钱永彪
- 作品数：45 被引量：124H指数：6
- 供职机构：华瑞科学仪器上海有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术一般工业技术更多>>
- 热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文)被引量：3
- 2007年
- 对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型，在热处理温度700℃，In分压6．1×10^-4Pa，退火时间达48h后，电阻率可以提高到2．6×10^9Ω·cm。
- 闵嘉华桑文斌刘洪涛钱永彪滕建勇樊建荣李万万张斌金玮
- 关键词：CDZNTE
- 在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法
- 本发明涉及一种在硅衬底上垂直定向生长ZnO纳米线的复合半导体基板材料及其制备方法。该半导体基板材料，包括衬底及其表面涂层，衬底采用硅(111)片，表面涂层是以高分子配位体形成的碳骨架为缠绕网络，并在其上生长有ZnO晶体。...
- 桑文斌贺英王均安吴若峰钱永彪
- 文献传递
- 声光晶体TeO_2的生长及缺陷研究被引量：6
- 2001年
- 本文研究了直拉TeO2 晶体中的主要晶体缺陷形成机理 ,讨论分析了TeO2 单晶生长的工艺参数对晶体缺陷的影响。结果表明 :晶体裂缝主要与温度梯度有关 ,温度梯度大于 2 0～ 2 5℃ /cm及出现界面翻转时 ,易造成晶体的开裂 ,位错密度增加 ;晶体中的包裹体主要为气态包裹体 ,它的形成主要与籽晶的转速和晶体的提拉速度有关 ,转速 15～ 18r/min ,拉速 0 .55mm/h ,固液界面微凹 ,可以减少晶体中的气态包裹体 ;晶体台阶由晶体生长过程中温度和生长速度的起伏引起 ,当台阶间距较宽时 ,易形成包裹体。
- 季小红桑文斌刘冬华李冬梅钱永彪史伟民闵嘉华
- 关键词：声光晶体晶体缺陷工艺参数单晶生长直拉法
- CdZnTe晶体生长用石英管的镀碳工艺研究被引量：4
- 2005年
- 使用金相显微镜、推力分析仪测试等手段研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、碳膜和石英结合力的影响。获得了一个优化的镀碳工艺参数,即在镀碳温度为950～1100℃,气体流量为4～7ml/h,镀碳时间为6h,冷却时间为12h的条件下得到的碳膜较为均匀,而且和石英结合的较好。使用该工艺条件镀膜的石英管生长出的CdZnTe晶体表面光洁,位错密度低,约为4×104cm-2。
- 闵嘉华桑文斌钱永彪李万万刘洪涛樊建荣
- 关键词：CDZNTE晶体
- 液相外延制备InGaAsP／InP掩埋异质结若干工艺问题的讨论
- 1996年
- 本文对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究，提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方（Ｂｒ＿２／ＨＢｒ），对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤层和有害杂质的去除采用了阳极氧化工艺，同时探索了利用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，在研究基础上制造了重现性好且性能良好的１．３μｍ激光二极管，室温时，阈值电流最低小于２５ｍＡ，典型值为３０ｍＡ，在６０ｍＡ直流电流的驱动下，光输出功率高达１２．５ｍＷ。
- 桑文斌钱永彪闵嘉华莫要武陈培峰王林军吴汶海陈高庭
- 关键词：LPE激光二极管INGAASP磷化铟
- 分压控制下高纯、高x值CdZnTe晶体气相生长的研究被引量：4
- 1998年
- 尝试采用布里奇曼法生长ＣｄＺｎＴｅ为原材料进行了高ｘ值（ｘ＝０．０４～０．６０）Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体在压力控制下的物理气相输运（ＰＶＴ）生长研究。探讨了Ｃｄ源和ＣｄＺｎ合金温度对晶体电学性质的影响。并对ＰＶＴ晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率、ＰＬ光谱等进行了检测和分析。
- 钱永彪桑文斌王林军史伟民闵嘉华吴汶海
- 关键词：核探测器红外光学材料晶体生长
- CdZnTe材料的表面钝化新工艺被引量：5
- 2005年
- 研究了一种新的钝化CdZnTe(CZT)器件表面的工艺,即先采用KOH KCl溶液对CZT表面进行处理,再用NH4F/H2O2溶液对其进行表面氧化的二步法钝化工艺.并借助俄歇电子能谱(AES)、微电流测试仪等手段对其表面钝化层的质量进行了鉴别,同时与KOH KCl和NH4F/H2O2两种工艺进行了比较.AES能谱分析表明,采用二步法工艺钝化,既可获得化学计量比较好的CZT表面,又可在表面形成一层起保护作用的氧化层.I V特性曲线显示,两步法钝化后CZT器件的漏电流与KOH KCl和NH4F/H2O2钝化相比都有一定程度的下降.说明文中提出的新工艺在CZT器件制备方面具有良好的应用前景.
- 王昆黍桑文斌闵嘉华腾建勇张奇夏军钱永彪
- 关键词：CDZNTE晶体表面钝化漏电流
- 高灵敏度γ射线核素识别谱仪的初步研究
- 钱永彪
- 关键词：闪烁体CDZNTE
- 核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法
- 本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法，属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表...
- 桑文斌闵嘉华王昆黍秦凯丰樊建荣钱永彪
- 文献传递
- 影响InGaP／InP半导体激光器阈值电流密度若干问题的研究
- 1996年
- 本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成．并从实验上进行了仔细调整．获得了激射波长为１．３μｍ．失配量≤１．４×１０－３的ＤＨ结构ＬＰＥ工艺条件．探讨了新的腐蚀工艺和二次外延工艺参数对掩埋异质结构形成的影响；提出采用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，避免了纵向ｐ－ｎ结偏位现象的出现．获得了室温下阈值电流最低小于２５ｍＡ、在６０ｍＡ直流驱动下单面光输出功率高达１２．５ｍＷ、激射波长为１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣ－ＰＢＨ激光器．
- 桑文斌闵嘉华钱永彪莫要武陈培峰王林军吴汶海刘苏生张向东
- 关键词：INGAASP半导体激光器磷化铟阈值电流密度
