郭永平 作品数:11 被引量:70 H指数:5 供职机构: 兰州大学物理系 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 甘肃省自然科学基金 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 更多>>
用拉曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸 被引量:9 1998年 用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc-Ge/SiO2)。测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱,其结果与晶体Ge的拉曼谱相比,纳米Ge的拉曼峰位红移峰形变宽;用拉曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。 王印月 郑树凯 杨映虎 郭永平 奇莉 甘润今关键词:拉曼散射光谱 晶粒尺寸 埋入SiO_2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光 被引量:11 1997年 1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型能解释全部实验结果,但是可以肯定的是,从扫描隧道电镜观察到多孔Si是具有2~5nm尺寸的纳米微粒,这种低维的纳米微粒是获得可见光发射的主要原因.目前多孔Si多用湿法制备,性能不稳定,电接触方面存在困难,严重限制了它的应用.因此,探索制备有纳米结构的Si及Si基合金以获得强的可见光发射,具有极重要的意义. 王印月 杨映虎 郭永平 王吉政 陈光华 甘润今关键词:二氧化硅 光致发光 喇曼散射 立方氮化硼薄膜的织构生长 被引量:4 1995年 立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而金刚石的n型掺杂国际上至今尚未实现),与Si,GaAs更接近的热膨胀系数.因此,C-BN在力学、光学、热学、电子学等方面有着极其广泛的应用前景.其中最为诱人的前景是在电子学方面,首先作为一种易于p型,n型掺杂的宽带隙半导体材料,它可以应用于高温、高频、大功率。 陈光华 郭永平 张仿清 宋志忠关键词:立方氮化硼 氮化硼 离子注入和固相外延制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y半导体薄膜 2002年 用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RBS) ,傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和高分辨率x射线衍射 (HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性 .发现C原子基本处于替代位置 。 刘雪芹 王印月 甄聪棉 张静 杨映虎 郭永平关键词:半导体薄膜 离子注入 固相外延 PECVD 高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响 被引量:5 1997年 通过红外透射谱、拉曼散射谱和X射线衍射谱的测量,研究了反应溅射制备的氢化非晶硅碳膜(SP-a-SiC:H)高温退人处理后的结构变化。发现在等时退火的情况下,退火温度对薄膜结构影响明显,H原子的逸出温度与键合有关,H从CHn中逸出要比从SiHn键中追出需要更高的温度,样品经800℃退火后。 王印月 王辉耀 王吉政 郭永平 陈光华关键词:高温退火 溅射 碳化硅 氢化 半导体薄膜 a-Si:H/a-SiC_x:H超晶格的界面特性 1994年 报道等离子体化学汽相沉积法制备的a-Si:H/a-SiC:H超晶格的蓝移现象,用小角度X射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现,超晶格界面附近存在较高浓度的H和较多的Si-C键,界面H的热稳定性较差,界面缺陷态密度为1.2×10 ̄(11)cm ̄(-2)。 陈光华 郭永平 姚江宏 宋志忠 张仿清关键词:氢化非晶硅 超晶格 薄膜物理乃其应用讲座第四讲立方氮化硼薄膜的研究现状及其应用前景 被引量:20 1995年 立方氮化硼(c-BN)具有一系列优异的物理化学性质,如高的硬度,宽的带隙,高的电阻率,高的热导率,高的热稳定性、化学稳定性,在力学、光学和电子学等方面有广泛的应用前景。从立方氮化硼薄膜的性质,制备方法,目前研究工作的进展,存在的主要问题,以及应用前景等方面介绍这种新型功能材料。 宋志忠 郭永平 张仿清 陈光华关键词:立方氮化硼 埋入SiO_2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光 被引量:13 1997年 用射频共溅射技术和真空退火方法,制备出埋入SiO2基质中纳米Ge的复合膜(ncGe/SiO2),通过喇曼散射、X射线衍射、室温光致发光(PL)、紫外可见光近红外吸收及电导温度关系等测量手段,较系统地研究了该复合膜的光学、电学、薄膜结构和光致发光性质,在室温情况下得到了有多个弱峰的、不对称的宽带PL谱,主峰能量约为205eV。 王印月 杨映虎 郭永平 甘润今 甘润今 薛华 陈光华关键词:二氧化硅 光致发光 a-SiGe_x 合金光学常数的研究 1993年 本文通过拚射及透射谱测量,利用关系式(1-R)/T 和(1+R)T 代替参量 R 和 T 的办法,计算a-SiGe_x∶H 合金的光学常数(折射率 n,消光系数 K).我们利用所取得的实验数据,得到了不同 Ge 含量对 a-SiGe_x∶H 合金光学常数的影响,讨论了 Ge 原子进入 a-Si:H 网络引起的 a-SiGe:H 合金结构及光学特性的变化. 张仿清 郭永平 宋志忠 陈光华关键词:光学常数 硅锗合金 埋入SiO_2膜中的微晶Ge的室温可见光致发光 1996年 埋入SiO2膜中的微晶Ge的室温可见光致发光①王印月杨映虎郭永平②陈光华(兰州大学物理系,兰州730000)甘润今(北京机械工业学院基础部,北京100085)可见发光器件在大屏幕显示和光电子学中是十分重要的,这些发光器件主要是用工艺复杂、价格较贵的... 王印月 杨映虎 郭永平 陈光华 甘润今关键词:二氧化硅膜 锗 微晶 光致发光 室温 光电材料