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文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇硅片
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇绒面
  • 2篇线切割
  • 2篇法制
  • 2篇丙醇
  • 1篇电池
  • 1篇电池级
  • 1篇电学性能
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇太阳
  • 1篇太阳电池
  • 1篇体硅
  • 1篇晶体硅
  • 1篇键合
  • 1篇功率器件
  • 1篇硅单晶

机构

  • 5篇浙江大学

作者

  • 5篇路景刚
  • 4篇杨德仁
  • 3篇余学功
  • 2篇陈林
  • 1篇顾鑫
  • 1篇阙端麟
  • 1篇储佳
  • 1篇叶龙飞

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2001
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
微氮硅单晶在功率器件中的应用研究
近年来,硅中氮的行为被广泛深入地研究.通常,在大规模集成电路工艺中氮气广泛地用作保护气和载气.人们知道,氮在硅中能够抑制微缺陷的形成,并能通过钉札位错提高硅片的机械强度.近年来,人们发现,直拉硅单晶中的氮能够提高集成电路...
路景刚
关键词:功率器件
文献传递
一种新的SOI技术──智能切割被引量:1
2001年
智能切割是一种应用于SOI的新技术,它的最大特点是能高效地利用原材料,大幅度降低成本。本文综述了硅片键合原理和智能切割的工艺原理、优点及其影响因素。
储佳路景刚叶龙飞杨德仁阙端麟
关键词:半导体工艺硅片键合SOI
一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法
本发明公开了一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法,包括:(1)将所述的单晶硅片经清洗、晾干,于60-80℃条件下在由重量比为10-20∶0.8-12∶100-200的NaOH、异丙醇和去离子水组成的混合溶液中浸泡腐...
余学功陈林杨德仁路景刚
文献传递
太阳电池级多晶硅中杂质铝对太阳电池性能的影响
晶体硅太阳电池向着低成本高效率的方向发展。UMG 硅是一种可能被大规模应用的 廉价太阳级多晶硅材料。其相对普通多晶硅含有较多的杂质,其中一般有杂质铝。本文中通 过人为地在单晶中掺入杂质铝制备得到掺铝的硅单晶。通过研究发现...
顾鑫杨德仁余学功路景刚冯琰
关键词:晶体硅太阳电池电学性能
一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法
本发明公开了一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法,包括:(1)将所述的单晶硅片经清洗、晾干,于60-80℃条件下在由重量比为10-20∶0.8-12∶100-200的NaOH、异丙醇和去离子水组成的混合溶液中浸泡腐...
余学功陈林杨德仁路景刚
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