闫裔超
- 作品数：24 被引量：14H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- 集成电子薄膜材料研究进展
- 2013年
- 首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件。
- 李言荣张万里刘兴钊朱俊闫裔超
- 关键词：电子材料电子器件
- 一种锂二次电池负极材料的制备方法及其应用
- 本发明提供一种锂二次电池负极材料的制备方法，属于锂电池材料制备技术领域。本发明通过将蒙脱土进行嵌插改性然后进行高温碳化处理，最终制备具有片状结构的负极材料。该锂二次电池负极材料具有可调控的层间距，使得电池在充放电过程中体...
- 熊杰李政翰陈伟雷天宇闫裔超邬春阳戴丽萍
- 文献传递
- (B/Ti)_n/TaN薄膜点火桥的制备及点火性能被引量：10
- 2015年
- 利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了（B/Ti）n/TaN薄膜点火桥（膜桥）,其中TaN膜桥的尺寸为80m×40m×2m,B/Ti多层膜尺寸为4mm×4mm,层数为40层,第一层B厚度400nm,其后每层B或Ti厚度为200nm,总μμμ厚度约8m。用电压40V、电容47F的钽电容对样品进行发火性能测试。结果表明：TaN膜桥的点火延迟时间为85s、点火输μμμ入能量15mJ、爆炸温度2500-3500K、火焰持续时间0.15ms左右、炸药持续高度5mm左右,而（B/Ti）n/TaN膜桥的点火延迟时间为37s、点火输入能量6mJ、爆炸温度4000-8500K、火焰持续时间大于0.25ms、火焰持续高度10mm以上。在点火桥上沉积B/Tiμ多层膜可降低点火延迟时间和点火输入能量,有效提升火工品的点火性能。
- 蔡贤耀蒋洪川闫裔超张宇新邓新武张万里
- 关键词：磁控溅射
- 一种碳量子点修饰锂硫电池正极材料的制备方法
- 本发明提供了一种碳量子点修饰锂硫电池正极材料的制备方法，属于锂硫电池正极材料制备领域。本发明使用聚乙烯亚胺表面功能化的碳量子点用于锂硫电池正极的制备，利用聚乙烯亚胺对多硫化合物的吸附作用，抑制电池充放电过程中的穿梭效应，...
- 熊杰胡音雷天宇陈伟闫裔超邬春阳吕晓雪
- 文献传递
- 一种锂二次电池负极材料的制备方法及其应用
- 本发明提供一种锂二次电池负极材料的制备方法，属于锂电池材料制备技术领域。本发明通过将蒙脱土进行嵌插改性然后进行高温碳化处理，最终制备具有片状结构的负极材料。该锂二次电池负极材料具有可调控的层间距，使得电池在充放电过程中体...
- 熊杰李政翰陈伟雷天宇闫裔超邬春阳戴丽萍
- 文献传递
- Cr薄膜电阻桥的湿法腐蚀工艺参数研究
- 2012年
- 采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上沉积了Cr薄膜,采用光刻–湿法腐蚀工艺对Cr薄膜图形化得到电阻桥。通过实验,详细研究了腐蚀液温度、pH值和硝酸铈铵[(NH4)2Ce(NO3)6]浓度对Cr薄膜电阻桥腐蚀效果的影响。实验结果表明,Cr薄膜电阻桥的最优腐蚀参数为:硝酸铈铵浓度1.16 mol/L,pH值4,30℃水浴恒温。采用该最佳工艺制备的Cr薄膜电阻桥的腐蚀速率为180 nm/min,侧蚀为400 nm,桥区边缘线条整齐,其在5A恒流作用下点火效果良好,点火时间约为27.4 ms。
- 杨生川蒋洪川邓新武张万里闫裔超
- 关键词：湿法腐蚀
- 一种高能量转换率复合含能薄膜桥
- 本发明属于火工品领域，具体涉及一种高能量转换率复合含能薄膜桥。该高能量转换率复合含能薄膜桥(爆炸箔)，从下至上依次包括基片、金属膜桥和含能薄膜层，还包括聚四氟乙烯PTFE薄膜层和二个电极焊盘。金属膜桥设置在基片之上，其上...
- 蒋洪川张宇新赵晓辉闫裔超邓新武张万里
- 文献传递
- 一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法
- 本发明公开了一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法，属于半导体传感器以及集成电路封装技术领域，通过在SOI晶圆的(100)晶面上制备惠斯通电桥实现，惠斯通电桥包括首尾依次通过传输接口连接的第一线形电阻R1、第一L形电阻...
- 吴开拓王韬张万里闫裔超邬春阳
- 一种用于锂硫电池中的耐火隔膜及其制备方法
- 本发明提供一种用于锂硫电池中的耐火隔膜及其制备方法，属于能源材料技术领域。本发明利用静电纺丝技术，将含氮、磷极性基团的耐火材料聚磷酸铵(APP)以及高分子材料聚丙烯腈(PAN)通过二甲基甲酰胺(DMF)溶解后，在特定的电...
- 熊杰吕晓雪雷天宇陈伟闫裔超胡音李政翰邬春阳
- 文献传递
- 一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法
- 本发明公开了一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法，属于半导体传感器以及集成电路封装技术领域，通过在SOI晶圆的(100)晶面上制备惠斯通电桥实现，惠斯通电桥包括首尾依次通过传输接口连接的第一线形电阻R1、第一L形电阻...
- 吴开拓王韬张万里闫裔超邬春阳
