递
利用pn结测量LED热阻的方法及其装置
本发明公开了一种利用pn结测量LED热阻的方法及其装置。利用pn结测量LED热阻的方法,所述LED为大功率LED,其特征在于:在大功率LED中,包括一个用于测量大功率LED的芯的温度的肖特基二极管,肖特基二极管与大功率L...
孙慧卿郭志友韩世洋许轶黄鸿勇严卫聪解晓宇王度阳
文献传递
具有肖特基二极管测温的大功率LED
本发明公开了一种具有肖特基二极管测温的大功率LED,其特征在于:在大功率LED的中心区设置了一个肖特基二极管。本发明利用大功率LED自身的特性制备一个用来测量温度的肖特基二极管,在LED正常工作时,实时测量其温度,对于大...
孙慧卿郭志友解晓宇王度阳韩世洋许轶严卫聪黄鸿勇
Na,N双受主共掺杂p型ZnO第一原理研究被引量:2
2012年
采用基于密度泛函理论的第一原理平面波超软赝势法,对六方纤锌矿结构ZnO晶体,Na、N分别掺杂ZnO晶体,Na、N共掺杂ZnO晶体的几何结构进行了优化,其中Na、N共掺杂又分为Na、N相连和分开两种情况,以此为基础计算得到了这几种情况下ZnO晶体的能带结构,总态密度和分波态密度。结果表明,Na、N共掺得到的p型ZnO比单掺要好;两种共掺情况中Na、N分开会比Na、N相连p掺杂效果更好。
解晓宇孙慧卿王度阳许轶韩世洋肖永能
关键词:光电子学P型ZNO
Na,N,Mg掺杂P型ZnO的第一原理研究
氧化锌(ZnO)是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族多功能直接带隙化合物半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。其在蓝光和紫外光发射、高密度存储、气敏传感器、表面声波器件、太阳能电池、显示器件、压电器件、高...
解晓宇
关键词:密度泛函理论电子结构氧化锌
共1页<1>
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