赵益冉
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 电子束蒸发沉积TiN薄膜的电学特性研究被引量：1
- 2012年
- 采用TCP(Transverse coupled plasma)等离子体辅助电子枪蒸镀技术,在玻璃衬底上制备了TiN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了不同工艺条件对薄膜晶体结构和表面形貌的影响;用四探针法测量薄膜的电阻率变化。结果表明,所制备的TiN薄膜在(111)晶面有择优取向。与金属薄膜类似,TiN薄膜的平均表面粗糙度与电阻率之间存在近似线性关系,并且电阻率随残余应力增大而增大。
- 赵益冉陈俊芳邵士运冯军勤高鹏
- 关键词：电阻率残余应力表面粗糙度
- 等离子体辅助有机金属(CH_3)_3Ga化学气相沉积GaN薄膜
- 2010年
- 采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条件下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜。对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N2-(CH3)3Ga等离子体的发射光谱。结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N2-(CH3)3Ga等离子体中的活性成分通过复杂的反应生成的,其生长过程符合岛状生长机制。
- 郭超峰陈俊芳符斯列薛永奇王燕邵士运赵益冉
- 关键词：化学气相沉积GAN
- 衬底温度对氮化锌薄膜特性的影响被引量：2
- 2012年
- 采用直流磁控溅射的方法,在不同温度的玻璃衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了衬底温度对样品的微结构、表面形貌以及光学性质的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,生长的Zn3N2薄膜择优取向增多;晶粒尺寸逐渐变大;Zn3N2薄膜间接光学带隙由1.86 eV逐渐增大到2.26 eV.
- 邵士运陈俊芳赵益冉冯军勤高鹏
- 关键词：直流磁控溅射表面形貌光学带隙
- 直流反应磁控溅射制备氦化锌薄膜特性研究
- <正>近些年来,P型ZnO薄膜的制备成为人们研究和关注的热点。但我们知道,ZnO由于其自身存在的缺陷导致的补偿效应,所以很难实现重复性较好的P型ZnO薄膜的制备。N原子和O原子大小接近,所以N掺杂被认为是最好的选择。20...
- 邵士运陈俊芳赵益冉冯军勤高鹏
- 文献传递
- 直流反应磁控溅射制备氮化锌薄膜特性研究
- 邵士运陈俊芳赵益冉冯军勤高鹏
- 电子束蒸发沉积TiN薄膜电学特性研究
- <正>采用TCP(Transverse coupled plasma)等离子体辅助电子枪蒸发技术,Ar作为工作气体,N_2作为反应气体,在室温条件下玻璃基片上制备出TiN薄膜。TiN薄膜硬度大、熔点高、摩擦系数小,在电子...
- 赵益冉陈俊芳邵士运冯军勤高鹏
- 文献传递
- 微晶硅薄膜在粗糙表面的大面积均匀生长机制在
- 2010年
- 用氩气稀释硅烷作为反应气体，利用感应耦合等离子体在廉价衬底上大面积均匀沉积微晶硅薄膜．X射线衍射和拉曼分析表明衬底能显著地影响晶向，且微晶砗薄膜由小晶粒组成．台阶仪测试表明，微晶硅薄膜具有大范围均匀的特点．探针分析表明衬底附近区域的离子密度及电子温度分布均匀．基于以上结果可知：粗糙表面在晶体结构形成具有重要的作用，电感耦合等离子体反应器可以大面积均匀沉积薄膜．此外，氩气能影响反应过程并提高微晶硅薄膜特性．
- 赵文锋陈俊芳王燕孟然赵益冉邵士运李继宇张宇
- 关键词：微晶硅薄膜电感耦合等离子体
- 磁控反应溅射制备氮化锌薄膜及光学特性研究
- 采用纯锌靶材(99.99%),利用等离了体辅助磁控反应溅射技术在玻璃衬底上制备氮化锌薄膜。利用XRD分析了样品的晶体结构,表明氮化锌薄膜在(411)和(631)方向上择优生长;EDS分析了薄膜化学成分,锌原子和氮原子百分...
- 冯军勤陈俊芳邵士运赵益冉高鹏
- 关键词：磁控反应溅射等离子体辅助
- 文献传递
